-
公开(公告)号：CN119530981A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411611960.1
申请日：2024-11-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十一研究所
Abstract: 本申请公开了一种辅助液相外延碲镉汞材料外延后的取片装置及方法，涉及半导体薄膜制备技术，所述取片装置呈条状，包括：凸起(101)，设置在规格调整套环(103)范围内，用于与衬底槽相抵；规格调整套环(103)，适配于目标碲镉汞外延片的尺寸包括相应的规格，用于套设在所述凸起(101)上；侧边挡板(102)，设置在所述取片装置的两侧，用于固定石墨舟滑条。本申请实施例辅助取片装置及取片方法能够降低取片时出现裂纹、裂片的概率，保证碲镉汞外延片的完整性。
-
公开(公告)号：CN118800684A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410773587.3
申请日：2024-06-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十一研究所
Abstract: 本发明提出了一种用于多片碲锌镉衬底的自动腐蚀与清洗装置，包括：升降结构，花篮，腐蚀器皿以及清洗槽；升降结构上设置有夹持结构，升降结构布置于水平运动模组，用于实现升降结构沿水平运动模组的方向进行水平移动，夹持结构在升降结构上是可升降移动的；花篮的衬底放置面上设置有至少两个衬底的放置槽，并且通过杆状结构与夹持结构可拆卸连接；腐蚀器皿以及清洗槽沿水平运动模组的方向依次布置，其中腐蚀器皿的下方设置有磁力搅拌装置，用于对腐蚀器皿中的腐蚀液按照配置参数进行搅拌，进一步实现对衬底的腐蚀处理。本发明可以有效改善该工艺过程的一致性，提高工艺过程的安全性和生产效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109402729B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201811100080.2
申请日：2018-09-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第十一研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于对碲镉汞生长溶液进行自动合成冷却的装置及方法,本发明主要用于水平液相外延用碲镉汞生长溶液的合成冷却工艺中，解决该工艺下冷却过程一致性差造成的同一批次及不同批次相同配方的碲镉汞母液均匀性差的问题。通过采用本发明的装置对碲镉汞生长溶液进行冷却，可以很好的运用于水平液相外延工艺用碲镉汞生长溶液合成冷却工艺中，改善该工艺的一致性，进而提高同一批次及不同批次相同配方的碲镉汞母液的组分一致性和均匀性，改善碲镉汞薄膜组分及厚度均匀性，提高碲镉汞水平液相外延的工艺稳定性。
-
公开(公告)号：CN119308008A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411299805.0
申请日：2024-09-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第十一研究所
Abstract: 本申请涉及薄膜材料外延生长领域，尤其涉及一种用于提升液相外延薄膜质量的石墨舟及方法，该石墨舟包括底托、滑条、母液槽和滑动上盖，其中，所述底托，为包围结构，用于支撑所述滑条、所述母液槽和所述滑动上盖；所述滑条，位于所述底托内，用于装载衬底；所述母液槽，位于所述滑条上方，且位于所述底托内，与所述底托固定；所述滑动上盖，位于所述母液槽上方，且位于所述底托内，用于密封。通过本发明制备出表面光亮、无宏观波纹的碲镉汞薄膜，可有效降低后续器件工艺的难度，解决了因厚度均匀性不佳造成的互联失效、底纹等一系列问题，对器件性能的提升有较大贡献。
-
公开(公告)号：CN115458630A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211116677.2
申请日：2022-09-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十一研究所
IPC: H01L31/18 , H01L21/67 , H01L21/673 , H01L21/687
Abstract: 本发明提出了一种用于碲锌镉衬底腐蚀工艺的装置，包括：外层装置，为支架所构成的空心柱状结构，其中，外层装置的垂直于轴向方向的截面为正多边形，正多边形的每条边对应的矩形面设置有空心的第一孔位；内层装置，设置于第一孔位内，其中，内层装置中设置有用于装载碲锌镉衬底的装载结构。本发明提供的用于碲锌镉衬底腐蚀工艺的装置，可以同步进行多个碲锌镉衬底腐蚀工艺，提高工艺过程的生产效率，并且可以有效改善该工艺过程中不同碲锌镉衬底之间腐蚀工艺的一致性及腐蚀的均匀性。
-
公开(公告)号：CN117512771A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311337493.3
申请日：2023-10-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十一研究所
Abstract: 本申请公开了一种用于碲镉汞生长溶液制备的辅助装置，所述辅助装置包括：碲镉汞生长溶液料管(3)，设置在固定金属杆(4)之间；第一固定装置(2)，与固定金属杆(4)的一端连接，所述固定金属杆(4)之间用于设置碲镉汞生长溶液料管(3)，所述固定金属杆(4)的另一端设置有第二固定装置(5)；石英杆锁紧装置(1)，设置于所述第一固定装置(2)的一侧，所述石英杆锁紧装置(1)用于基于所述第一固定装置(2)为所述碲镉汞生长溶液料管(3)提供锁紧，以固定所述碲镉汞生长溶液料管(3)。本申请的辅助装置能够减少烧接工序，兼容多种长度、直径的石英料管，并针对淬火进行优化以提升淬火效果，使用方便，提高效率，提升安全性。
-
公开(公告)号：CN109402729A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811100080.2
申请日：2018-09-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第十一研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于对碲镉汞生长溶液进行自动合成冷却的装置及方法,本发明主要用于水平液相外延用碲镉汞生长溶液的合成冷却工艺中，解决该工艺下冷却过程一致性差造成的同一批次及不同批次相同配方的碲镉汞母液均匀性差的问题。通过采用本发明的装置对碲镉汞生长溶液进行冷却，可以很好的运用于水平液相外延工艺用碲镉汞生长溶液合成冷却工艺中，改善该工艺的一致性，进而提高同一批次及不同批次相同配方的碲镉汞母液的组分一致性和均匀性，改善碲镉汞薄膜组分及厚度均匀性，提高碲镉汞水平液相外延的工艺稳定性。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.054 seconds)
