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公开(公告)号：CN119465084A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411925307.2
申请日：2024-12-25
Applicant: 眉山博雅新材料股份有限公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/32 , C23C16/455
Abstract: 本说明书实施例提供一种气相沉积装置，包括：沉积主体，沉积主体包括第一腔体、第二腔体以及第一侧壁；第一腔体设于第二腔体内，第一腔体被构造为容纳待沉积物体；第一侧壁围成第一腔体，第一侧壁上设有多个通孔，多个通孔连通第一腔体和第二腔体；第一输入管，第一输入管与第一腔体连通；第二输入管，第二输入管与第二腔体连通；输出管，输出管与第一腔体连通。
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公开(公告)号：CN119418048A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411448038.5
申请日：2024-10-16
Applicant: 眉山博雅新材料股份有限公司
IPC: G06V10/26 , G06V10/764 , G06V10/56
Abstract: 本说明书实施例提供一种晶体视觉识别处理方法，该方法包括获取相关于一个或多个晶体的待识别图像；对待识别图像进行图像识别，确定一个或多个晶体的识别结果，识别结果包括一个或多个晶体的尺寸数据、位置数据、瑕疵数据中的至少一个；基于识别结果，确定一个或多个晶体的处理方案。
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公开(公告)号：CN118013793B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202410172434.3
申请日：2024-02-06
Applicant: 眉山博雅新材料股份有限公司
IPC: G06F30/23 , C30B15/20 , C30B23/00 , C30B19/10 , C30B35/00 , G06F30/27 , G06N20/20 , G06N3/044 , G06N3/0464 , G06N3/092 , G06F119/08 , G06F111/10
Abstract: 本说明书实施例提供一种晶体生长方法、系统、装置以及存储介质，前述晶体生长方法包括：确定晶体生长设备在目标炉次的参数集，其中，参数集包括至少一个目标参数，目标参数为晶体生长设备中影响晶体生长的参数；在目标炉次的目标时间段，获取晶体生长设备的第一测温点的第一温度检测值；基于目标参数和第一温度检测值，通过晶面温度确定模型确定第一温度检测值对应的模拟晶面温度。
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公开(公告)号：CN119020849A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411136630.1
申请日：2024-08-19
Applicant: 眉山博雅新材料股份有限公司
Abstract: 本说明书实施例提供一种用于晶体生长的装置以及晶体生长方法，该用于晶体生长的装置包括籽晶托、籽晶连接杆以及接触检测组件，籽晶托连接在籽晶连接杆的一端，接触检测组件被配置为检测籽晶托的接触状态，其中，接触状态反映籽晶托上粘接的籽晶与熔体接触的状态，熔体用于晶体生长。
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公开(公告)号：CN118360662A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410608199.X
申请日：2024-05-15
Applicant: 眉山博雅新材料股份有限公司
Abstract: 本说明书实施例提供一种基于物理气相传输的晶体生长方法和晶体生长炉，该晶体生长炉包括炉膛、坩埚和加热组件；加热组件对坩埚进行加热，并使坩埚的底壁的最高温度高于坩埚的侧壁的最高温度；坩埚的上方设有籽晶，坩埚的内部设有物料。该晶体生长方法使用晶体生长炉进行晶体生长，包括：通过加热组件对物料进行加热使物料升华，以在籽晶的生长面生长晶体；其中，物料升华后的气相传输路径与坩埚的中轴线之间的最大夹角小于15°。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117328134A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311552738.4
申请日：2023-11-20
Applicant: 眉山博雅新材料股份有限公司
Abstract: 本说明书实施例提供一种液相晶体生长装置和液相晶体制备方法，该装置包括坩埚、设置在坩埚上方的坩埚盖、穿过坩埚盖的籽晶杆以及与籽晶杆连接的籽晶托；坩埚盖包括第一厚度部分和第二厚度部分，其中，第一厚度部分邻近籽晶杆，厚度为第一厚度；第二厚度部分远离籽晶杆，厚度为第二厚度；第一厚度小于第二厚度；坩埚盖包括第一厚度部分与第二厚度部分的连接处，连接处与籽晶托的边缘之间的第一水平距离小于第一距离阈值。
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公开(公告)号：CN117265635A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311213780.3
申请日：2022-05-27
Applicant: 眉山博雅新材料股份有限公司
Abstract: 本说明书实施例提供一种连接装置，该装置包括：至少一个连接杆和籽晶托，其中，籽晶托与至少一个连接杆的连接点的数量大于等于2，且连接点与籽晶托的旋转中心不重合；其中，所述连接点为所述至少一个连接杆与所述籽晶托直接连接相接触的位置，或者所述连接点为所述至少一个连接杆通过连接媒介与所述籽晶托间接连接时，所述连接媒介与所述籽晶托相接触的位置。
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公开(公告)号：CN116103751A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310308121.1
申请日：2022-06-07
Applicant: 眉山博雅新材料股份有限公司
Abstract: 本说明书实施例提供一种晶体制备装置，用于液相法制备晶体，该装置包括：生长腔体，生长腔体内设置至少一层板组件，其中，至少一层板组件上包括通孔；通孔的密度自板组件的中心至边缘逐渐降低；加热组件，用于加热生长腔体；连接组件，用于连接籽晶托以支撑籽晶；以及动力组件，用于带动连接组件旋转和/或上下运动，以带动籽晶托旋转和/或上下运动。
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