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公开(公告)号：CN119041010B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411535927.5
申请日：2024-10-31
Applicant: 北京晶格领域半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及一种液相法碳化硅单晶的生长装置及生长方法，属于碳化硅单晶生产技术领域。生长装置包括生长坩埚、固定有籽晶的籽晶杆、用于测定生长原料位置的激光测距仪、活动石墨块、制动装置和封堵石墨；生长坩埚的坩埚盖对应激光测距仪出光孔的正下方设有预留孔；生长坩埚侧壁设有至少四列孔洞，每列孔洞自上而下间隔均匀分布，底部中心位置设有一个孔洞，活动石墨块填充在孔洞内，封堵石墨一端嵌入孔洞，另一端套在生长坩埚外壁；封堵石墨中心设有供制动装置穿过并与活动石墨块连接的开孔，制动装置用于控制活动石墨块相对生长原料前后移动。本发明装置可以实现长晶前的高温线位置确定与调整，可以减弱生长溶液中自循环对流，提高碳的利用率。
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公开(公告)号：CN116695256A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310677186.3
申请日：2023-06-08
Applicant: 北京晶格领域半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及一种液相法生长碳化硅单晶的方法，所述方法采用具有可提供生长原料的物料块的液相法生长碳化硅单晶的装置进行，所述方法为：选择生长原料；使生长原料装盛在坩埚主体内，加热以使生长原料熔化成液态；使籽晶杆上固定的籽晶下降至与液态的生长原料液面相接触进行碳化硅单晶的生长，得到碳化硅单晶；在长晶过程中，可提供生长原料的物料块浮在液态的生长原料液面为碳化硅单晶生长持续提供生长原料。本发明在长晶过程中，能够缩短供碳距离，为碳化硅单晶生长过程提供充足且长时间稳定的碳源，大幅度地减少包裹物的产生，有效提高了单晶生长质量，同时还有效地抑制了坩埚壁被熔穿的现象的发生。
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公开(公告)号：CN114635184B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202210277588.X
申请日：2022-03-21
Applicant: 北京晶格领域半导体有限公司
Abstract: 本发明提供了一种封闭式液相法生长碳化硅的装置、系统和方法，其中装置包括：坩埚主体、上坩埚盖、上传动装置和籽晶托；其中，所述上传动装置连接在所述上坩埚盖的外壁上，用于带动所述上坩埚盖进行上下运动和/或旋转运动；当所述上坩埚盖盖在所述坩埚本体上并进行旋转运动时，所述坩埚本体内部保持封闭状态和静止状态；所述籽晶托连接在所述上坩埚盖的内壁上，所述籽晶托可跟随所述上坩埚盖的运动而运动；当所述坩埚本体内盛放有原料液时，所述籽晶托的托盘可浮在液面上，且所述托盘可在原料液浮力的变化下上下浮动。本方案，采用封闭式装置，能够保证液面稳定性，提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN114643651A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210277587.5
申请日：2022-03-21
Applicant: 北京晶格领域半导体有限公司
IPC: B28D5/00 , H01L21/673
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅晶片贴蜡方法和辅助贴蜡装置，该碳化硅晶片贴蜡方法包括：利用辅助贴蜡装置将碳化硅晶片置于陶瓷盘上，并对陶瓷盘进行加热；待陶瓷盘达到预设温度时，在碳化硅晶片的待涂蜡表面的中心位置进行涂蜡；其中，待涂蜡表面为碳化硅晶片远离陶瓷盘的一面；利用辅助贴蜡装置将涂蜡的碳化硅晶片从陶瓷盘上取下并进行冷却，得到具有蜡层的碳化硅晶片；利用辅助贴蜡装置将具有蜡层的碳化硅晶片置于达到预设温度的陶瓷盘上，以实现碳化硅晶片与陶瓷盘的粘合；其中，蜡层朝向陶瓷盘。本发明采用辅助贴蜡装置手动对碳化硅晶片进行贴蜡，降低对工人贴蜡熟练度的要求，能够在手动贴蜡中消除气泡，实现手动贴蜡的高效以及提高贴片成品率。
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公开(公告)号：CN114622285A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210282096.X
申请日：2022-03-22
Applicant: 北京晶格领域半导体有限公司
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅籽晶粘接装置和方法，其中装置包括：加压机构和加热平台；加热平台用于承载并加热粘接件，加热平台可在外力作用下沿自身的竖直中心轴旋转；粘接件包括使用粘结剂粘接好的籽晶与托盘；加压机构，与加热平台同轴设置且位于加热平台上方，包括升降驱动部、加压驱动部、离心驱动部和加压盘；升降驱动部驱动加压盘的升降，当加压盘下降并接触到加热平台承载的粘接件时，利用加压驱动部对加压盘施加压力，以使加压盘对粘接件施加相同压力；利用离心驱动部驱动加压盘沿加压机构的中心轴进行离心旋转运动，使得加压盘带动加热平台进行离心旋转运动。本方案，减少粘接过程中的气泡产生，提高碳化硅单晶的生长质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119041008B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411535925.6
申请日：2024-10-31
Applicant: 北京晶格领域半导体有限公司
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅晶体生长用助熔剂、立方碳化硅晶体及其生长方法，属于晶体生长技术领域，所述助熔剂为包含稀土金属、过渡金属和碳的合金：所述稀土金属与所述过渡金属的摩尔比为1:9~9:1。本发明提供的助熔剂可以降低碳化硅晶体的生长的温度，实现更低温下碳化硅晶体的生长，同时可以增加碳在硅熔体中的溶解度，提高晶体生长前期硅熔体中碳的浓度，可实现在更短的时间得到高质量、大尺寸的碳化硅晶体。
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公开(公告)号：CN119041009A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411535926.0
申请日：2024-10-31
Applicant: 北京晶格领域半导体有限公司
Abstract: 本发明提供了一种用于液相生长碳化硅晶体的装置及方法，属于晶体生长技术领域，该装置包括坩埚组件、籽晶杆组件、位于坩埚组件外侧的发热组件及包裹坩埚组件、籽晶杆组件和发热组件的保温组件；坩埚组件包括由外至内依次设置的第一坩埚和第二坩埚；第一坩埚设置有可拆卸的坩埚盖，坩埚盖上设置有用于固定籽晶杆组件的固定部件；第一坩埚的内底面设置有凸台；第二坩埚的外底部设置有与凸台形状相匹配的凹槽，凹槽中部设置有用于推拉和旋转第二坩埚的推动组件；推动组件依次贯穿第一坩埚、发热组件和保温组件的底部。本发明提供的装置可以确保碳化硅晶体生长过程温度稳定性，同时避免籽晶提拉和旋转过程抖动过大的问题。
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公开(公告)号：CN119041008A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411535925.6
申请日：2024-10-31
Applicant: 北京晶格领域半导体有限公司
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅晶体生长用助熔剂、立方碳化硅晶体及其生长方法，属于晶体生长技术领域，所述助熔剂为包含稀土金属、过渡金属和碳的合金：所述稀土金属与所述过渡金属的摩尔比为1:9~9:1。本发明提供的助熔剂可以降低碳化硅晶体的生长的温度，实现更低温下碳化硅晶体的生长，同时可以增加碳在硅熔体中的溶解度，提高晶体生长前期硅熔体中碳的浓度，可实现在更短的时间得到高质量、大尺寸的碳化硅晶体。
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公开(公告)号：CN118308793A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410515242.8
申请日：2024-04-26
Applicant: 北京晶格领域半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及一种液相法生长碳化硅原料回收再利用的装置及方法，所述装置包括第一生长坩埚、第二生长坩埚、传动装置、封堵块和外接石墨圆筒；第一生长坩埚装盛生长原料，第二生长坩埚作为生长原料回收再利用坩埚位于第一生长坩埚下方；传动装置顶部连接在封堵块上，用于驱动封堵块上下移动，封堵块用于封堵生长坩埚底部的通孔；第一生长坩埚底部外壁开设卡槽，传动装置的顶部两侧设置与卡槽相配合的卡件，传动装置还用于控制卡件的张开及收拢，当卡件张开并卡合在卡槽中时，传动装置驱动第一生长坩埚旋转；本发明能够实现液相法生长原料的回收再利用功能，明显降低液相法生长碳化硅的生产成本，且解决了因生长原料回收造成的坩埚无法旋转的问题。
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公开(公告)号：CN116948601A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310946430.1
申请日：2023-07-28
Applicant: 北京晶格领域半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及碳化硅制备技术领域，特别涉及一种碳化硅磨料及其制备方法。本发明实施例提供了一种碳化硅磨料的制备方法，包括：将石英砂、碳源和金属铝混合均匀，得到混合物；对所述混合物进行煅烧处理，得到所述碳化硅磨料。本发明实施例提供了一种碳化硅磨料及其制备方法，能够提供一种高硬度的碳化硅磨料。
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