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公开(公告)号：CN106687625A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201580048867.7
申请日：2015-08-25
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: C30B15/22 , C30B15/20 , C30B15/203 , C30B29/06
Abstract: 本发明是一种单晶的制造方法，其特征在于，在将熔融液面上的炉内构造物设置于提拉室的状态下测量从位于所述熔融液面上的规定高度的基准高度位置到所述炉内构造物的下端部的距离，并求出该测量的距离与预先设定的从所述基准高度位置到所述炉内构造物的下端部的距离的差即下端部位置误差，通过将该下端部位置误差与从所述基准高度位置到熔融液面位置的距离相加，从而求出从所述熔融液面到所述基准高度位置的目标距离，使从所述熔融液面的初始位置到所述基准高度位置的距离成为所述目标距离，从而将所述间隔调整成规定距离。由此，即使未在炉内局部性地设置要求精度的位置、且更换构成炉内构造物的部件的情况下，也能够将熔液表面间隔调整成规定距离。
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公开(公告)号：CN106687625B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201580048867.7
申请日：2015-08-25
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: C30B15/22 , C30B15/20 , C30B15/203 , C30B29/06
Abstract: 本发明是一种单晶的制造方法，其特征在于，在将熔融液面上的炉内构造物设置于提拉室的状态下测量从位于所述熔融液面上的规定高度的基准高度位置到所述炉内构造物的下端部的距离，并求出该测量的距离与预先设定的从所述基准高度位置到所述炉内构造物的下端部的距离的差即下端部位置误差，通过将该下端部位置误差与从所述基准高度位置到熔融液面位置的距离相加，从而求出从所述熔融液面到所述基准高度位置的目标距离，使从所述熔融液面的初始位置到所述基准高度位置的距离成为所述目标距离，从而将所述间隔调整成规定距离。由此，即使未在炉内局部性地设置要求精度的位置、且更换构成炉内构造物的部件的情况下，也能够将熔液表面间隔调整成规定距离。
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公开(公告)号：CN105793475B
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201480065877.7
申请日：2014-11-12
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: C30B15/10 , C03C3/04 , C03C2201/30 , C03C2201/32 , C30B15/30 , C30B29/06 , C30B30/04
Abstract: 本发明提供一种利用CZ法的单晶制造方法，其预先求出在石英坩埚的制造中使用的石英原料粉中包含的Al/Li比、石英坩埚的使用时间、该使用时间内的失透比例、是否发生由失透部分引起的漏液的相关关系，基于该相关关系，以不会发生漏液的方式设定生长单晶时使用的石英坩埚的失透比例的范围，以落入该设定的比例的范围内的方式，根据在石英坩埚的制造中使用的石英原料粉中包含的Al/Li比来确定石英坩埚的最大使用时间，在该最大使用时间的范围内使用石英坩埚进行单晶的生长。由此，提供一种能够在防止发生漏液的同时高效地使用石英坩埚进行单晶的生长的制造方法。
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公开(公告)号：CN105793475A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201480065877.7
申请日：2014-11-12
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: C30B15/10 , C03C3/04 , C03C2201/30 , C03C2201/32 , C30B15/30 , C30B29/06 , C30B30/04
Abstract: 本发明提供一种利用CZ法的单晶制造方法，其预先求出在石英坩埚的制造中使用的石英原料粉中包含的Al/Li比、石英坩埚的使用时间、该使用时间内的失透比例、是否发生由失透部分引起的漏液的相关关系，基于该相关关系，以不会发生漏液的方式设定生长单晶时使用的石英坩埚的失透比例的范围，以落入该设定的比例的范围内的方式，根据在石英坩埚的制造中使用的石英原料粉中包含的Al/Li比来确定石英坩埚的最大使用时间，在该最大使用时间的范围内使用石英坩埚进行单晶的生长。由此，提供一种能够在防止发生漏液的同时高效地使用石英坩埚进行单晶的生长的制造方法。
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