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公开(公告)号：CN112593283A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011460099.5
申请日：2020-12-11
申请人： 中国科学院长春应用化学研究所
摘要： 本发明提供了一种用于微下拉法生长可弯曲柔性稀土单晶光纤的坩埚，所述坩埚的底部通过锥形孔与毛细管相连通；所述锥形孔的大孔位于所述坩埚底部，所述锥形孔的小孔与毛细管相连通；所述坩埚的底部为斜面；所述稀土单晶包括钆镓石榴石单晶或掺杂钆镓石榴石单晶。本发明设计的具有特殊结构的坩埚，靠近底端开孔的坩埚内壁和毛细孔采用锥形管连接设计，保障熔体流动性，实现了可弯曲单晶光纤的可控生长。本发明还提供了微下拉法中稀土单晶光纤生长速率的计算方法，利用该坩埚配套温度场结构结合理论计算，实现了可弯曲单晶光纤的微下拉法生长，最终得到了高品质的柔性单晶光纤。
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公开(公告)号：CN108447698B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201810200346.4
申请日：2018-03-12
申请人： 中国科学院长春应用化学研究所
摘要： 本发明提供了一种电极，包括导电基体和复合在所述导电基体上的具有氧化还原能力的金属盐；所述电极包括正极和/或负极。本发明提出了一种新型的电极材料，采用具有氧化还原能力的金属盐和导电基体结合，形成电极材料，该电极材料在应用过程中，能够使储电器件同时具有高能量密度和高功率密度；同时具有再生功能，经多次使用达到寿命或性能衰减后，可再次充入电解液再生。此外，还具有即用即制功能，本发明明显简化电极制备工艺，减少制造成本，不需要任何材料的合成步骤。
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公开(公告)号：CN109326333A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201810966520.6
申请日：2018-08-23
申请人： 中国科学院长春应用化学研究所
摘要： 本发明提供了微下拉法中稀土晶体光纤生长速率的计算方法，包括以下步骤，首先依据结晶生长的化学键合理论，确定稀土晶体的热力学生长形态；然后基于上述步骤得到的稀土晶体的热力学生长形态，确定与轴向生长方向相对应的径向生长方向，及生长界面处的各向异性化学键合结构；再基于上述步骤得到的生长界面处的各向异性化学键合结构，参照式(I)，计算稀土晶体沿轴向的各向化学键合能量密度和沿径向的各向化学键合能量密度；最后基于上述步骤得到的稀土晶体沿轴向和径向的各向化学键合能量密度，计算得到稀土晶体光纤的生长速率，如式(II)所示。
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公开(公告)号：CN109402736A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201810966173.7
申请日：2018-08-23
申请人： 中国科学院长春应用化学研究所
摘要： 本发明提供了微下拉法中稀土晶体光纤生长速率的计算方法，包括以下步骤，首先依据结晶生长的化学键合理论，确定稀土晶体的热力学生长形态；然后基于上述步骤得到的稀土晶体的热力学生长形态，确定与轴向生长方向相对应的径向生长方向，及生长界面处的各向异性化学键合结构；再基于上述步骤得到的生长界面处的各向异性化学键合结构，参照式(I)，计算稀土晶体沿轴向的各向化学键合能量密度和沿径向的各向化学键合能量密度；最后基于上述步骤得到的稀土晶体沿轴向和径向的各向化学键合能量密度，计算得到稀土晶体光纤的生长速率，如式(II)所示。
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公开(公告)号：CN105714374B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201610115971.X
申请日：2016-03-01
申请人： 中国科学院长春应用化学研究所
摘要： 本发明提供了低成本稀土闪烁晶体的生长工艺，包括以下步骤，首先将RE2O3、二氧化硅、铈的氧化物和镥的氧化物作为原料进行混合后，得到混合原料；所述RE包括Gd、La和Y中的一种或多种；然后在真空或保护性气氛下，将上述步骤得到的混合原料经过烧结后，得到多晶料块；最后在真空或保护性气氛下，将多晶料块熔化后，在具有特定生长方向的籽晶的引导下，采用提拉法进行晶体生长后，得到稀土闪烁晶体。本发明从晶体生长理论出发，结合稀土闪烁晶体生长过程中的界面处的键合结构，确定优势生长方向，采用相应的具有特定生长方向的籽晶，从而缩短了生长过程时间，降低了生长成本。
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公开(公告)号：CN106757317A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611059073.3
申请日：2016-11-25
申请人： 中国科学院长春应用化学研究所
摘要： 本发明提供了一种稀土晶体生长设备，该稀土生长设备包括：晶体生长炉；所述晶体生长炉的内部设置有加热元件；所述晶体生长炉的炉膛顶端设置有观测视窗；所述晶体生长炉的炉膛顶端的外部、所述观测视窗的上部设置有非接触式红外测温装置。与现有技术相比，本发明在晶体生长炉的顶端的观测视窗上部设置非接触式红外测温装置，实现熔体/固体界面处轴向和径向温度测算，根据测得的温度梯度设计稀土晶体生长所需的温场结构，利用结晶生长的化学键合理论，令提拉生长系统热力学和动力学控制满足最优匹配，缩短稀土晶体生长时长，提高晶体生长的能效比，提高晶体成品率。
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公开(公告)号：CN112695378A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011463582.9
申请日：2020-12-11
申请人： 中国科学院长春应用化学研究所
摘要： 本发明提供了一种用于微下拉法生长可弯曲柔性稀土单晶光纤的坩埚，所述坩埚的底部通过锥形孔与毛细管相连通；所述锥形孔的大孔位于所述坩埚底部，所述锥形孔的小孔与毛细管相连通；所述坩埚的底部为平面；所述锥形孔的锥形斜边与所述坩埚底部连接处设置有圆形倒角；所述稀土单晶包括钇铁石榴石单晶或掺杂钇铁石榴石单晶。本发明设计的具有特殊结构的坩埚，靠近底端开孔的坩埚内壁和毛细孔采用锥形管连接设计，保障熔体流动性，实现了可弯曲单晶光纤的可控生长。本发明还提供了微下拉法中稀土单晶光纤生长速率的计算方法，利用该坩埚配套温度场结构结合理论计算，实现了可弯曲单晶光纤的微下拉法生长，最终得到了高品质的柔性单晶光纤。
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公开(公告)号：CN112626611A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011463746.8
申请日：2020-12-11
申请人： 中国科学院长春应用化学研究所
摘要： 本发明提供了一种用于微下拉法生长可弯曲柔性稀土单晶光纤的坩埚，所述坩埚的底部通过锥形孔与毛细管相连通；所述锥形孔的大孔位于所述坩埚底部，所述锥形孔的小孔与毛细管相连通；所述坩埚的底部为平面；所述稀土单晶包括钇铝石榴石单晶或掺杂钇铝石榴石单晶。本发明设计的具有特殊结构的坩埚，靠近底端开孔的坩埚内壁和毛细孔采用锥形管连接设计，保障熔体流动性，实现了可弯曲单晶光纤的可控生长。本发明还提供了微下拉法中稀土单晶光纤生长速率的计算方法，建立微下拉生长模型，利用特殊结构的坩埚配套温度场结构结合理论计算，实现了可弯曲单晶光纤的微下拉法生长，最终得到了高品质的柔性单晶光纤。
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公开(公告)号：CN108447698A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810200346.4
申请日：2018-03-12
申请人： 中国科学院长春应用化学研究所
摘要： 本发明提供了一种电极，包括导电基体和复合在所述导电基体上的具有氧化还原能力的金属盐；所述电极包括正极和/或负极。本发明提出了一种新型的电极材料，采用具有氧化还原能力的金属盐和导电基体结合，形成电极材料，该电极材料在应用过程中，能够使储电器件同时具有高能量密度和高功率密度；同时具有再生功能，经多次使用达到寿命或性能衰减后，可再次充入电解液再生。此外，还具有即用即制功能，本发明明显简化电极制备工艺，减少制造成本，不需要任何材料的合成步骤。
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公开(公告)号：CN107488874A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201710786661.5
申请日：2017-09-04
申请人： 中国科学院长春应用化学研究所
摘要： 本发明提供了一种用于稀土晶体生长工艺的温度场结构的设计方法，包括以下步骤，首先推算稀土晶体生长过程中，晶体生长空间内的温度梯度值；所述温度梯度值包括轴向温度梯度和径向温度梯度；然后根据上述步骤得到的温度梯度值、保温材料的热导率以及保温材料的外形结构，经计算后，得到用于稀土晶体生长工艺的温度场结构。本发明从稀土晶体的生长机理入手，提出了用于稀土晶体生长工艺的温度场结构的设计方法，利用晶体生长过程中的传热方程计算理论温度梯度，结合实际生长中的温度梯度，设计并固定不同的温度场结构，解决了稀土晶体生长技术设计周期长、生长参数需要反复优化等问题，尤其是大尺寸稀土晶体在上述方面存在的问题。
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