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公开(公告)号：CN109112633B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201811088723.6
申请日：2018-09-18
申请人： 安徽晶宸科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种高效中红外激光晶体Er,Pr:YSAG及其制备和实现中红外激光输出的方法，本研究采用氧化铝为合成原料克服了含Ga类晶体生长过程中出现的Ga2O3易挥发，从而导致晶体生长过程中容易出现的组分不均问题，从而提出了生长大尺寸高均匀钇钪铝石榴石晶体的方法，以Er3+作为激活离子，通过在晶体中掺杂Pr3+离子，从而有效抽空Er3+离子的2.6‑3.0μm激光下能级4I13/2的粒子数，降低该能级的荧光寿命，减少激光阈值、提高激光输出效率和功率。本发明采用半导体激光器对晶体进行泵浦从而实现2.6‑3.0μm波段的双波长激光输出，在激光医疗、科学研究及军事等领域有着重要的应用前景。目前，采用InGaAs LD激光器为泵浦源，泵浦Er,Pr:YSAG晶体实现了波长位于2.694和2.825μm的双波长中红外激光输出。
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公开(公告)号：CN108560053A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810370782.6
申请日：2018-04-24
申请人： 安徽晶宸科技有限公司
摘要： 本发明公开一种镧、镝、铈共掺的硅酸钇镥闪烁材料及其晶体生长方法，该闪烁晶体化学式：La2pDy2qCe2m(Lu1-nYn)2(1-p-q-m)SiO5,其中0＜p≤0.02，0＜q≤0.02，0＜m≤0.03,0.01≤n≤0.1，且p、q、m满足0＜p+q+m≤0.05；其生长方法：S1：高温固相合成多晶料块；S2：压制并在保护气体气氛下熔融多晶；S3：等径生长，并采用PID算法自动降温、退火。本发明通过在Ce:LYSO中掺杂Dy、La，增加晶体生长的空位，避免晶体氧化过度，保证晶体闪烁性能，扩大晶体发光光谱，采用冷等静压技术提高Lu、Y离子的格位代替率，利用PID算法实现自动控温生长，确保批量生长晶体的一致性。
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公开(公告)号：CN108456927A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810370909.4
申请日：2018-04-24
申请人： 安徽晶宸科技有限公司
摘要： 本发明公开一种大尺寸LiTaO3晶体的全自动控制晶体生长方法，包括以下步骤：S1：制备原料；S2：搭建温场；S3：充保护气体；S4：控制晶体生长及降温过程：按照6～30rpm的转速旋转钽酸锂籽晶，当晶体直径d生长至D的40％时，在旋转晶体的同时，以0.2～4mm/h的拉速向上提拉，当晶体直径生长至90％时，利用PID算法自动调控温场系统的加热功率，在60～120h内降至室温；S5：多线定向切割。本发明采用两步法完成等径生长，在放肩阶段前段，仅进行晶体横向生长，并通过PID算法主动完成降温过程，使晶体成品率≥90％，确保批量生长晶体的均匀性，具有晶体生长速度可控、生长尺寸大、重复性好的优点，适合大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN108385160A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810199856.4
申请日：2018-03-12
申请人： 安徽晶宸科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种调节感应加热提拉法晶体生长温场梯度的装置及其方法，一种调节感应加热提拉法晶体生长温场梯度的装置包括炉膛、氧化锆底座、氧化锆保温桶、盖板、金属环、坩埚和感应加热线圈，所述氧化锆底座安装在炉膛内，所述氧化锆保温桶安装在氧化锆底座上，氧化锆保温桶内设有固定槽，所述金属环安装在固定槽内，所述坩埚安装在氧化锆底座上其并与氧化锆保温桶接触。本发明通过在坩埚上方加入一个感应加热金属环，产生附加热场，从而调节提拉法晶体生长时的温场，可有效克服晶体生长中的孪晶、开裂等问题。
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公开(公告)号：CN111704154B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202010693275.3
申请日：2020-07-17
申请人： 安徽晶宸科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种稀土石榴石闪烁晶体及其生产方法，该稀土石榴石闪烁晶体具有以下化学式组成：A3Sc2B3O12；其中，A为Y、Cd、Lu等稀土元素中的一种，B为Al、Ga或In中的一种，该稀土石榴石闪烁晶体中A的有效分凝系数为0.3‑0.32，Sc的有效分凝系数为0.33，B的有效分凝系数为0.36‑0.4。本发明中所得分子式为A3Sc2B3O12的稀土石榴石闪烁晶体具有密度大、有效原子系数高、熔点高、热传导率高、硬度高、热膨胀系数低、透明度高、化学稳定性好、机械强度高等优良特性。
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公开(公告)号：CN111704154A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010693275.3
申请日：2020-07-17
申请人： 安徽晶宸科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种稀土石榴石闪烁晶体及其生产方法，该稀土石榴石闪烁晶体具有以下化学式组成：A3Sc2B3O12；其中，A为Y、Cd、Lu等稀土元素中的一种，B为Al、Ga或In中的一种，该稀土石榴石闪烁晶体中A的有效分凝系数为0.3-0.32，Sc的有效分凝系数为0.33，B的有效分凝系数为0.36-0.4。本发明中所得分子式为A3Sc2B3O12的稀土石榴石闪烁晶体具有密度大、有效原子系数高、熔点高、热传导率高、硬度高、热膨胀系数低、透明度高、化学稳定性好、机械强度高等优良特性。
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公开(公告)号：CN108560053B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201810370782.6
申请日：2018-04-24
申请人： 安徽晶宸科技有限公司
摘要： 本发明公开一种镧、镝、铈共掺的硅酸钇镥闪烁材料及其晶体生长方法，该闪烁晶体化学式：La2pDy2qCe2m(Lu1‑nYn)2(1‑p‑q‑m)SiO5,其中0＜p≤0.02，0＜q≤0.02，0＜m≤0.03,0.01≤n≤0.1，且p、q、m满足0＜p+q+m≤0.05；其生长方法：S1：高温固相合成多晶料块；S2：压制并在保护气体气氛下熔融多晶；S3：等径生长，并采用PID算法自动降温、退火。本发明通过在Ce:LYSO中掺杂Dy、La，增加晶体生长的空位，避免晶体氧化过度，保证晶体闪烁性能，扩大晶体发光光谱，采用冷等静压技术提高Lu、Y离子的格位代替率，利用PID算法实现自动控温生长，确保批量生长晶体的一致性。
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公开(公告)号：CN114879387A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210487703.6
申请日：2022-05-06
申请人： 安徽晶宸科技有限公司
摘要： 本发明提供一种铌酸锂强度调制器及光收发模块，包括基底、波导和行波电极，所述波导和行波电极均形成于基底上，所述基底上设置有一个行波电极，所述行波电极沿波导轴向排列，所述行波电极的中部具有向内凹陷的槽，从而使中部形成连接部，所述连接部的直径小于除其之外部分的行波电极直径，所述基底上设置有两个波导，两个波导相对的端部留有间隔，且分别靠近槽的端部，处于所述槽两侧的行波电极对分别能对波导上光信号进行相对的单向调制。本发明，在实现双向调制的基础上，铌酸锂强度调制器的器件体积小，外围电路的整合度高，能更加进一步地有利于空间节约。
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公开(公告)号：CN110284193B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201910687762.6
申请日：2019-07-29
申请人： 安徽晶宸科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种TGG晶体生长方法，包括如下步骤：对Tb4O7以及Ga2O3原料进行加热处理；对加热处理后的Tb4O7以及Ga2O3原料进行球磨处理；对球磨处理之后的Tb4O7以及Ga2O3原料进行过筛后放入坩埚，并将盛有原料的坩埚放入晶体生长炉；对坩埚进行加热；在Tb4O7以及Ga2O3原料熔化之后，调整熔融料温度至高于TGG晶体熔化温度5‑10℃；调整籽晶杆以使得籽晶杆顶端的籽晶与熔融料液面接触，在籽晶与熔融料液面接触时，籽晶杆保持第一转速；调整籽晶杆以使得籽晶杆顶端的籽晶沉入熔融料液面之下，在籽晶沉入熔融料液面之下的过程中，籽晶杆保持第二转速；调整籽晶杆转速以使得籽晶杆保持第三转速以便进行引晶；及当晶种直径扩张至10‑15mm之后，提拉籽晶杆，并调整籽晶杆转速至第四转速。
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