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公开(公告)号：CN111742388B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN201980013322.0
申请日：2019-01-22
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 常胜武 , 法兰克·辛克莱 , 亚历山大·利坎斯奇 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 罗伯特·C·林德柏格
IPC: H01J37/147 , H01J37/317
Abstract: 本文提供减少离子植入机中粒子的方法，具体而言，提供一种能量纯度模块、离子植入系统及减少其中粒子的方法。静电过滤器可包括壳体及位于壳体内的多个导电束光学器件。导电束光学器件围绕朝晶片引导的离子束线排列，且可包括靠近壳体的入口孔的入口孔电极。导电束光学器件还可包括沿着离子束线位于入口孔电极的下游的高能电极以及位于高能电极的下游的接地电极。高能电极被定位成比入口电极及接地电极更远离离子束线，从而使得高能电极在物理上被阻挡以免受从晶片返回的背溅射材料的包络撞击。静电过滤器还可包括用于独立地向导电束光学器件中的每一者递送电压及电流的电气系统。
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公开(公告)号：CN108040498B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201680027886.6
申请日：2016-05-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本文提供源壳体组件、离子撷取系统及改善离子撷取系统的方法。源壳体组件可包括源壳体，所述源壳体环绕包括弧室的离子源，所述源壳体具有安装于其近端处的撷取孔板。所述源壳体组件还包括真空衬垫，所述真空衬垫安置于所述源壳体的内部内以在一组真空抽吸孔周围形成屏障。在构成后，所述源壳体组件中的除撷取孔板中的开口以外的开口被撷取孔板及真空衬垫封闭，进而确保在弧室外形成的附属弧或无关离子保持于源壳体内。只有在弧室内形成的那些离子经由撷取孔板的开口而离开源壳体。
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公开(公告)号：CN106663582A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580044598.7
申请日：2015-08-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/05 , H01J37/30 , H01J37/317 , H05H5/06
CPC classification number: H01J37/3007 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/0473 , H01J2237/0815 , H05H5/063
Abstract: 本发明揭示一种具有改进的性能的串列式加速器和离子植入机。所述串列式加速器包含多个输入电极、多个输出电极和安置在其间的高电压端子。高电压端子包含去除管。中性分子注射到去除管中，这从传入的负离子束移除电子。所得正离子朝向所述多个输出电极加速。为减小退出去除管的非所要正离子的量，偏置电极安置在去除管的入口和出口处。偏置电极以大于施加到端子的第一电压的第二电压偏置。偏置电极排斥缓慢移动的正离子，从而防止其退出去除管和污染工件。
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公开(公告)号：CN111492455A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201880080151.9
申请日：2018-12-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J27/02 , H01J37/08 , H01J37/305
Abstract: 一种装置可包括电极总成，所述电极总成包括被排列成多个电极对的多个电极，所述多个电极对被排列成通过其传导离子束。给定电极对沿描述标称中央射线轨迹的圆弧的半径放置，其中第一电极对以及相邻电极对的半径界定角距。所述多个电极对可界定多个角距，其中在第一配置中，所述多个角距并非全部相等。所述装置还可包括与EM连通的电源供应器，所述电源供应器被配置成向所述多个电极独立地供应电压。
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公开(公告)号：CN106663582B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201580044598.7
申请日：2015-08-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/05 , H01J37/30 , H01J37/317 , H05H5/06
CPC classification number: H01J37/3007 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/0473 , H01J2237/0815 , H05H5/063
Abstract: 本发明揭示一种具有改进的性能的串列式加速器和离子植入机。所述串列式加速器包含多个输入电极、多个输出电极和安置在其间的高电压端子。高电压端子包含去除管。中性分子注射到去除管中，这从传入的负离子束移除电子。所得正离子朝向所述多个输出电极加速。为减小退出去除管的非所要正离子的量，偏置电极安置在去除管的入口和出口处。偏置电极以大于施加到端子的第一电压的第二电压偏置。偏置电极排斥缓慢移动的正离子，从而防止其退出去除管和污染工件。
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公开(公告)号：CN103119688A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201180045304.4
申请日：2011-09-14
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/10 , H01J37/147 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/21 , H01J2237/216 , H01J2237/24405 , H01J2237/24528 , H01J2237/24542
Abstract: 一种束线式离子植入机，包括：离子源，其被配置为用以产生离子束；扫描器，其被配置为用以对离子束进行扫描，从而产生具有从扫描起点向外发散的轨迹的被扫描离子束；以及聚焦元件，其具有聚焦场，位于扫描器的上游，被配置为用以使离子束聚焦于位于扫描起点处的焦点。一种离子束调整方法包括：产生离子束；使离子束聚焦于位于扫描起点处的焦点；以及对离子束进行扫描，以产生具有从扫描起点向外发散的轨迹的被扫描离子束。
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公开(公告)号：CN111108580B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN201880055977.X
申请日：2018-08-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317
Abstract: 一种用于离子植入的装置、系统及方法，所述用于离子植入的装置可包括：电极系统，所述电极系统包括多个电极以将离子束从进入开孔导向到出射开孔；以及电压电源，用以对所述电极系统施加多个电压。所述电极系统可包括出射电极总成，其中所述出射电极总成包括第一出射电极及第二出射电极，所述第二出射电极通过电极间隙与所述第一出射电极分隔开。所述第一出射电极及所述第二出射电极能够相对于彼此移动，以在间隙范围内改变所述电极间隙的大小。
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公开(公告)号：CN111108580A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201880055977.X
申请日：2018-08-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317
Abstract: 一种装置可包括：电极系统，所述电极系统包括多个电极以将离子束从进入开孔导向到出射开孔；以及电压电源，用以对所述电极系统施加多个电压。所述电极系统可包括出射电极总成，其中所述出射电极总成包括第一出射电极及第二出射电极，所述第二出射电极通过电极间隙与所述第一出射电极分隔开。所述第一出射电极及所述第二出射电极能够相对于彼此移动，以在间隙范围内改变所述电极间隙的大小。
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公开(公告)号：CN108140527A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680057536.4
申请日：2016-10-03
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J27/02 , H01J37/30
Abstract: 本文中提供用于控制加速器/减速器内的离子束的方法。在示例性方面中，一种离子植入系统包括：离子源，用于产生离子束；以及终端抑制电极，耦合至终端，其中所述终端抑制电极用以经由所述终端抑制电极的孔传导所述离子束，并从第一电压源对所述离子束施加第一电位。所述系统还包括透镜，所述透镜耦合至所述终端并邻近所述终端抑制电极安置，其中所述透镜用以经由所述透镜的孔传导所述离子束并从第二电压源对所述离子束施加第二电位。在示例性方面中，所述透镜与所述终端抑制电极电绝缘并独立地受到驱动，因此能够实现增大的离子束电流操作范围。
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公开(公告)号：CN108040498A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201680027886.6
申请日：2016-05-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本文提供用于改善离子撷取系统的离子束撷取稳定度及离子束流的方式。在一种方式中，一种源壳体组件可包括源壳体，所述源壳体环绕包括弧室的离子源，所述源壳体具有安装于其近端处的撷取孔板。所述源壳体组件还包括真空衬垫，所述真空衬垫安置于所述源壳体的内部内以在一组真空抽吸孔周围形成屏障。在构成后，所述源壳体组件中的除撷取孔板中的开口以外的开口被撷取孔板及真空衬垫封闭，进而确保在弧室外形成的附属弧或无关离子保持于源壳体内。只有在弧室内形成的那些离子经由撷取孔板的开口而离开源壳体。
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