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公开(公告)号：CN102696091B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201080055374.3
申请日：2010-11-12
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 法兰克·辛克莱 , 维克多·M·本夫尼斯特 , 史费特那·瑞都凡诺 , 詹姆士·S·贝福
IPC分类号： H01J37/153 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/153 , H01J2237/1532
摘要： 一种用于操控具有主轴的离子束(104)的系统，其包含具有第一线圈以及第二线圈的上部部件，所述线圈大体配置于所述上部部件的不同区域中且经组态以独立于彼此而分别传导第一电流(808或810)以及第二电流(808或810)。下部部件包含第三线圈以及第四线圈，所述线圈大体配置成与各别第一线圈以及第二线圈相对且经组态以独立于彼此而分别传导第三电流(812或814)以及第四电流(814或812，分别地)。透镜间隙(306)界定于所述上部部件与所述下部部件之间，且经组态以传输所述离子束，其中所述第一电流至所述第四电流产生45度四极场，所述四极场围绕所述离子束的主轴在所述离子束上施加旋转力(F5,F6)。
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公开(公告)号：CN102428762B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201080020257.3
申请日：2010-04-02
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H05H1/24 , H05H1/34 , H01L21/265 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC分类号： H01J37/32623 , C23C14/48
摘要： 一种等离子体处理装置，其包含处理腔室；压板，其定位于处理腔室中，用于支撑工件；源，其经组态以在所述处理腔室中产生等离子体，等离子体具有邻近工件的前表面的等离子体鞘；以及绝缘修改器。绝缘修改器具有间隙以及间隙平面，其中间隙平面由绝缘修改器的最靠近鞘且接近间隙的部分界定。将间隙角度界定为间隙平面与由工件的前表面所界定的平面之间的角度。另外，揭示一种使离子撞击工件的方法，其中撞击工件的离子的入射角范围包含中心角以及角分布，且其中绝缘修改器的使用形成不垂直于工件的中心角。
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公开(公告)号：CN103650098A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280032889.0
申请日：2012-07-12
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 维克多·M·本夫尼斯特 , 史费特那·瑞都凡诺 , 科斯特尔·拜洛
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32807 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32119 , H01J37/32651 , H01J37/32669 , H01J37/32688 , H01J2237/332 , H01J2237/334 , H01L21/3065
摘要： 本揭示是一种提供磁局限以减少等离子体流失和法拉第屏蔽以抑止寄生电容成份的感应耦合射频等离子体源。感应耦合射频等离子体系统包括一射频电源、一等离子体室、一永久磁铁数组以及一天线数组。等离子体室包括多面墙以及具有一内表面和一外表面的介电窗，其中内表面形成等离子体室的一墙。平行的导电永久磁铁的数组电性相互连接，并内嵌于接近内表面的介电窗墙且在一端耦接至接地面。永久磁铁数组组件于等离子体室内交替地朝向等离子体和远离等离子体被磁化，以形成一多尖点磁场。天线数组包括射频电流可通过且相互平行的长导管。天线数组与永久磁铁数组系相互垂直排列。
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公开(公告)号：CN102696091A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201080055374.3
申请日：2010-11-12
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 法兰克·辛克莱 , 维克多·M·本夫尼斯特 , 史费特那·瑞都凡诺 , 詹姆士·S·贝福
IPC分类号： H01J37/153 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/153 , H01J2237/1532
摘要： 一种用于操控具有主轴(7)的离子束(104)的系统，其包含具有第一线圈以及第二线圈的上部部件，所述线圈大体配置于所述上部部件的不同区域中且经组态以独立于彼此而分别传导第一电流(808或810)以及第二电流(808或810)。下部部件包含第三线圈以及第四线圈，所述线圈大体配置成与各别第一线圈以及第二线圈相对且经组态以独立于彼此而分别传导第三电流(812或814)以及第四电流(814或812，分别地)。透镜间隙(306)界定于所述上部部件与所述下部部件之间，且经组态以传输所述离子束，其中所述第一电流至所述第四电流产生45度四极场，所述四极场围绕所述离子束的主轴在所述离子束上施加旋转力(F5，F6)。
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公开(公告)号：CN102334180A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200980157578.5
申请日：2009-10-26
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 彼德·L·凯勒曼 , 史费特那·瑞都凡诺 , 法兰克·辛克莱 , 维克多·M·本夫尼斯特
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01J37/1471 , H01J37/12 , H01J37/3171
摘要： 一种独立控制离子束的偏移、减速与聚焦的技术。在一特定的例示性实施例中，所述技术可实现为一独立控制离子束的偏移、减速与聚焦的装置。此装置可包括一电极结构，此电极结构包括位于离子束上方的一组上电极与位于离子束下方的一组下电极。此组上电极与此组下电极是以对称于离子束的中央射线轨迹而定位。此组上电极与此组下电极之间的电位差亦可随着离子束的中央射线轨迹而改变，藉以反映中央射线轨迹上每一点的离子束能量，以独立地控制离子束偏移、减速与聚焦。
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公开(公告)号：CN111492455A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201880080151.9
申请日：2018-12-12
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H01J27/02 , H01J37/08 , H01J37/305
摘要： 一种装置可包括电极总成，所述电极总成包括被排列成多个电极对的多个电极，所述多个电极对被排列成通过其传导离子束。给定电极对沿描述标称中央射线轨迹的圆弧的半径放置，其中第一电极对以及相邻电极对的半径界定角距。所述多个电极对可界定多个角距，其中在第一配置中，所述多个角距并非全部相等。所述装置还可包括与EM连通的电源供应器，所述电源供应器被配置成向所述多个电极独立地供应电压。
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公开(公告)号：CN107078010B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201580059947.2
申请日：2015-08-28
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/317 , H01J37/32
摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置与系统以及控制离子束的方法，该装置包括：萃取板沿等离子体室的一侧配置，萃取板具有第一及第二孔洞，以及第一及第二孔洞之间的中间部分，第一及第二孔洞用以在等离子体存于等离子体室中且萃取电压施加于萃取板与基板之间时定义第一及第二离子束；隐藏偏向电极配置于等离子体室外邻近中间部分处，且电性绝缘于萃取板；以及隐藏偏向电极电源用以施加偏压至隐藏偏向电极，其中偏压用以修改第一及第二离子束中离子的入射平均角和/或围绕入射平均角的入射角范围。本发明的等离子体处理装置能对离子角分布作出更进一步的控制。
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公开(公告)号：CN107078010A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580059947.2
申请日：2015-08-28
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/317 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/08 , H01J27/024 , H01J37/3171 , H01J37/32357 , H01J2237/061 , H01J2237/30472
摘要： 一种处理装置可包括：萃取板沿等离子体室的一侧配置，萃取板具有第一及第二孔洞，以及第一及第二孔洞之间的中间部分，第一及第二孔洞用以在等离子体存于等离子体室中且萃取电压施加于萃取板与基板之间时定义第一及第二离子束；隐藏偏向电极配置于等离子体室外邻近中间部分处，且电性绝缘于萃取板；以及隐藏偏向电极电源用以施加偏压至隐藏偏向电极，其中偏压用以修改第一及第二离子束中离子的入射平均角和/或围绕入射平均角的入射角范围。
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公开(公告)号：CN102422395B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201080020279.X
申请日：2010-04-01
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/04 , H01J2237/036 , H01J2237/15
摘要： 离子植入系统包括一静电透镜。静电透镜包括一终端电极、一接地电极及配置于其间的一抑制电极。一离子束通过终端电极而进入静电透镜并通过接地电极而离开静电透镜。这些电极具有相关的静电等电位线。端板配置于抑制电极的顶部及底部及/或接地电极的顶部及底部。为了让离子束通过静电透镜时保持均匀度，各个端板具有对应于与特定电极相关的静电等电位线的一形状。
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公开(公告)号：CN103688334A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201180063161.X
申请日：2011-12-12
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 史费特那·瑞都凡诺 , 彼德·L·凯勒曼 , 法兰克·辛克莱 , 罗伯特·C·林德柏格
IPC分类号： H01J37/12 , H01J37/15 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/12 , H01J37/15 , H01J37/3171 , H01J2237/121 , H01J2237/151
摘要： 一种在静电透镜(700)中控制带电粒子束偏向的方法，包括建立对称静电透镜组态，所述组态包括在对称于中央射线轨迹(702)的未调整位置(L1)上配置多个电极(714,716)，所述多个电极被施加一组未调整电压，以产生相对对称于中央射线轨迹的场。对应于未调整电压的对称电场被计算。多个下部电极(716)被安排至不对称于中央射线轨迹的调整位置(L2)上。一组调整电压由下部电极得到。其中，所述的一组调整电压在对称电场的各自调整位置上具有一组各自相应的电位。当带电粒子通过时，此组调整电压被施加被于不对称的透镜组态。
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