一种晶圆高能离子注入机金属污染改善方法

    公开(公告)号:CN106373846A

    公开(公告)日:2017-02-01

    申请号:CN201611009755.3

    申请日:2016-11-16

    IPC分类号: H01J37/147 H01J37/317

    摘要: 本发明提出一种晶圆高能离子注入机金属污染改善方法,包括下列步骤:由离子源产生离子并经过与镁炉交换电子变为负离子;负离子通过加速后与气体交换电子重新变更为正离子;所述正离子通过加速后,通过能量筛选电磁场筛选出满足注入能量的束流;在所述能量筛选电磁场后增加对束流垂直方向偏转一定角度的电场来消除金属污染。本发明提出的晶圆高能离子注入机金属污染改善方法,通过在能量筛选电磁场后,增加一个对束流垂直偏转方向的电场,筛选出需要的能量源种束流,将不满足能量要求的金属等注入消除,从而降低金属污染。

    处理离子束的装置
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104823263B

    公开(公告)日:2017-05-24

    申请号:CN201380061200.1

    申请日:2013-10-22

    发明人: 常胜武

    摘要: 本发明提供一种处理离子束的装置,其为离子束扫描总成。离子束扫描总成(202,300)包括扫描电极组(314a,314b,316a,316b,318),扫描电极组界定一间隙(330)以接收离子束或在第一平面(xz‑平面)扫描离子束;以及静电多极透镜系统,包括多个电极(304,306,310,312),沿部分藉由一对扫描电极所界定的离子束前进路径排列。静电多极透镜系统配置为在垂直于第一平面的方向(y)上改变离子束的形状。本发明的处理离子束的装置能在离子植入系统中形成更均匀的离子束。