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公开(公告)号：CN105593401B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201480053311.2
申请日：2014-09-24
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J37/08 , H01J37/12 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01J2237/061 , H01J2237/083
Abstract: 本发明涉及一种离子植入机，其在一或多个暴露于离子的导电表面上具有低电阻率碳化硅镀膜。举例来说，离子在离子源室中产生并且壁的内表面镀有低电阻率碳化硅。由于碳化硅是硬性并且耐溅镀的，这可以减少引入到从离子源室提取的离子束中的污染物离子的量。在一些实施例中，提取电极也镀有碳化硅以减少由这些组件引入的污染物离子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104662637B
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201380049471.5
申请日：2013-06-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 奥利佛·V·那莫佛斯奇 , 沙杜·佩特尔 , 查理斯·A·泰欧多尔赤克
IPC: H01J37/12 , H01J37/317 , H01J37/147
CPC classification number: H01J37/1472 , H01J37/12 , H01J37/3171 , H01J49/062 , H01J2237/0216 , H01J2237/151 , H01Q9/04 , Y10T428/2918 , Y10T428/292
Abstract: 本发明提供一种复合式静电杆与静电透镜。所述复合式静电杆可包括具有长度L及截面积A的本体。所述本体可包括具有第一材料的外部部分以及具有不同于第一材料的第二材料的核心部分，且所述核心部分被所述外部部分包围，其中复合式静电杆的自然频率大于具有长度L及截面积A的石墨杆的自然频率。
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公开(公告)号：CN102301453A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201080005824.8
申请日：2010-02-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 詹姆士·S·贝福 , 史费特那·瑞都凡诺史费特那 , 具本雄 , 威尔汉·P·普拉托 , 法兰克·辛克莱 , 杰弗里·D·里斯查尔 , 奎格·R·钱尼 , 史蒂芬·C·鲍里雪柏史凯 , 捷葛泰普·玫尔 , 艾利克·R·科步 , 肯尼夫·H·普许尔 , 沙杜·佩特尔 , 维克多·M·本夫尼斯特
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J27/024 , H01J37/08 , H01J37/09 , H01J37/304 , H01J2237/0453 , H01J2237/0458 , H01J2237/083 , H01J2237/24542
Abstract: 揭示一种使用高透明电极改善撷取的离子束的品质的技术。在一特定的示例实施例中，技术可以实现为一种用于离子植入的装置。装置可包括用以产生离子束的离子源，离子源包括具有孔径的面板，且离子束行进通过所述孔径。装置亦可包括撷取电极组，撷取电极组包括至少一抑制电极与一高透明接地电极，其中撷取电极组可经由面板从离子源撷取离子束，以及其中高透明接地电极可经组态以最佳化抑制电极与高透明接地电极之间的气体传导，以改善撷取的离子束的品质。
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公开(公告)号：CN105593401A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201480053311.2
申请日：2014-09-24
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J37/08 , H01J37/12 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01J2237/061 , H01J2237/083
Abstract: 本发明涉及一种离子植入机，其在一或多个暴露于离子的导电表面上具有低电阻率碳化硅镀膜。举例来说，离子在离子源室中产生并且壁的内表面镀有低电阻率碳化硅。由于碳化硅是硬性并且耐溅镀的，这可以减少引入到从离子源室提取的离子束中的污染物离子的量。在一些实施例中，提取电极也镀有碳化硅以减少由这些组件引入的污染物离子。
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公开(公告)号：CN104662637A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201380049471.5
申请日：2013-06-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 奥利佛·V·那莫佛斯奇 , 沙杜·佩特尔 , 查理斯·A·泰欧多尔赤克
IPC: H01J37/12 , H01J37/317 , H01J37/147
CPC classification number: H01J37/1472 , H01J37/12 , H01J37/3171 , H01J49/062 , H01J2237/0216 , H01J2237/151 , H01Q9/04 , Y10T428/2918 , Y10T428/292
Abstract: 一种复合式静电杆(302a)可包括具有长度L及截面积A的本体。所述本体可包括具有第一材料的外部部分以及具有不同于第一材料的第二材料的核心部分，且所述核心部分被所述外部部分包围，其中复合式静电杆的自然频率大于具有长度L及截面积A的石墨杆的自然频率。
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公开(公告)号：CN102301453B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201080005824.8
申请日：2010-02-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 詹姆士·S·贝福 , 史费特那·瑞都凡诺史费特那 , 具本雄 , 威尔汉·P·普拉托 , 法兰克·辛克莱 , 杰弗里·D·里斯查尔 , 奎格·R·钱尼 , 史蒂芬·C·鲍里雪柏史凯 , 捷葛泰普·玫尔 , 艾利克·R·科步 , 肯尼夫·H·普许尔 , 沙杜·佩特尔 , 维克多·M·本夫尼斯特
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J27/024 , H01J37/08 , H01J37/09 , H01J37/304 , H01J2237/0453 , H01J2237/0458 , H01J2237/083 , H01J2237/24542
Abstract: 揭示一种使用高透明电极改善撷取的离子束的品质的技术。在一特定的示例实施例中，技术可以实现为一种用于离子植入的装置。装置可包括用以产生离子束的离子源，离子源包括具有孔径的面板，且离子束行进通过所述孔径。装置亦可包括撷取电极组，撷取电极组包括至少一抑制电极与一高透明接地电极，其中撷取电极组可经由面板从离子源撷取离子束，以及其中高透明接地电极可经组态以最佳化抑制电极与高透明接地电极之间的气体传导，以改善撷取的离子束的品质。
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