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公开(公告)号：CN112534562B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201980051802.6
申请日：2019-07-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开一种用于减少馈入气体在进入离子源腔室的气体管上的堵塞及沉积的系统，特别是公开一种用于向离子源递送馈入气体的系统。为降低气体管的整体温度，在离子源腔室与气体管之间设置由隔热材料制成的气体衬套。气体衬套由例如钛、石英、氮化硼、氧化锆或陶瓷等隔热材料制成。气体衬套具有与离子源腔室及气体管进行流体连通的内通道，以容许馈入气体流向离子源腔室。气体衬套可具有对称的形状，从而容许其被翻转以延长其使用寿命。在一些实施例中，气体管可与散热器连通以保持气体管的温度。
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公开(公告)号：CN109417005B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201780038355.1
申请日：2017-05-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明公开一种具有若干新颖特征以防止蒸汽冷凝及喷嘴堵塞的汽化器。所述汽化器被设计成使得当蒸汽从坩埚流到电弧室时，温度沿着蒸汽所行进的路径而升高。所述汽化器使用将坩埚安装在外壳体内的嵌套架构。离开所述坩埚的蒸汽穿过开孔逸出，并沿着坩埚与外壳体之间的空间行进至喷嘴，蒸汽在所述喷嘴处流到电弧室。在某些实施例中，坩埚中的开孔设置在使坩埚中的液体无法到达开孔的位置处。
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公开(公告)号：CN106575593B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201580043549.1
申请日：2015-06-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明公开了一种用于控制离子源的温度的离子源温度控制装置。离子源包含多个壁，所述多个壁界定离子在其中生成的腔室。为了控制离子源的温度，一个或多个可移动挡热板安置到腔室外部。可移动挡热板由设计为将热量反射回到离子源的高温和/或耐火材料制成。在第一位置时，这些可移动挡热板经安置以将第一量的热量反射回到离子源。在第二位置时，这些可移动挡热板经安置以将较少的第二量的热量反射回到离子源。在一些实施例中，可移动挡热板可以安置在位于第一位置与第二位置之间的一个或多个中间位置中。
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公开(公告)号：CN104838199B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201380063598.2
申请日：2013-09-30
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 奎格·R·钱尼
IPC: F17C13/12
CPC classification number: F17C13/123 , C23C16/455 , C23C16/45561 , F17C13/12 , H05F3/00 , Y02E60/321 , Y02E60/34 , Y10T137/8376
Abstract: 本发明提供一种被动隔离组件与气体传输系统。被动隔离组件可用于将气体由低电位环境跨接传输至高电位环境。被动隔离组件可包含非导电轴向孔传输绝缘体。不规则形状的非导电隔离循迹绝缘体可直接接触并包围传输绝缘体。被动隔离组件可包含位于大地电位的导电性的前端封盖与位于高电位的导电性的后端封盖。导电性的前端封盖有开孔适于与来源气体传输管线耦接。导电性的后端封盖有开孔适于与目标气体传输管线耦接。本发明的被动隔离组件能够降低气体传输系统中的帕邢事件的效应。
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公开(公告)号：CN111902904A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201980021860.4
申请日：2019-02-21
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 奎格·R·钱尼 , 亚当·M·麦劳克林 , 詹姆士·A·萨金特 , 约书亚·M·阿比沙斯
IPC: H01J37/09 , H01J37/317
Abstract: 公开一种包括多个箔层的箔衬垫。所述箔层可各自为堆叠在彼此顶部的导电材料。相邻箔层之间的间隔可生成热梯度，使得等离子体的温度比离子源室的温度热。在其他实施例中，可组装箔层以吸收来自等离子体的热量，使得等离子体比离子源室的温度冷。在一些实施例中，在一个或多个箔层上设置间隙或突起以影响热梯度。在某些实施例中，一个或多个箔层可由绝缘材料构成以进一步影响热梯度。箔衬垫可易于在离子源室内组装、安装及更换。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111279451A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201880069665.4
申请日：2018-10-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/16 , H01J37/317
Abstract: 本发明公开一种利用通过密度的变化来控制热梯度及热能流的构件的系统。本发明还公开制作所述构件的方法。所述构件是使用加成制造来制造。这样一来，可视需要来定制构件的不同区的密度。举例来说，可在构件的区的内部中形成格构图案，以减小所使用的材料量。这减小重量并且还降低所述区的导热性。通过使用低密度区及高密度区，可控制热能流以适应设计约束。
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公开(公告)号：CN109417005A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780038355.1
申请日：2017-05-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明公开一种具有若干新颖特征以防止蒸汽冷凝及喷嘴堵塞的汽化器。所述汽化器被设计成使得当蒸汽从坩埚流到电弧室时，温度沿着蒸汽所行进的路径而升高。所述汽化器使用将坩埚安装在外壳体内的嵌套架构。离开所述坩埚的蒸汽穿过开孔逸出，并沿着坩埚与外壳体之间的空间行进至喷嘴，蒸汽在所述喷嘴处流到电弧室。在某些实施例中，坩埚中的开孔设置在使坩埚中的液体无法到达开孔的位置处。
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公开(公告)号：CN106575593A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580043549.1
申请日：2015-06-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J27/022 , H01J37/08 , H01J2237/061
Abstract: 本发明公开了一种用于控制离子源的温度的装置。离子源包含多个壁，所述多个壁界定离子在其中生成的腔室。为了控制离子源的温度，一个或多个挡热板安置到腔室外部。挡热板由设计为将热量反射回到离子源的高温和/或耐火材料制成。在第一位置时，这些挡热板经安置以将第一量的热量反射回到离子源。在第二位置时，这些挡热板经安置以将较少的第二量的热量反射回到离子源。在一些实施例中，挡热板可以安置在位于第一位置与第二位置之间的一个或多个中间位置中。
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公开(公告)号：CN102301453B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201080005824.8
申请日：2010-02-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 詹姆士·S·贝福 , 史费特那·瑞都凡诺史费特那 , 具本雄 , 威尔汉·P·普拉托 , 法兰克·辛克莱 , 杰弗里·D·里斯查尔 , 奎格·R·钱尼 , 史蒂芬·C·鲍里雪柏史凯 , 捷葛泰普·玫尔 , 艾利克·R·科步 , 肯尼夫·H·普许尔 , 沙杜·佩特尔 , 维克多·M·本夫尼斯特
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J27/024 , H01J37/08 , H01J37/09 , H01J37/304 , H01J2237/0453 , H01J2237/0458 , H01J2237/083 , H01J2237/24542
Abstract: 揭示一种使用高透明电极改善撷取的离子束的品质的技术。在一特定的示例实施例中，技术可以实现为一种用于离子植入的装置。装置可包括用以产生离子束的离子源，离子源包括具有孔径的面板，且离子束行进通过所述孔径。装置亦可包括撷取电极组，撷取电极组包括至少一抑制电极与一高透明接地电极，其中撷取电极组可经由面板从离子源撷取离子束，以及其中高透明接地电极可经组态以最佳化抑制电极与高透明接地电极之间的气体传导，以改善撷取的离子束的品质。
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公开(公告)号：CN103069537A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201180040721.X
申请日：2011-08-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 奎格·R·钱尼
IPC: H01J37/317 , H01J37/20 , H01J37/08 , H01J27/08
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/08 , H01J2237/024 , H01J2237/081 , H01J2237/0827
Abstract: 一种装置，包括电弧室外壳(2O3)及馈入系统(210)。电弧室外壳定义电弧室(204)。馈入系统经组态以馈入溅镀标靶(212)至电弧室。一种方法，包括馈入溅镀标靶至电弧室以及离子化溅镀标靶的一部分，其中电弧室藉由电弧室外壳定义。
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