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公开(公告)号：CN112534562A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201980051802.6
申请日：2019-07-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开一种用于减少馈入气体在进入离子源腔室的气体管上的堵塞及沉积的系统。为降低气体管的整体温度，在离子源腔室与气体管之间设置由隔热材料制成的气体衬套。气体衬套由例如钛、石英、氮化硼、氧化锆或陶瓷等隔热材料制成。气体衬套具有与离子源腔室及气体管进行流体连通的内通道，以容许馈入气体流向离子源腔室。气体衬套可具有对称的形状，从而容许其被翻转以延长其使用寿命。在一些实施例中，气体管可与散热器连通以保持气体管的温度。
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公开(公告)号：CN111699541A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201980012729.1
申请日：2019-01-10
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/16
Abstract: 本公开阐述一种用于判断半导体制造系统中的组件是否被授权在此系统中使用的方法及装置。通过在组件中嵌入识别特征，控制器可判断此组件是否有资格在系统中使用。在检测到未授权的组件时，系统可向用户报警、或者在某些实施例中，停止操作系统。这种识别特征利用增材制造工艺嵌入到组件中，所述增材制造工艺允许识别特征嵌入到组件中而不使识别特征经受极端温度。
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公开(公告)号：CN111902904A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201980021860.4
申请日：2019-02-21
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 奎格·R·钱尼 , 亚当·M·麦劳克林 , 詹姆士·A·萨金特 , 约书亚·M·阿比沙斯
IPC: H01J37/09 , H01J37/317
Abstract: 公开一种包括多个箔层的箔衬垫。所述箔层可各自为堆叠在彼此顶部的导电材料。相邻箔层之间的间隔可生成热梯度，使得等离子体的温度比离子源室的温度热。在其他实施例中，可组装箔层以吸收来自等离子体的热量，使得等离子体比离子源室的温度冷。在一些实施例中，在一个或多个箔层上设置间隙或突起以影响热梯度。在某些实施例中，一个或多个箔层可由绝缘材料构成以进一步影响热梯度。箔衬垫可易于在离子源室内组装、安装及更换。
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公开(公告)号：CN111279451A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201880069665.4
申请日：2018-10-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/16 , H01J37/317
Abstract: 本发明公开一种利用通过密度的变化来控制热梯度及热能流的构件的系统。本发明还公开制作所述构件的方法。所述构件是使用加成制造来制造。这样一来，可视需要来定制构件的不同区的密度。举例来说，可在构件的区的内部中形成格构图案，以减小所使用的材料量。这减小重量并且还降低所述区的导热性。通过使用低密度区及高密度区，可控制热能流以适应设计约束。
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公开(公告)号：CN112534562B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201980051802.6
申请日：2019-07-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开一种用于减少馈入气体在进入离子源腔室的气体管上的堵塞及沉积的系统，特别是公开一种用于向离子源递送馈入气体的系统。为降低气体管的整体温度，在离子源腔室与气体管之间设置由隔热材料制成的气体衬套。气体衬套由例如钛、石英、氮化硼、氧化锆或陶瓷等隔热材料制成。气体衬套具有与离子源腔室及气体管进行流体连通的内通道，以容许馈入气体流向离子源腔室。气体衬套可具有对称的形状，从而容许其被翻转以延长其使用寿命。在一些实施例中，气体管可与散热器连通以保持气体管的温度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111699541B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN201980012729.1
申请日：2019-01-10
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/16
Abstract: 本公开阐述一种用于判断半导体制造系统中的组件是否被授权在此系统中使用的方法及装置，更具体而言，公开一种离子植入系统。通过在组件中嵌入识别特征，控制器可判断此组件是否有资格在系统中使用。在检测到未授权的组件时，系统可向用户报警、或者在某些实施例中，停止操作系统。这种识别特征利用增材制造工艺嵌入到组件中，所述增材制造工艺允许识别特征嵌入到组件中而不使识别特征经受极端温度。
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公开(公告)号：CN111902904B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201980021860.4
申请日：2019-02-21
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 奎格·R·钱尼 , 亚当·M·麦劳克林 , 詹姆士·A·萨金特 , 约书亚·M·阿比沙斯
IPC: H01J37/09 , H01J37/317
Abstract: 公开一种包括多个箔层的箔衬垫及离子源。所述箔层可各自为堆叠在彼此顶部的导电材料。相邻箔层之间的间隔可生成热梯度，使得等离子体的温度比离子源室的温度热。在其他实施例中，可组装箔层以吸收来自等离子体的热量，使得等离子体比离子源室的温度冷。在一些实施例中，在一个或多个箔层上设置间隙或突起以影响热梯度。在某些实施例中，一个或多个箔层可由绝缘材料构成以进一步影响热梯度。箔衬垫可易于在离子源室内组装、安装及更换。
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公开(公告)号：CN111279451B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201880069665.4
申请日：2018-10-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/16 , H01J37/317
Abstract: 本发明公开一种利用通过密度的变化来控制热梯度及热能流的构件的系统，特别是公开一种离子植入系统、离子植入设备及抽取板。本发明还公开制作所述构件的方法。所述构件是使用加成制造来制造。这样一来，可视需要来定制构件的不同区的密度。举例来说，可在构件的区的内部中形成格构图案，以减小所使用的材料量。这减小重量并且还降低所述区的导热性。通过使用低密度区及高密度区，可控制热能流以适应设计约束。
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公开(公告)号：CN111448638B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201880079272.1
申请日：2018-10-24
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 艾力克斯恩德·S·培尔 , 大卫·P·斯波德莱 , 亚当·M·麦劳克林 , 奎格·R·钱尼 , 奈尔·J·巴森
Abstract: 公开一种可动态地调整面板温度的离子源及其设备。本发明公开一种用于使离子源的面板的温度变化的系统及方法。所述面板是通过多个紧固件而被抵靠离子源的腔室壁进行固持。这些紧固件可包括拉伸弹簧或压缩弹簧。通过改变拉伸弹簧或压缩弹簧在承受载荷时的长度，可增大弹簧的弹簧力。弹簧力的此种增大会增大面板与腔室壁之间的压缩力，从而形成改善的导热性。在某些实施例中，通过电子长度调整器来调节弹簧的长度。此电子长度调整器与控制器进行通信，所述控制器输出指示弹簧的所需长度的电信号。本发明公开用于调整弹簧的长度的各种机构。
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公开(公告)号：CN111448638A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201880079272.1
申请日：2018-10-24
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 艾力克斯恩德·S·培尔 , 大卫·P·斯波德莱 , 亚当·M·麦劳克林 , 奎格·R·钱尼 , 奈尔·J·巴森
Abstract: 本发明公开一种用于使离子源的面板的温度变化的系统及方法。所述面板是通过多个紧固件而被抵靠离子源的腔室壁进行固持。这些紧固件可包括拉伸弹簧或压缩弹簧。通过改变拉伸弹簧或压缩弹簧在承受载荷时的长度，可增大弹簧的弹簧力。弹簧力的此种增大会增大面板与腔室壁之间的压缩力，从而形成改善的导热性。在某些实施例中，通过电子长度调整器来调节弹簧的长度。此电子长度调整器与控制器进行通信，所述控制器输出指示弹簧的所需长度的电信号。本发明公开用于调整弹簧的长度的各种机构。
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