公开(公告)号：CN107530775B

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201680023030.1

申请日：2016-04-18

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 约书亚·M·阿比沙斯 ,  乔丹·B·泰伊

IPC: B22F3/105 ,  H01J37/317 ,  B33Y10/00 ,  B33Y80/00

Abstract: 本文提供使用增材制造工艺(例如，3‑D打印)形成内嵌于半导体制造装置(例如，离子植入机)的组件内的导管的方式，其中所述导管被配置成将流体递送经过整个组件以对其提供加热、冷却及气体分配。在一种方式中，导管包括形成于所述导管的内表面上的一组凸起表面特征，以改变导管内的流体流动特性。在另一方式中，导管可以螺旋构形形成。在另一方式中，导管形成有多边形横截面。在另一方式中，离子植入机的组件包括以下中的至少一者：离子源、淹没式等离子体枪、冷却板、台板和/或弧室基座。

公开(公告)号：CN111902904A

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201980021860.4

申请日：2019-02-21

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 奎格·R·钱尼 ,  亚当·M·麦劳克林 ,  詹姆士·A·萨金特 ,  约书亚·M·阿比沙斯

IPC: H01J37/09 ,  H01J37/317

Abstract: 公开一种包括多个箔层的箔衬垫。所述箔层可各自为堆叠在彼此顶部的导电材料。相邻箔层之间的间隔可生成热梯度，使得等离子体的温度比离子源室的温度热。在其他实施例中，可组装箔层以吸收来自等离子体的热量，使得等离子体比离子源室的温度冷。在一些实施例中，在一个或多个箔层上设置间隙或突起以影响热梯度。在某些实施例中，一个或多个箔层可由绝缘材料构成以进一步影响热梯度。箔衬垫可易于在离子源室内组装、安装及更换。

公开(公告)号：CN111902904B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN201980021860.4

申请日：2019-02-21

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 奎格·R·钱尼 ,  亚当·M·麦劳克林 ,  詹姆士·A·萨金特 ,  约书亚·M·阿比沙斯

IPC: H01J37/09 ,  H01J37/317

Abstract: 公开一种包括多个箔层的箔衬垫及离子源。所述箔层可各自为堆叠在彼此顶部的导电材料。相邻箔层之间的间隔可生成热梯度，使得等离子体的温度比离子源室的温度热。在其他实施例中，可组装箔层以吸收来自等离子体的热量，使得等离子体比离子源室的温度冷。在一些实施例中，在一个或多个箔层上设置间隙或突起以影响热梯度。在某些实施例中，一个或多个箔层可由绝缘材料构成以进一步影响热梯度。箔衬垫可易于在离子源室内组装、安装及更换。

公开(公告)号：CN107530775A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680023030.1

申请日：2016-04-18

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 约书亚·M·阿比沙斯 ,  乔丹·B·泰伊

IPC: B22F3/105 ,  H01J37/317 ,  B33Y10/00 ,  B33Y80/00

Abstract: 本文提供使用增材制造工艺(例如，3‑D打印)形成内嵌于半导体制造装置(例如，离子植入机)的组件内的导管的方式，其中所述导管被配置成将流体递送经过整个组件以对其提供加热、冷却及气体分配。在一种方式中，导管包括形成于所述导管的内表面上的一组凸起表面特征，以改变导管内的流体流动特性。在另一方式中，导管可以螺旋构形形成。在另一方式中，导管形成有多边形横截面。在另一方式中，离子植入机的组件包括以下中的至少一者：离子源、淹没式等离子体枪、冷却板、台板和/或弧室基座。