-
公开(公告)号：CN102598195B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201080041464.7
申请日：2010-09-20
申请人： FEI公司 , 美国商务部国家标准和科技研究所
CPC分类号： H01J37/04 , H01J37/08 , H01J37/3056 , H01J2237/0807 , H01J2237/083 , H01J2237/31749
摘要： 离子束系统使用诸如阻性管的单独加速电极来在保持扩展、亦即分布式离子源处的低电场的同时将离子加速，从而改善分辨率。可以使用磁光陷阱作为离子源。
-
公开(公告)号：CN104900470A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510006559.X
申请日：2015-01-07
申请人： 汉辰科技股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/08 , H01J37/3007 , H01J37/3171 , H01J37/32412 , H01J37/3266 , H01J2237/061 , H01J2237/083
摘要： 一种用于工件的材料改性的基于等离子体的材料改性系统可包括耦接至工艺腔的等离子体源腔。被配置成支撑工件的支撑结构可布置在工艺腔内。等离子体源腔可包第一多个磁体、第二多个磁体和第三多个磁体，第三多个磁体围绕等离子体源腔内的等离子体产生区域。等离子体源腔可被配置成在等离子体产生区域内产生具有离子的等离子体。第三多个磁体可被配置成限制等离子体产生区域内能量大于10eV的等离子体的大多数电子同时允许来自等离子体的离子穿过第三多个磁体而进入处理腔以用于工件的材料改性。
-
公开(公告)号：CN101512716B
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200780016534.1
申请日：2007-06-12
申请人： 山米奎普公司
发明人： 托马斯·N·霍尔斯基 , 罗伯特·W·米尔盖特 , 乔治·P·萨科 , 韦德·艾伦·克鲁尔
IPC分类号： H01J27/00
CPC分类号： H01J37/08 , C23C14/48 , C23C14/564 , H01J9/38 , H01J27/024 , H01J37/3171 , H01J2209/017 , H01J2237/006 , H01J2237/022 , H01J2237/0812 , H01J2237/083 , H01J2237/31701 , H01L21/265
摘要： 为离子束产生系统的提取电极提供热控制，所述热控制防止沉积物的形成及不稳定操作且使得能够与从可冷凝蒸气产生的离子及能够进行冷及热操作的离子源一起使用。采用对所述提取电极的电加热以提取十硼烷或十八硼烷离子。在与热离子源一起使用期间的有效冷却可防止电极损坏，从而允许所述提取电极为导热及耐氟的铝组合物。通过使用反应性卤素气体提供对所述离子源及提取电极的原位蚀刻清洗且通过具有可延长清洗之间的工作持续时间的特征来增强所述系统的工作寿命，其中包含准确的蒸气流量控制及对离子束光学装置的准确聚焦。出于清洗所述离子源及所述提取电极中的沉积物的目的，远程等离子体源将F或Cl离子递送到断电的离子源。这些技术在运行可冷凝的馈送气体(例如升华的蒸气)时实现较长的设备正常运行时间，且尤其适用于与所谓的冷离子源及通用离子源一起使用。本文描述了当使用十硼烷及十八硼烷作为进料时以及当使用气化的砷元素及磷元素时实现较长设备正常运行时间且有助于在离子植入期间增强离子束稳定性的方法及设备。
-
公开(公告)号：CN102203914A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200980143988.4
申请日：2009-11-12
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 维克多·M·本夫尼斯特 , 詹姆士·S·贝福 , 法兰克·辛克莱 , 约瑟·C·欧尔森
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01J37/05 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J49/30 , H01J2237/022 , H01J2237/055 , H01J2237/057 , H01J2237/083 , H01J2237/31705
摘要： 一种带状离子束质量分析器，具有第一螺线管线圈、第二螺线管线圈以及钢质磁轭配置。每个螺线管线圈具有大致的“轨道”组态，界定了一个可供带状离子束从中穿行的空间。这两个螺线管线圈沿着带状离子束的穿行方向而分开。每个螺线管线圈产生均匀的磁场，供较宽的带状离子束进行质量解析，以产生想要的离子图像，其中离子是由离子源产生的。
-
公开(公告)号：CN101901733A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010001016.6
申请日：2010-01-18
申请人： 汉辰科技股份有限公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/147
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/147 , H01J2237/083 , H01J2237/0835 , H01J2237/24542
摘要： 本发明是有关于一种离子布植机与调整离子束形状的方法，当离子束自分析磁铁单元输出之后，至少有一组棒状磁铁用来当离子束通过棒状磁铁周围的空间时调整离子束的形状。该组棒状磁铁可以施加多阶磁场于离子束。由于多阶磁场施加非均匀磁力以改变离子的轨迹，因此离子束的不同部分将有不同的变形或变化。此外，每一棒状磁铁仅由一电源提供电源，该组棒状磁铁仅可调整多阶磁场的强度。产生多阶磁场的结构与技术并不限于本发明所叙述者。本发明提出一种新颖的离子布植机与一种新的调整离子束的方法以有效并经济地调整离子束的形状而无须针对传统离子布植机的构造进行大幅或昂贵的修改，非常适于实用。
-
公开(公告)号：CN101560643A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910134888.7
申请日：2009-04-15
申请人： 佳能安内华股份有限公司
CPC分类号： C23C14/28 , C03C17/002 , C23C14/081 , H01J37/08 , H01J37/32009 , H01J37/3233 , H01J37/3266 , H01J2237/061 , H01J2237/083 , H01J2237/103 , H01J2237/15 , H01J2237/3146
摘要： 本发明涉及一种等离子体产生设备、沉积设备和沉积方法，其从等离子体枪(20)发射等离子体束(25)并且之后通过布置成将等离子体束(25)夹在中间的一对相对的第一磁体(27、29)而使发射的等离子体束(25)变形。该等离子体产生设备包括布置在等离子体枪(20)和第一磁体(27、29)之间的至少一个第二磁体(11)，第二磁体包括等离子体束(25)通过的孔(12)以及从孔沿着与等离子体束(25)垂直的方向向外延伸的磁体部分，并且形成具有从孔(12)到达外部或者从外部到达孔(12)的磁力线的磁场。至少一个第二磁体(11)使发射的等离子体束集中。
-
公开(公告)号：CN107112177A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201680005175.9
申请日：2016-01-06
申请人： 迈尔博尔格(德国)股份公司
IPC分类号： H01J27/02
CPC分类号： H01J37/08 , H01J27/024 , H01J2237/0653 , H01J2237/0656 , H01J2237/083
摘要： 本发明涉及一种用于从载流子生成空间提取载流子的设备，其具有至少一个用于提取载流子的电极装置，其中，所述至少一个电极装置至少具有一个第一栅电极和一个第二栅电极，它们具有相对应的开口。所述第一和第二栅电极分别包含至少一个导电的第一栅电极区域，其中，所述第一栅电极的所述至少一个第一栅电极区域构成在第一层中，而所述第二栅电极的所述至少一个第一栅电极区域构成在第二层中。第一层和第二层沿粒子出射方向依次设置在电极装置内部并且相互间通过第一间距沿着粒子出射方向间隔开，其中，所述第一栅电极的所述至少一个第一栅电极区域在所述第一层中形成导电的第一层部分。此外，在所述第一层中构成有导电的第二层部分，该第二层部分与第一层部分电绝缘。所述第二层部分通过所述第一栅电极或所述第二栅电极的至少一个导电的第二栅电极区域形成，并且所述第二层部分与所述第二栅电极的所述至少一个第一栅电极区域导电连接。根据本发明的用于提取载流子的设备因此是可电气切换的提取栅电极装置，借助所述设备能够改变由提取的载流子构成的粒子射束的射束特性。
-
公开(公告)号：CN102439683B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201080020420.6
申请日：2010-04-22
申请人： 瓦里安半导体设备公司
CPC分类号： H01J37/08 , H01J27/024 , H01J37/09 , H01J2237/0451 , H01J2237/0453 , H01J2237/0456 , H01J2237/065 , H01J2237/08 , H01J2237/083 , H01J2237/31 , H01J2237/31701 , Y10S438/961
摘要： 一种离子源，包括具有萃取孔隙的电弧室及等离子体鞘调制器。等离子体鞘调制器被装配以控制边界的形状，上述边界位于等离子体与接近萃取孔隙的等离子体鞘之间。等离子体鞘调制器可包括一对绝缘体，此对绝缘体安置于电弧室中且藉由安置于接近萃取孔隙的间隙来隔开。具有高电流密度的聚焦良好的离子束可藉由离子源产生。高电流密度离子束可改善相关制程的产出。离子束的发射率也可被控制。
-
公开(公告)号：CN102203914B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200980143988.4
申请日：2009-11-12
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 维克多·M·本夫尼斯特 , 詹姆士·S·贝福 , 法兰克·辛克莱 , 约瑟·C·欧尔森
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01J37/05 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J49/30 , H01J2237/022 , H01J2237/055 , H01J2237/057 , H01J2237/083 , H01J2237/31705
摘要： 一种带状离子束质量分析器，具有第一螺线管线圈、第二螺线管线圈以及钢质磁轭配置。每个螺线管线圈具有大致的“轨道”组态，界定了一个可供带状离子束从中穿行的空间。这两个螺线管线圈沿着带状离子束的穿行方向而分开。每个螺线管线圈产生均匀的磁场，供较宽的带状离子束进行质量解析，以产生想要的离子图像，其中离子是由离子源产生的。
-
公开(公告)号：CN102598195A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080041464.7
申请日：2010-09-20
申请人： FEI公司 , 美国商务部国家标准和科技研究所
CPC分类号： H01J37/04 , H01J37/08 , H01J37/3056 , H01J2237/0807 , H01J2237/083 , H01J2237/31749
摘要： 离子束系统使用诸如阻性管的单独加速电极来在保持扩展、亦即分布式离子源处的低电场的同时将离子加速，从而改善分辨率。可以使用磁光陷阱作为离子源。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
39 条记录 (耗时 0.019 秒)
