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公开(公告)号：CN109417004B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201880002606.5
申请日：2018-04-12
Applicant: 斯沃奇集团研究和开发有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于在被处理对象(30)的表面上注入多电荷离子的方法，该方法包括以下步骤：将由电子回旋共振ECR型多电荷离子源(1)产生的多电荷离子束(12)导向被处理对象(30)的表面，所述方法还包括以下步骤：产生至少一个一次电子束(28)并引导所述一次电子束(28)以使其穿过多电荷离子束(12)。本发明还涉及用于实现该注入方法的装置(14)。
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公开(公告)号：CN1638014B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200510000186.1
申请日：2005-01-06
Applicant: 应用材料有限公司
IPC: H01J37/317 , H01J27/00 , H01L21/265 , H01L21/425 , H01L21/66
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/304 , H01J2237/30455 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明涉及用于离子注入机的一种离子束监测装置，在所述离子注入机中，希望可以监测用于注入的离子束的通量和/或横截面图。通常希望的是，测量离子注入机内离子束的通量和/或横截面图，以提高对半导体晶片或者类似材料的离子注入的控制。本发明描述了改进晶片支座以获得这样的离子束断面图。衬底支座可用于逐渐堵截离子束使其不能进入下游通量监测器，或者可以将通量检测器安装到晶片支座上，该通量监测器具有窄入口孔。
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公开(公告)号：CN101699612A
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200910217791.2
申请日：2009-10-23
Applicant: 东北师范大学
Abstract: 本发明属于改进的可关断中子源，具体涉及一种中子管。本发明在阳极筒和离子源罩之间填充陶瓷绝缘环，在离子源罩和加速筒之间填充陶瓷绝缘环，既减小了中子管内的出气空间，又增加了绝缘强度，同时降低了封接的难度，有效地保证了系统的同轴度。发明效果可以大幅度降低放电、击穿几率，保证中子管的准直度，提高中子管的产额、寿命、稳定性，以Φ50为例，改进后寿命提高3倍以上，产额提高约5倍，稳定性不大于3％，成品率高于90％，可实现中子管加工制作的产业化。
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公开(公告)号：CN109119311A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810986147.0
申请日：2018-08-28
Applicant: 中国科学技术大学
Abstract: 本发明提供了一种相干电磁辐射产生系统及方法，金属板上至少具有第一亚波长孔阵列，第一亚波长孔阵列至少包括沿第一方向、第二方向阵列排布的多个矩形孔，电子注产生装置产生沿特定方向运动的薄片状的电子注，并使电子注从第一亚波长孔阵列上掠过，形成在三维空间特定方向上的相干电磁辐射。由于矩形孔的尺寸在毫米量级至微米量级范围内，因此，亚波长孔阵列可以应用在毫米波频段及太赫兹波频段内，并产生在三维空间特定方向上的相干电磁辐射，从而提供了一种在毫米波频段及太赫兹波频段内的亚波长阵列的新的应用方式。
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公开(公告)号：CN101512716A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200780016534.1
申请日：2007-06-12
Applicant: 山米奎普公司
Inventor： 托马斯·N·霍尔斯基 , 罗伯特·W·米尔盖特 , 乔治·P·萨科 , 韦德·艾伦·克鲁尔
IPC: H01J27/00
CPC classification number: H01J37/08 , C23C14/48 , C23C14/564 , H01J9/38 , H01J27/024 , H01J37/3171 , H01J2209/017 , H01J2237/006 , H01J2237/022 , H01J2237/0812 , H01J2237/083 , H01J2237/31701 , H01L21/265
Abstract: 为离子束产生系统的提取电极提供热控制，所述热控制防止沉积物的形成及不稳定操作且使得能够与从可冷凝蒸气产生的离子及能够进行冷及热操作的离子源一起使用。采用对所述提取电极的电加热以提取十硼烷或十八硼烷离子。在与热离子源一起使用期间的有效冷却可防止电极损坏，从而允许所述提取电极为导热及耐氟的铝组合物。通过使用反应性卤素气体提供对所述离子源及提取电极的原位蚀刻清洗且通过具有可延长清洗之间的工作持续时间的特征来增强所述系统的工作寿命，其中包含准确的蒸气流量控制及对离子束光学装置的准确聚焦。出于清洗所述离子源及所述提取电极中的沉积物的目的，远程等离子体源将F或Cl离子递送到断电的离子源。这些技术在运行可冷凝的馈送气体(例如升华的蒸气)时实现较长的设备正常运行时间，且尤其适用于与所谓的冷离子源及通用离子源一起使用。本文描述了当使用十硼烷及十八硼烷作为进料时以及当使用气化的砷元素及磷元素时实现较长设备正常运行时间且有助于在离子植入期间增强离子束稳定性的方法及设备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1649071A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200410082992.3
申请日：2004-12-14
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 等离子体/离子工程学领域中，用于产生大面积强流脉冲离子束的外磁绝缘离子二极管，包括镶嵌聚乙烯薄膜[4]的阳极[1]、设有均布通透栅格[15]的阴极[12]，特征：阳极和阴极均设计为椭圆扇环形柱状结构，阳极内柱面[22]与阴极内薄板外柱面[26]间间隙[3]的窄端[5]为4.1～4.8mm，宽端[2]为5.1～6mm，聚乙烯薄膜的面积为230×100～260×200mm2，均布通透栅格的数量为108～220个，使阴极内薄板[7]有效通透度保持65％，脉冲磁场强度为0.89～1.04T；优点：与已有圆扇环形柱状结构二极管相比，在二极管脉冲电压及其宽度分别保持为300kV和50～70ns时，获得束流密度和功率密度分别为300A/cm2和100MW/cm2，而离子束不均匀性为6％～10％，降低40％以上，束斑面积为100～300cm2，增大3～11倍。
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公开(公告)号：CN1638014A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200510000186.1
申请日：2005-01-06
Applicant: 应用材料有限公司
IPC: H01J37/317 , H01J27/00 , H01L21/265 , H01L21/425 , H01L21/66
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/304 , H01J2237/30455 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明涉及用于离子注入机的一种离子束监测装置，在所述离子注入机中，希望可以监测用于注入的离子束的通量和/或横截面图。通常希望的是，测量离子注入机内离子束的通量和/或横截面图，以提高对半导体晶片或者类似材料的离子注入的控制。本发明描述了改进晶片支座以获得这样的离子束断面图。衬底支座可用于逐渐堵截离子束使其不能进入下游通量监测器，或者可以将通量检测器安装到晶片支座上，该通量监测器具有窄入口孔。
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公开(公告)号：CN1053763C
公开(公告)日：2000-06-21
申请号：CN98100264.1
申请日：1998-01-23
Applicant: 清华大学 , 大庆石油管理局测井公司
Abstract: 本发明一测井用伴随α中子管，其特征在于，该管带有伴随α粒子信号获取部件。整体结构和特征适用于碳/氧比能谱测井。伴随α粒子信号获取部件的最佳方案为环形，可由多个小的α探测器环绕氘离子入射束构成；单个α探测器的结构是：将异型玻璃光导一端焊接在可伐合金管上，另一端面形状为圆台侧面的一部分，上面烧结无机闪烁体。该中子管带有粒子引出和聚焦系统，由若干环形平面透镜构成。该中子管用在伴随α粒子快中子飞行时间碳/氧比测井系统中，可以去除γ闪烁探头外干扰物层的不良影响，大大提高所测C/O比值的准确性。该类中子管的基本结构和特性也可应用于其它井下探矿领域。
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公开(公告)号：CN101699612B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200910217791.2
申请日：2009-10-23
Applicant: 东北师范大学
Abstract: 本发明属于改进的可关断中子源，具体涉及一种中子管。本发明在阳极筒和离子源罩之间填充陶瓷绝缘环，在离子源罩和加速筒之间填充陶瓷绝缘环，既减小了中子管内的出气空间，又增加了绝缘强度，同时降低了封接的难度，有效地保证了系统的同轴度。发明效果可以大幅度降低放电、击穿几率，保证中子管的准直度，提高中子管的产额、寿命、稳定性，以Φ50为例，改进后寿命提高3倍以上，产额提高约5倍，稳定性不大于3％，成品率高于90％，可实现中子管加工制作的产业化。
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公开(公告)号：CN101512716B
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200780016534.1
申请日：2007-06-12
Applicant: 山米奎普公司
Inventor： 托马斯·N·霍尔斯基 , 罗伯特·W·米尔盖特 , 乔治·P·萨科 , 韦德·艾伦·克鲁尔
IPC: H01J27/00
CPC classification number: H01J37/08 , C23C14/48 , C23C14/564 , H01J9/38 , H01J27/024 , H01J37/3171 , H01J2209/017 , H01J2237/006 , H01J2237/022 , H01J2237/0812 , H01J2237/083 , H01J2237/31701 , H01L21/265
Abstract: 为离子束产生系统的提取电极提供热控制，所述热控制防止沉积物的形成及不稳定操作且使得能够与从可冷凝蒸气产生的离子及能够进行冷及热操作的离子源一起使用。采用对所述提取电极的电加热以提取十硼烷或十八硼烷离子。在与热离子源一起使用期间的有效冷却可防止电极损坏，从而允许所述提取电极为导热及耐氟的铝组合物。通过使用反应性卤素气体提供对所述离子源及提取电极的原位蚀刻清洗且通过具有可延长清洗之间的工作持续时间的特征来增强所述系统的工作寿命，其中包含准确的蒸气流量控制及对离子束光学装置的准确聚焦。出于清洗所述离子源及所述提取电极中的沉积物的目的，远程等离子体源将F或Cl离子递送到断电的离子源。这些技术在运行可冷凝的馈送气体(例如升华的蒸气)时实现较长的设备正常运行时间，且尤其适用于与所谓的冷离子源及通用离子源一起使用。本文描述了当使用十硼烷及十八硼烷作为进料时以及当使用气化的砷元素及磷元素时实现较长设备正常运行时间且有助于在离子植入期间增强离子束稳定性的方法及设备。
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