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公开(公告)号：CN118957584B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411426016.9
申请日：2024-10-14
Applicant: 华硼中子科技(杭州)有限公司
Abstract: 本发明涉及中子源靶领域，公开了一种电沉积‑磁控溅射制备加速器中子源锂靶过渡层的方法，包括：1）将铜基体作为阴极，铜片作为阳极，置于含铜离子的电解液中，进行电化学沉积，于铜基体表面形成具有粗糙表面的铜沉积层；2）通过磁控溅射于铜沉积层表面构建过渡层。本发明首先通过电化学沉积法对铜基体进行表面处理，调整沉积参数可实现单质铜在基体表面粗糙度的调控，该方法可适用于各种形状的铜基体；在此基础之上本发明再通过磁控溅射技术，在粗糙基体表面实现过渡层的沉积，所得过渡层与基体之间内应力小，结合力高。
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公开(公告)号：CN119337051A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411393881.8
申请日：2024-10-08
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本申请公开了一种基于中子发生器的反应堆启动方法和系统，该方法包括：利用反应堆物理计算程序建立反应堆理论模型并进行模型校核；对中子发生器所产生中子穿过堆芯后在中子探测器处的计数率进行统计，确定满足反应堆启动要求的中子发生器的中子产额；利用中子发生器替代启堆中子源，在反应堆启动过程中的提升控制棒之前，打开所述中子发生器并维持在稳定的中子产额发射状态，进行反应堆启动操作。本申请通过采用中子发生器进行反应堆启动，消除放射性中子源固有风险，同时由于利用中子发生器产生中子是启停可控且强度可调节的，更有利于优化反应堆物理启动过程，进而可在优化反应堆堆芯的布置的同时提升堆芯安全性能。
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公开(公告)号：CN119008065A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411092265.9
申请日：2024-08-09
Applicant: 中国原子能科学研究院
IPC: G21G4/02
Abstract: 本发明提出了一种用于回旋加速器中子成像中子源的中子引出结构，包括圆柱体的聚乙烯慢化体、布设在该慢化体内轴中心线上的中子靶、以及布设在慢化体内的通向该中子靶的质子入射通道；所述中子靶用于和质子反应生成快中子，所述聚乙烯慢化体用于和快中子反应生成热中子；在聚乙烯慢化体中,与质子束流入射方向相垂直的地方挖空出一条通道作为热中子引出通道；其特点是：在热中子引出通道起始端入口处放置放置多个与热中子碰撞概率小的材料棒，该材料棒具有设定直径、间隔、长度；本发明通过对中子源的中子引出口进行设计，增大引出的热中子准直度，从而增加样品处的热中子通量，同时减少热中子束流中的伽马本底，以提高中子成像的分辨率。
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公开(公告)号：CN114582542B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202210201639.0
申请日：2022-03-02
Applicant: 中国原子能科学研究院
IPC: G21G4/02
Abstract: 本发明公开了一种中子发生器，该中子发生器包括壳体、设置在壳体内的离子源以及设置在壳体内的靶组件，靶组件与离子源相对应地设置，离子源通过第一隔板固定在壳体的内壁上，离子源包括第一阴极、第二阴极以及设置在第一阴极和第二阴极之间的阳极，阳极包括至少两个阳极筒，第一阴极和第二阴极分别包括与至少两个阳极筒相对应的至少两个阴极子。通过提供具有包括至少两个阴极子的第一阴极和第二阴极以及相应地包括至少两个阳极筒的阳极的多离子源结构，以使在阴极和阳极之间电离的离子能够以多束的形式引出，增大束流的引出面积，由此降低了单位面积靶膜上的溅射速率，延长靶组件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN114155989B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202111471269.4
申请日：2021-12-03
Applicant: 中国原子能科学研究院
Inventor： 梁淑红 , 杨历军 , 张巍 , 刘凯凯 , 赵守智 , 刘天才 , 柯国土 , 肖启冬 , 程凡杰 , 朱庆福 , 张金山 , 解怀东 , 刘东海 , 刘洋 , 罗皇达 , 李开健 , 权艳慧 , 张庚 , 章秩烽 , 赵阶成 , 刘锋 , 周敏兰
IPC: G21G4/02
Abstract: 一种中子源系统，应用于反应堆，所述中子源系统设置于所述反应堆的堆芯活性区外侧，包括：中子源，所述中子源用于为启动所述反应堆提供初始裂变中子；存储结构，所述存储结构设置成存储所述中子源并且屏蔽所述中子源的放射性；其中，所述存储结构包括：壳体，所述壳体形成腔室；容置部，所述容置部的部分贯穿所述壳体并位于所述腔室中，所述容置部设置成可滑动地进出所述腔室，当所述中子源在运动过程中发生掉落时其落入所述容置部。上述中子源系统，可确保中子源在运动过程中发生掉落事故时，在短时间内重新布置中子源，从而减少操作人员和中子源的接触时间，减少操作人员受到的辐射危害。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118380178B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410814360.9
申请日：2024-06-24
Applicant: 华硼中子科技(杭州)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种兼容旋转靶和固定靶的硼中子俘获治疗装置及换靶方法，旨在解决硼中子俘获治疗装置无法实现固定靶和旋转靶的兼容安装，这给设备的调整更新带来了不便的不足。该发明包括束流整形体和真空管道，束流整形体包括基台，基台两侧分别设置反射体模块和背反射体，基台上设置能容纳旋转靶模块的兼容腔；采用旋转靶时，旋转靶模块安装在兼容腔，真空管道与旋转靶模块连接；采用固定靶时，固定靶可拆卸安装在真空管道上。硼中子俘获治疗装置能同时满足固定靶和旋转靶的布置需求，便于设备的调整更新。
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公开(公告)号：CN110164580B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN201910428236.8
申请日：2019-05-22
Applicant: 中国科学院高能物理研究所
IPC: G21G4/02
Abstract: 本发明公开一种带吸收片的中子束窗，包括高真空腔体、低真空腔体和可调式吸收片组件，高真空腔体与低真空腔体之间设有薄壁曲面窗体；高真空腔体和低真空腔体的相接处，高真空腔体带有第一法兰，低真空腔体带有第二法兰，第一法兰和第二法兰之间通过第一快卸链条固定连接；低真空腔体内设有至少一组可调式吸收片组件，可调式吸收片组件的下端设置吸收片；低真空腔体的顶面设有通孔，可调式吸收片组件下端的吸收片从通孔处伸入至低真空腔体内部；通孔处，低真空腔体带有第四法兰，可调式吸收片组件上设有第三法兰，第四法兰和第三法兰之间通过第二快卸链条固定连接。本带吸收片的中子束窗使用灵活、可实现快速装卸、便于设备维护。
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公开(公告)号：CN110136860B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN201910442753.0
申请日：2019-05-25
Applicant: 广东太微加速器有限公司
Inventor： 钱铁威
IPC: G21G4/02
Abstract: 本发明提出了一种快中子筛选装置，其闪烁体组件完全展开，形成一个圆环，第一电机再驱动闪烁体组件匀速的转动，这时中子发生源向闪烁体组件的入射表面发射中子束，使大于一个周期内发射的中子束能完全射向闪烁体组件，这样闪烁体组件上就能发光，并通过光检测器产生电信号，并把该电信号发送给微处理器，由于快中子会区别于其他中子，具有更大的能量，这样接收到快中子的光检测元件就能发出更强的信号，微处理器接收该电信号，并进行存储和处理，微处理器根据记录的规律性变化的强弱的电信号来计算出中子束流的脉冲周期。
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公开(公告)号：CN117393196A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311299468.0
申请日：2023-10-09
Applicant: 吉林大学
IPC: G21G4/02
Abstract: 本发明涉及核技术利用领域，具体涉及一种基于D‑D中子管的中子靶，其基本结构为氘代聚乙烯醇海绵与重水中子靶，金刚石保护层，在上述中子靶结构中，氘代聚乙烯醇海绵是通过聚乙烯醇用同位素替换的方法将原有材料中的氢元素替换为氘元素得到，使用重水与氘代聚乙烯醇的混合物作为中子靶，一方面使中子管整体的能量转换效率更高，提高了传统D‑D中子管的中子产额，另一方面，使用金刚石作为中子靶的保护层，提高了抗辐照损伤性能，延长了器件的使用寿命，整体设计从根本上解决了传统D‑D中子管中子产额低，能量转换效率低的弊端，提高了D‑D中子管的性能。
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公开(公告)号：CN116798676A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310782202.5
申请日：2023-06-28
Applicant: 中子高新技术产业发展(重庆)有限公司
Inventor： 请求不公布姓名
Abstract: 本发明涉及核能的技术领域，具体提供一种靶片及制作方法，旨在解决现有靶片服役时温度较高，靶片换热不够，进而造成靶片失效的问题。为此目的，本发明的靶片包括相连的导热层和复合层，导热层包括以下重量百分比的组分：1％～20％的Pd和80～99％的Cu，通过上述重量百分比的组分的协同复配作用，具有良好的导热性能，同时也使得导热层与复合层之间形成良好的连接。
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