具有横向聚焦力的梯型截面加速器螺旋偏转板设计方法

    公开(公告)号:CN115315057B

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202210821043.0

    申请日:2022-07-13

    IPC分类号: H05H13/00

    摘要: 本发明公开了一种具有横向聚焦力的梯型截面加速器螺旋偏转板设计方法,包括:保持上下两层螺旋偏转板之间中心线处的高度不变、同时保持上下两层螺旋偏转板入口、出口端面上中心点的位置不变,在改变上下两层螺旋偏转板截面形状为梯型截面的同时,改变螺旋偏转板入口、出口端面上中心点前后两侧的形状,使得入口、出口端面和束流方向呈夹角β,且入口、出口的夹角大小相等,方向相反。本发明采用梯型截面的螺旋偏转板,提供了螺旋偏转板除偏转力以外的横向聚焦力;采用组合改变螺旋偏转板,提供了螺旋偏转板除偏转力以外的横向聚焦力以及边缘场聚焦力。

    具有横向聚焦力的V型截面加速器螺旋偏转板设计方法

    公开(公告)号:CN115052408B

    公开(公告)日:2024-09-27

    申请号:CN202210822094.5

    申请日:2022-07-13

    IPC分类号: H05H13/00

    摘要: 本发明公开了一种具有横向聚焦力的V型截面加速器螺旋偏转板设计方法,包括:保持上下两层螺旋偏转板之间中心线处的高度不变、同时保持上下两层螺旋偏转板入口、出口端面上中心点的位置不变,在改变上下两层螺旋偏转板截面形状为V型截面的同时改变螺旋偏转板入口、出口端面上中心点前后两侧的形状,使得入口、出口端面和束流方向呈夹角β,且入口、出口的夹角大小相等,方向相反。本发明采用V型截面的螺旋偏转板,提供了螺旋偏转板除偏转力以外的横向聚焦力;采用组合改变螺旋偏转板,提供了螺旋偏转板除偏转力以外的横向聚焦力以及边缘场聚焦力。

    一种整数共振抑制方法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114828374B

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202210549091.9

    申请日:2022-05-20

    IPC分类号: H05H7/00 H05H13/00 H01F5/00

    摘要: 本发明公开了一种整数共振抑制方法,该方法包括以下步骤:估算GeV量级的高能量圆形加速器穿越整数共振时的径向振荡幅;设定添加的n次谐波磁场,通过分别调整第一和第二线圈产生的n次谐波磁场的幅度#imgabs0#和相位#imgabs1#,将径向振荡幅度减小或抵消;本发明采用基于整数共振抑制器的整数共振抑制方法,通过估算GeV量级的高能量圆形加速器穿越整数共振时的径向振荡幅、以及设定添加的n次谐波磁场、通过调整n次谐波磁场幅度和相位,将径向振荡幅度减小或抵消的方法,克服了本领域长期以来束流不能在加速过程中穿越整数共振的偏见,解决了本领域长期以来束流能量受到整数共振限制,不能达到GeV量级的瓶颈问题。

    一种基于动态回旋加速器中心区结构的束流测量方法

    公开(公告)号:CN118131298A

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202410250147.X

    申请日:2024-03-05

    IPC分类号: G01T1/29

    摘要: 本发明公开了一种基于动态回旋加速器中心区结构的束流测量方法:包括以下步骤:动态安装第一中心区结构,测量第一束流狭缝位置处从小半径到大半径的束流分布;动态安装第二中心区结构,测量第二束流狭缝位置处从小半径到大半径的束流分布;动态安装第三中心区结构,测量第三束流狭缝位置处从小半径到大半径的束流分布;动态安装第四中心区结构,测量第四束流狭缝位置处从小半径到大半径的束流分布;本发明通过随机安装和随机拆除束流狭缝板,解决了中心区束流测试的周向遮挡和径向遮挡问题,完成了测量中心区各个设定位置处从小半径到大半径束流测试任务,解决了本领域长期以来无法测量中心区束流强度分布的难题。

    一种用于回旋加速器BNCT中子源的钨锂复合中子靶靶站结构

    公开(公告)号:CN117835520A

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN202410033888.2

    申请日:2024-01-09

    IPC分类号: H05H3/06 H05H13/00

    摘要: 本发明公开了一种用于回旋加速器BNCT中子源的钨锂复合中子靶靶站结构,包括用于和质子产生高能量快中子的中子靶、以及将高能量快中子经过慢化结构后引出为低能量超热中子的慢化体;其特点是:该中子靶为钨锂复合的中子靶,该钨锂复合的中子靶,即是由钨材料在前、锂材料在后两种材料组成的中子靶,所述钨材料在前,即是钨材料最先和质子发生反应。本发明针对回旋加速器中子源的需求,采用了钨锂复合中子靶的设计,利用了随着质子穿过靶材料其能量不断降低的特点、以及钨和质子产生中子的反应阈值高、锂和质子产生中子的反应阈值低的特点,将质子从穿出钨靶材以后的剩余能量段通过锂靶材吸收,充分利用了不同能量段的质子,从而提高了中子产额。

    用于回旋加速器中子源的铍锂复合中子靶和靶站结构

    公开(公告)号:CN117812796A

    公开(公告)日:2024-04-02

    申请号:CN202410032833.X

    申请日:2024-01-09

    IPC分类号: H05H6/00 H05H3/06 H05H13/00

    摘要: 本发明提出了一种用于回旋加速器中子源的铍锂复合中子靶和靶站结构,该中子靶是由铍材料在前、锂材料在后的两种材料组成的复合中子靶;该靶站结构包括分别生成热中子、冷中子的靶站结构:生成热中子的靶站结构最外层为聚乙烯慢化体、内层轴线上设有质子射入通道、中心处为铍锂复合靶、铍锂复合靶的斜上方为热中子引出口;生成冷中子的靶站结构为双慢化体,最外层为聚乙烯慢化体,铍锂复合靶的斜上方为冷中子引出口,固态甲烷慢化体同轴布设在冷中子引出通道下方;本发明利用了铍在相对高的质子能量段的反应截面高、锂在相对低的质子能量段的反应截面高的特点,将质子从穿出铍靶材以后的剩余能量段通过锂靶材吸收,从而提高了中子产额。

    一种利用形状函数估算进行一次性磁场垫补的方法

    公开(公告)号:CN117216893A

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202311077033.1

    申请日:2023-08-24

    摘要: 本发明提出了一种利用形状函数估算进行一次性磁场垫补的方法,包括如下步骤:实测各个半径处的平均磁场,该各个半径处的平均磁场与理论的等时性平均磁场之间的差为Bshim;未切削镶条时,经过有限元软件模拟计算得到初始形状函数dBi;将各个半径处的磁场差值Bshim分为N份,进行N次计算;第k次计算:预计磁场变化量为Bshim/N;k取值范围为0到N‑1;建立基于估算函数的形状函数dBk;通过垫补算法得到第k次计算的垫补量Xk;完成上述N次计算后,第2j个折点处总的垫补量为N次垫补量的和即:以上共计算了R2,R4,…,R2n处,共n个折点处的垫补量,其他n+1个折点垫补量通过线性插值得到;本发明解决了按照传统磁场垫补方法需要较长的磁场垫补时间周期的问题。

    一种用于射频离子源的高强度过滤磁场复合结构

    公开(公告)号:CN116390314A

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN202310396063.2

    申请日:2023-04-13

    摘要: 本发明公开了一种用于射频离子源的高强度过滤磁场复合结构,该复合结构由永磁铁阵列最底层的过滤磁铁阵列、以及布设在该过滤磁铁阵列下方的离子源引出结构吸极磁铁组成;所述永磁铁阵列布设于多峰场负氢离子源圆筒状离子源内腔体和离子源外腔体之间;所述过滤磁铁阵列用于将过滤场强最高处的位置调整于等离子体电极之前、使得快电子在到达离子源引出结构之前被充分过滤掉;所述离子源引出结构吸极磁铁用于在场强最高处和所述过滤磁铁阵列形成叠加磁场、过滤掉等离子体电极之前的快电子;本发明通过抬高过滤场使其最高处恰好处在引出结构之前,使得等离子电极上表面的快电子及时被过滤掉,由此使得面产生的负氢离子不会被快电子破坏,提高了产额。

    具有横向聚焦力的倾斜截面加速器螺旋偏转板设计方法

    公开(公告)号:CN115413106A

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN202210821040.7

    申请日:2022-07-13

    IPC分类号: H05H13/00 H05H7/00

    摘要: 本发明公开了一种具有横向聚焦力的倾斜截面加速器螺旋偏转板设计方法,包括:保持上下两层螺旋偏转板之间中心线处的高度不变、同时保持上下两层螺旋偏转板入口、出口端面上中心点的位置不变,在改变上下两层螺旋偏转板截面形状为倾斜截面的同时改变螺旋偏转板入口、出口端面上中心点前后两侧的形状,使得入口、出口端面和束流方向呈夹角β,且入口、出口的夹角大小相等,方向相反。本发明采用倾斜截面的螺旋偏转板,提高了螺旋偏转板除偏转力以外的横向聚焦力;采用组合改变螺旋偏转板,提供了螺旋偏转板除偏转力以外的横向聚焦力以及边缘场聚焦力。

    一种提高回旋加速器中心区聚焦力的螺旋型磁极结构

    公开(公告)号:CN114430607B

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN202210071567.2

    申请日:2022-01-21

    IPC分类号: H05H13/00 H05H7/04

    摘要: 本发明公开了一种提高回旋加速器中心区聚焦力的螺旋型磁极结构,该螺旋型磁极结构在加速器中心区为带特定螺旋角的磁极结构、在加速器大半径为直边扇磁极结构;该带特定螺旋角的磁极结构和中心区带特定螺旋角的电极结构之间构成加速间隙,形成含有特定螺旋角的中心区电磁场分布,从而增强中心区处的电磁场聚焦力;加速器中心区带特定螺旋角的磁铁结构,通过减小磁气隙的高度、减小磁极与加速器中心点的距离的方式提高中心区磁场强度。通过设置中心区带有螺旋角的磁极结构、通过减小加速器中心平面上下两层磁极结构之间的磁气隙的高度、减小磁极与加速器中心点的距离,在满足中心区等时性条件下,使得场指数n增大,中心区聚焦力νz也随之增大。