发明公开
- 专利标题: 一种利用形状函数估算进行一次性磁场垫补的方法
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申请号: CN202311077033.1申请日: 2023-08-24
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公开(公告)号: CN117216893A公开(公告)日: 2023-12-12
- 发明人: 边天剑 , 安世忠 , 管锋平 , 魏素敏 , 邢建升 , 王飞 , 陈忻禹 , 陆锦荣 , 凌丽
- 申请人: 中国原子能科学研究院
- 申请人地址: 北京市房山区新镇北坊
- 专利权人: 中国原子能科学研究院
- 当前专利权人: 中国原子能科学研究院
- 当前专利权人地址: 北京市房山区新镇北坊
- 代理机构: 北京维正专利代理有限公司
- 代理商 卓凡
- 主分类号: G06F30/17
- IPC分类号: G06F30/17 ; G06F30/23 ; G06F111/10
摘要:
本发明提出了一种利用形状函数估算进行一次性磁场垫补的方法,包括如下步骤:实测各个半径处的平均磁场,该各个半径处的平均磁场与理论的等时性平均磁场之间的差为Bshim;未切削镶条时,经过有限元软件模拟计算得到初始形状函数dBi;将各个半径处的磁场差值Bshim分为N份,进行N次计算;第k次计算:预计磁场变化量为Bshim/N;k取值范围为0到N‑1;建立基于估算函数的形状函数dBk;通过垫补算法得到第k次计算的垫补量Xk;完成上述N次计算后,第2j个折点处总的垫补量为N次垫补量的和即:以上共计算了R2,R4,…,R2n处,共n个折点处的垫补量,其他n+1个折点垫补量通过线性插值得到;本发明解决了按照传统磁场垫补方法需要较长的磁场垫补时间周期的问题。