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公开(公告)号：CN105552004B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201511000843.2
申请日：2011-12-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01J37/317
CPC classification number: H01L21/6831 , H01L21/67109
Abstract: 种静电钳,包括基座,其具有第表面;以及用于在制程腔室中支撑基底的外组件,外组件具有第二表面,其是以连结于基座的第表面的至少部分的方式布置。静电钳还包括耦合于外组件的外表面的第环形部,第环形部具有第封合表面,以及包括第二环形部,其耦合于外组件的外表面且具有第二封合表面。且当基底被放置在第封合表面以及第二封合表面上时,第环形部可定义内隔室,第环形部与第二环形部可同定义同心于内隔室的外隔室。
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公开(公告)号：CN105552004A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201511000843.2
申请日：2011-12-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01J37/317
CPC classification number: H01L21/6831 , H01L21/67109 , H01L21/67 , H01J37/317 , H01J37/3171 , H01L21/67011 , H01L21/687 , H01L21/68714 , H01L21/68785
Abstract: 一种静电钳，包括基座，其具有第一表面；以及用于在制程腔室中支撑基底的外组件，外组件具有第二表面，其是以连结于基座的第一表面的至少一部分的方式布置。静电钳还包括耦合于外组件的外表面的第一环形部，第一环形部具有第一封合表面，以及包括第二环形部，其耦合于外组件的外表面且具有第二封合表面。且当基底被放置在第一封合表面以及第二封合表面上时，第一环形部可定义内隔室，第一环形部与第二环形部可一同定义同心于内隔室的外隔室。
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公开(公告)号：CN103493172A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201280012665.3
申请日：2012-02-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 克里斯多夫·J·里维特 , 卢多维克·葛特 , 提摩太·J·米勒
IPC: H01J37/317 , H01J37/302 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/3172 , H01J37/3023 , H01J37/32009 , H01J37/32137 , H01J37/32376 , H01J37/32412 , H01J37/32623 , H01J2237/31711
Abstract: 一种于离子植入系统(400)中植入工件(100)的方法。此方法可包括提供邻近含有等离子(140)的等离子腔室(402)的萃取平板(101)，使萃取平板透过至少一个孔洞(407)由所述等离子中萃取离子(102)，所述孔洞提供具有分布于入射至工件的角度范围的离子的离子束。此方法可包括相对于所述萃取平板以扫瞄工件，以及于扫瞄期间改变等离子的功率位准从第一功率位准改变到第二功率位准；其中在所述工件的表面，在第一功率位准的第一束流宽(W1，W3)大于在第二功率位准的第二束流宽(W2)。
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公开(公告)号：CN101978476B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200980109802.3
申请日：2009-02-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 戴文·M·洛吉 , 卢多维克·葛特 , 伯纳德·G·琳赛 , 提摩太·J·米勒 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯
IPC: H01L21/265
CPC classification number: C23C14/48 , C23C14/54 , H01J37/32412 , H01J37/32935 , H01J37/3299
Abstract: 一种利用一飞行时间离子侦测器来控制一等离子体掺杂制程的方法包括于一等离子体腔中产生一包含多个掺杂离子的等离子体，等离子体接近一平台，平台承载一基板。利用一偏压波形偏压该平台，偏压波形具有一负电位，负电位将等离子体中的离子吸引至基板，以进行等离子体掺杂。利用一飞行时间离子侦测器来量测等离子体中出现的离子的谱，其中该谱为离子重量的函数。以法拉第量测系统来测定撞击该基板的离子总数。由所量测的离子的谱来判定一布植曲线。由所测定的离子总数和所算出的布植曲线来判定一积分剂量。依据所算出的该积分剂量来修改至少一等离子体掺杂参数。
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公开(公告)号：CN107710423B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201680038035.1
申请日：2016-06-03
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 维克拉姆·M·博斯尔 , 提摩太·J·米勒 , 查理斯·T·卡尔森 , 具本雄
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/0288 , H05B1/02
Abstract: 本发明公开了一种处理工件的方法及处理工件的装置。所述处理工件的方法，包括在工件已被植入硼之后对所述工件执行短的热处理。此短的热处理可在将工件放置于载具中之前执行。所述短的热处理可使用激光、加热灯或发光二极管来执行。在一些实施例中，加热源安置于装卸室中，且在工件经过处理之后被致动。在其他实施例中，所述加热源安置于输送带上方，所述输送带用以将经处理的工件自装卸室移动至装载/卸载站。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102428762A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201080020257.3
申请日：2010-04-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H05H1/24 , H05H1/34 , H01L21/265 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32623 , C23C14/48
Abstract: 一种等离子体处理装置，其包含处理腔室；压板，其定位于处理腔室中，用于支撑工件；源，其经组态以在所述处理腔室中产生等离子体，等离子体具有邻近工件的前表面的等离子体鞘；以及绝缘修改器。绝缘修改器具有间隙以及间隙平面，其中间隙平面由绝缘修改器的最靠近鞘且接近间隙的部分界定。将间隙角度界定为间隙平面与由工件的前表面所界定的平面之间的角度。另外，揭示一种使离子撞击工件的方法，其中撞击工件的离子的入射角范围包含中心角以及角分布，且其中绝缘修改器的使用形成不垂直于工件的中心角。
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公开(公告)号：CN101689498B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200880022236.8
申请日：2008-06-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: C23C14/345 , H01J37/321 , H01J37/32165 , H01J37/32412 , H01L21/32136
Abstract: 一种等离子处理装置，包括支撑等离子处理的基底的平台。一种在输出端产生多重位准射频功率波形的射频电源，此射频功率波形至少包含具有第一功率位准的第一周期以及具有第二功率位准的第二周期。一种具有电性连接至射频电源的输出端的电性输入端的射频等离子源，至少在第一周期期间产生具有第一射频功率位准的第一射频等离子且在第二周期期间产生具有第二射频功率位准的第二射频等离子。一种具有电性连接至平台的输出端的偏压电源，产生足以吸引等离子的离子至等离子处理的基底的偏压波形。
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公开(公告)号：CN101821836A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200880110355.9
申请日：2008-09-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32706 , H01J37/32623 , H01J37/32935
Abstract: 一种等离子体处理装置，包括：制程室；源，配置成在制程室内产生等离子体，以及压盘，配置成在制程室内支撑工件。压盘由具有脉冲ON时间周期及脉冲OFF时间周期的脉冲压盘信号来偏置，以在脉冲ON时间周期并且不在脉冲OFF时间周期内朝向工件加速来自等离子体的离子。板状物定位于制程室内。板状物由板状物信号来偏置，以在脉冲压盘信号的脉冲OFF时间周期之一的至少一部份周期内朝向板状物加速来自等离子体的离子，引起从板状物的二次电子发射，以至少部份地中和工件上的电荷积聚。
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公开(公告)号：CN101689498A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880022236.8
申请日：2008-06-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: C23C14/345 , H01J37/321 , H01J37/32165 , H01J37/32412 , H01L21/32136
Abstract: 一种等离子处理装置，包括支撑等离子处理的基底的平台。一种在输出端产生多重位准射频功率波形的射频电源，此射频功率波形至少包含具有第一功率位准的第一周期以及具有第二功率位准的第二周期。一种具有电性连接至射频电源的输出端的电性输入端的射频等离子源，至少在第一周期期间产生具有第一射频功率位准的第一射频等离子且在第二周期期间产生具有第二射频功率位准的第二射频等离子。一种具有电性连接至平台的输出端的偏压电源，产生足以吸引等离子的离子至等离子处理的基底的偏压波形。
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公开(公告)号：CN103299415B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201180062710.1
申请日：2011-12-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/6831 , H01L21/67109
Abstract: 一种静电钳与离子布植系统。静电钳包括用于加热基底的加热组件，加热组件具有朝向基底设置的第一表面以及在第一表面对向的第二表面。基座经布置以连结于加热组件的第二表面的至少一部份。经连结的基座以及加热组件共同定义加热组件的第一部分与基座之间的内间隙。外间隙以同心于加热组件的第二部份与基座之间的内间隙的方式布置，藉由形成于加热组件的第二表面以及基座之间的第一封合表面来将内间隙以及外间隙彼此隔离。
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