公开(公告)号：CN107710423A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201680038035.1

申请日：2016-06-03

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 维克拉姆·M·博斯尔 ,  提摩太·J·米勒 ,  查理斯·T·卡尔森 ,  具本雄

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0288 ,  H05B1/02

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种处理太阳能电池的方法，其中在工件已被植入硼之后对所述工件执行短的热处理。此短的热处理可在将工件放置于载具中之前执行。所述短的热处理可使用激光、加热灯或发光二极管来执行。在一些实施例中，加热源安置于装卸室中，且在工件经过处理之后被致动。在其他实施例中，所述加热源安置于输送带上方，所述输送带用以将经处理的工件自装卸室移动至装载/卸载站。

公开(公告)号：CN107710423B

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201680038035.1

申请日：2016-06-03

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 维克拉姆·M·博斯尔 ,  提摩太·J·米勒 ,  查理斯·T·卡尔森 ,  具本雄

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0288 ,  H05B1/02

Abstract: 本发明公开了一种处理工件的方法及处理工件的装置。所述处理工件的方法，包括在工件已被植入硼之后对所述工件执行短的热处理。此短的热处理可在将工件放置于载具中之前执行。所述短的热处理可使用激光、加热灯或发光二极管来执行。在一些实施例中，加热源安置于装卸室中，且在工件经过处理之后被致动。在其他实施例中，所述加热源安置于输送带上方，所述输送带用以将经处理的工件自装卸室移动至装载/卸载站。

公开(公告)号：CN109075041B

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN201680084099.5

申请日：2016-04-05

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 具本雄 ,  维克拉姆·M·博斯尔 ,  约翰·A·弗龙梯柔

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明公开一种将加工物质与掺杂剂植入工件的方法及用于工件的设备。出乎意料地，将例如氩或氖等稀有气体引入至离子源腔室可增加所期望的离子物质的百分比，同时减少污染物及含卤素的离子的量。此在未经质量分析的离子植入机中尤其有益，于所述离子植入机中所有离子被植入至工件内。在一个实施例中，将包含加工物质及卤素的第一源气体引入至离子源腔室中，还引入包含氢化物的第二源气体及包含稀有气体的第三源气体。这三种源气体的组合与在不使用第三源气体时所将发生的相比，可产生具有更高百分比的纯加工物质离子的离子束。

公开(公告)号：CN105849869B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201480071087.X

申请日：2014-11-06

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 彼得·F·库鲁尼西 ,  具本雄 ,  约翰·A·弗龙梯柔 ,  威廉·T·理葳 ,  克里斯多夫·J·里维特 ,  提摩西·J·米勒 ,  维克拉姆·M·博斯尔 ,  约翰·W·奎夫 ,  尼可拉斯·P·T·贝特曼

IPC: H01L21/265

Abstract: 本发明揭示一种处理工件的方法，其中首先用所要掺杂剂物质和另一物质来涂布离子室。在此调节过程之后，将原料气体引入到所述室中并使其离子化，所述原料气体包括氟和所要掺杂剂。接着从所述室提取离子并且使所述离子朝所述工件加速，其中所述离子未先经质量分析便植入。在调节过程期间使用的其他物质可为III族、IV族或V族元素。所要掺杂剂物质可为硼。本发明可用于提高离子植入系统中的离子束质量，具体地为提高硼离子束质量。

公开(公告)号：CN109075041A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201680084099.5

申请日：2016-04-05

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 具本雄 ,  维克拉姆·M·博斯尔 ,  约翰·A·弗龙梯柔

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明公开一种提高卤素系源气体的离子束品质的设备及各种方法。出乎意料地，将例如氩或氖等稀有气体引入至离子源腔室可增加所期望的离子物质的百分比，同时减少污染物及含卤素的离子的量。此在未经质量分析的离子植入机中尤其有益，于所述离子植入机中所有离子被植入至工件内。在一个实施例中，将包含加工物质及卤素的第一源气体引入至离子源腔室中，还引入包含氢化物的第二源气体及包含稀有气体的第三源气体。这三种源气体的组合与在不使用第三源气体时所将发生的相比，可产生具有更高百分比的纯加工物质离子的离子束。

公开(公告)号：CN105378896B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201480039222.2

申请日：2014-07-17

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 约翰·W·奎夫 ,  具本雄 ,  约翰·A·弗龙梯柔 ,  尼可拉斯·PT·贝特曼 ,  提摩西·J·米勒 ,  维克拉姆·M·博斯尔

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  C23C14/48 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/006 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明提供一种将掺质植入工件中的方法。在一些离子植入系统中，来自离子源的污染物与期望的离子一同被提取，而引入污染物至工件。这些污染物可能是离子源腔室中的杂质。当不进行提取的离子束的质量分析时，这个问题会变严重，而当期望的馈入气体包括卤素时，这个问题会变得更严重。将稀释气体引入离子源腔室中可减少腔室内表面上的卤素的有害影响，以减少提取的离子束中的污染物。在一些实施例中，所述稀释气体可以是锗烷或硅烷。

公开(公告)号：CN105849869A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201480071087.X

申请日：2014-11-06

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 彼得·F·库鲁尼西 ,  具本雄 ,  约翰·A·弗龙梯柔 ,  威廉·T·理葳 ,  克里斯多夫·J·里维特 ,  提摩西·J·米勒 ,  维克拉姆·M·博斯尔 ,  约翰·W·奎夫 ,  尼可拉斯·P·T·贝特曼

IPC: H01L21/265

Abstract: 揭示一种处理工件的方法，其中首先用所要掺杂剂物质和另一物质来涂布离子室。在此调节过程之后，将原料气体引入到所述室中并使其离子化，所述原料气体包括氟和所要掺杂剂。接着从所述室提取离子并且使所述离子朝所述工件加速，其中所述离子未先经质量分析便植入。在调节过程期间使用的其他物质可为3族、4族或5族元素。所要掺杂剂物质可为硼。

公开(公告)号：CN105378896A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201480039222.2

申请日：2014-07-17

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 约翰·W·奎夫 ,  具本雄 ,  约翰·A·弗龙梯柔 ,  尼可拉斯·PT·贝特曼 ,  提摩西·J·米勒 ,  维克拉姆·M·博斯尔

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  C23C14/48 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/006 ,  H01L21/265

Abstract: 揭示一种用于改善离子植入机中离子束品质的方法。在一些离子植入系统中，来自离子源的污染物与期望的离子一同被提取，而引入污染物至工件。这些污染物可能是离子源腔室中的杂质。当不进行提取的离子束的质量分析时，这个问题会变严重，而当期望的馈入气体包括卤素时，这个问题会变得更严重。将稀释气体引入离子腔室中可减少腔室内表面上的卤素的有害影响，以减少提取的离子束中的污染物。在一些实施例中，所述稀释气体可以是锗烷或硅烷。