公开(公告)号：CN105849869A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201480071087.X

申请日：2014-11-06

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 彼得·F·库鲁尼西 ,  具本雄 ,  约翰·A·弗龙梯柔 ,  威廉·T·理葳 ,  克里斯多夫·J·里维特 ,  提摩西·J·米勒 ,  维克拉姆·M·博斯尔 ,  约翰·W·奎夫 ,  尼可拉斯·P·T·贝特曼

IPC: H01L21/265

Abstract: 揭示一种处理工件的方法，其中首先用所要掺杂剂物质和另一物质来涂布离子室。在此调节过程之后，将原料气体引入到所述室中并使其离子化，所述原料气体包括氟和所要掺杂剂。接着从所述室提取离子并且使所述离子朝所述工件加速，其中所述离子未先经质量分析便植入。在调节过程期间使用的其他物质可为3族、4族或5族元素。所要掺杂剂物质可为硼。

公开(公告)号：CN105849869B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201480071087.X

申请日：2014-11-06

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 彼得·F·库鲁尼西 ,  具本雄 ,  约翰·A·弗龙梯柔 ,  威廉·T·理葳 ,  克里斯多夫·J·里维特 ,  提摩西·J·米勒 ,  维克拉姆·M·博斯尔 ,  约翰·W·奎夫 ,  尼可拉斯·P·T·贝特曼

IPC: H01L21/265

Abstract: 本发明揭示一种处理工件的方法，其中首先用所要掺杂剂物质和另一物质来涂布离子室。在此调节过程之后，将原料气体引入到所述室中并使其离子化，所述原料气体包括氟和所要掺杂剂。接着从所述室提取离子并且使所述离子朝所述工件加速，其中所述离子未先经质量分析便植入。在调节过程期间使用的其他物质可为III族、IV族或V族元素。所要掺杂剂物质可为硼。本发明可用于提高离子植入系统中的离子束质量，具体地为提高硼离子束质量。