公开(公告)号：CN103975450B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201280059584.9

申请日：2012-10-08

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 约翰·W·葛拉夫 ,  班杰明·B·里欧登 ,  尼可拉斯·P·T·贝特曼 ,  约瑟·C·欧尔森

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L21/266

CPC classification number: H01L31/0682 ,  H01J2237/31711 ,  H01L21/266 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明揭示一种指叉式背接触太阳能电池及其制造指叉式背接触太阳能电池的改良方法。第一光罩是用n型掺杂物的图案化离子植入以完成背面场。第二光罩是用以在同一平面上产生p型发射体。第二光罩用以与n型植入对齐，并于多个取向以产生所需的p型发射体。在一些实施例中，进行p型参杂物全面性离子布植。在一些实施例中，产生掺杂梯度。

公开(公告)号：CN102576640A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080032799.2

申请日：2010-07-30

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 班杰明·B·里欧登 ,  尼可拉斯·P·T·贝特曼 ,  威廉·T·维弗 ,  罗素·J·洛

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/32 ,  H01L21/266

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/24528 ,  H01J2237/31711 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/266 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种离子植入机，其中离子电流测量装置配置于罩幕的后方且与靶材基板的表面共平面，有如该靶材基板位于平台上。离子电流测量装置平移而跨越离子束。经由罩幕的多个孔径而引导的离子束的电流利用离子电流测量装置予以测量。以此方式，可根据离子电流测量装置所测量的离子电流轮廓来测定罩幕相对于离子束的位置以及罩幕的情况。

公开(公告)号：CN105849869A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201480071087.X

申请日：2014-11-06

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 彼得·F·库鲁尼西 ,  具本雄 ,  约翰·A·弗龙梯柔 ,  威廉·T·理葳 ,  克里斯多夫·J·里维特 ,  提摩西·J·米勒 ,  维克拉姆·M·博斯尔 ,  约翰·W·奎夫 ,  尼可拉斯·P·T·贝特曼

IPC: H01L21/265

Abstract: 揭示一种处理工件的方法，其中首先用所要掺杂剂物质和另一物质来涂布离子室。在此调节过程之后，将原料气体引入到所述室中并使其离子化，所述原料气体包括氟和所要掺杂剂。接着从所述室提取离子并且使所述离子朝所述工件加速，其中所述离子未先经质量分析便植入。在调节过程期间使用的其他物质可为3族、4族或5族元素。所要掺杂剂物质可为硼。

公开(公告)号：CN102844840B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201180015641.9

申请日：2011-02-17

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 阿塔尔·古普塔 ,  尼可拉斯·P·T·贝特曼

IPC: H01L21/225 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266

CPC classification number: H01L21/2254 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L31/1804 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种对基板进行掺杂的改良方法。此方法尤其有利于形成指叉型背面接触太阳能电池。将含有第一导电性的掺质的糊剂涂敷在基板的表面上。此糊剂是用作遮罩以执行后续的离子植入步骤，使得具有相反导电性的掺质的离子能够进入到基板的暴露的部位中。植入离子后，可移除遮罩，且可对掺质进行活化。揭示了使用以铝为主和以磷为主的糊剂的方法。

公开(公告)号：CN103088404B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201310009504.5

申请日：2009-06-05

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 彼德·L·凯勒曼 ,  法兰克·辛克莱 ,  菲德梨克·卡尔森 ,  尼可拉斯·P·T·贝特曼 ,  罗伯特·J·米歇尔

IPC: C30B11/00 ,  C30B28/06 ,  C30B29/06 ,  C30B29/60

CPC classification number: C30B11/003 ,  C30B11/001 ,  C30B28/06 ,  C30B29/06 ,  C30B29/60

Abstract: 一种形成板的装置。可自熔体形成无错位板。使用冷却平板在材料的熔体上形成具有第一宽度的所述材料的板。此板具有错位。相对于所述冷却平板而输送所述板，且所述错位迁移至所述板的边缘。所述板的所述第一宽度藉由所述冷却平板而增加至第二宽度。所述板在所述第二宽度处不具有错位。在一种情况下，所述冷却平板可具有具两个不同宽度的形状。在另一情况下，所述冷却平板可具有在不同温度下操作的区段，以增加所述板的宽度。所述板可相对于所述冷却平板而被拉动或流动。

公开(公告)号：CN104396025A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201380033059.4

申请日：2013-05-01

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 尼可拉斯·P·T·贝特曼 ,  约翰·W·奎夫

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明揭示对太阳能电池，尤其对点接触太阳能电池进行掺杂的方法。太阳能电池的一个表面可需要对若干部分进行n掺杂，而对其他部分进行p掺杂。可通过使用具有一种导电性的物质的毯覆式掺杂以及具有相反导电性的物质的图案化逆掺杂制程，来消除至少一个光刻步骤。在图案化注入期间掺杂的区域接收充足剂量以便完全反转毯覆式掺杂的效应，且实现与毯覆式掺杂相反的导电性。在一些实施例中，逆掺杂线路还用于降低多数载流子的横向串联电阻。

公开(公告)号：CN102668038B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201080055181.8

申请日：2010-11-02

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 尼可拉斯·P·T·贝特曼 ,  海伦·L·梅纳德 ,  班杰明·B·里欧登 ,  克里斯多夫·R·汉特曼 ,  迪帕克·瑞曼帕

IPC: H01L21/266 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0682 ,  H01L21/266 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 使用各种方法来形成可用于后续植入的掩模，此等方法是利用非晶化硅与晶体硅之间物理特性及化学特性的差异。在某些实施例中，利用非晶硅与晶体硅之间在膜生长方面的差异来形成掩模。在其他实施例中，利用非晶硅与晶体硅之间在反射率或光吸收性的差异来形成掩模。在其他实施例中，则利用经掺杂的硅与未经掺杂的硅的特性差异来形成掩模。

公开(公告)号：CN102428542A

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN201080021679.2

申请日：2010-04-08

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 凯文·M·丹尼尔斯 ,  罗素·J·洛 ,  班杰明·B·里欧登 ,  尼可拉斯·P·T·贝特曼

IPC: H01L21/265

CPC classification number: C23C14/042 ,  C23C14/48 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/303 ,  H01J2237/31711 ,  H01L21/266

Abstract: 本发明揭示一种用于处理基板的改良技术。在一特定例示性实施例中，所述技术可使用用于处理基板的遮罩而达成。所述遮罩可并入至诸如离子植入系统的基板处理系统中。所述遮罩可包括：一或多个第一孔，其安置于第一列中；以及一或多个第二孔，其安置于第二列中，每一列沿所述遮罩的宽度方向延伸，其中所述一或多个第一孔及所述一或多个第二孔为非一致的。

公开(公告)号：CN102047390A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200980115537.X

申请日：2009-03-05

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 尼可拉斯·P·T·贝特曼 ,  保罗·J·墨菲 ,  保罗·沙利文 ,  阿塔尔·古普塔

IPC: H01L21/265 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32412 ,  H01J2237/0827 ,  H01J2237/202 ,  H01J2237/31711 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 可在不需要中介(intervening)热循环的情况下进行连续的离子植入，而简化太阳能电池的制造并减少成本。除了缩短制程时间，连锁离子植入的使用也可改善太阳能电池的性能。而另一实施例中，在没有破真空的情况下，连续的植入两种不同种类的掺质。又一实施例中，衬底被植入接着被翻转(flipped)，而使其在退火之前可在其两面进行植入。于又一实施例中，在不破真空的情况下，使用一或多个不同掩膜进行连续的植入，因而缩短制程时间。

公开(公告)号：CN104272428B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201380022385.5

申请日：2013-04-12

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 约翰·W·奎夫 ,  班杰明·B·里欧登 ,  尼可拉斯·P·T·贝特曼

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/266 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/3045 ,  H01J2237/31711 ,  H01L21/266

Abstract: 揭示一种在连续处理步骤(例如离子植入步骤)期间对基板进行对位的装置及方法。在基板入区的影像，并且以对应于在基板上植入区的至少其中之一提供基准(310)。在基板上进行热退火处理，使得植入区不再为可见的，但基准仍然可见。基准的位置可用来在下游处理步骤中适当地将图案化掩模与植入区对位。基准亦可在进行将任何离子植入基板前应用于基板。基准相对于基板的边缘或角的位置可用于在下游处理步骤期间的对位。描述以及主张其他实施例。(300)上建立植入区(302)。在植入之后，获得植