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公开(公告)号：CN105593401B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201480053311.2
申请日：2014-09-24
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J37/08 , H01J37/12 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01J2237/061 , H01J2237/083
Abstract: 本发明涉及一种离子植入机，其在一或多个暴露于离子的导电表面上具有低电阻率碳化硅镀膜。举例来说，离子在离子源室中产生并且壁的内表面镀有低电阻率碳化硅。由于碳化硅是硬性并且耐溅镀的，这可以减少引入到从离子源室提取的离子束中的污染物离子的量。在一些实施例中，提取电极也镀有碳化硅以减少由这些组件引入的污染物离子。
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公开(公告)号：CN107078012B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201580049321.3
申请日：2015-09-04
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 亚隆·P·威波 , 提摩西·J·米勒 , 泰美·州·普赖德 , 克里斯多夫·N·葛兰特 , 詹姆斯·D·史瑞斯奈 , 查理斯·T·卡尔森
IPC: H01J37/304 , H01J37/317 , H01L21/68
Abstract: 本发明提供一种用于离子注入机的主动式衬底对准系统以及一种对准衬底的方法，衬底系统包含压板；对齐装置，其经调适以选择性地移动邻近于压板安置的衬底接合表面，用于限制安置在压板上的衬底的移动；相机，其经配置以在衬底安置在压板上之前获取衬底的图像；以及控制器，其与相机和对齐装置通信，控制器可以经配置以命令对齐装置基于图像移动衬底接合表面，以用预定的方式限制衬底的移动。本发明使用上述系统使衬底定向，以使得投射到衬底上的掺杂剂图案将置中于衬底上。
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公开(公告)号：CN107078012A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580049321.3
申请日：2015-09-04
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 亚隆·P·威波 , 提摩西·J·米勒 , 泰美·州·普赖德 , 克里斯多夫·N·葛兰特 , 詹姆斯·D·史瑞斯奈 , 查理斯·T·卡尔森
IPC: H01J37/304 , H01J37/317 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/681 , C23C14/48 , G06K9/6202 , G06T7/001 , G06T7/74 , G06T2207/30148 , H01J37/20 , H01J37/22 , H01J37/3045 , H01J37/3171
Abstract: 本发明提供一种用于离子注入机的主动式衬底对准系统，衬底系统包含压板；对齐装置，其经调适以选择性地移动邻近于压板安置的衬底接合表面，用于限制安置在压板上的衬底的移动；相机，其经配置以在衬底安置在压板上之前获取衬底的图像；以及控制器，其与相机和对齐装置通信，控制器可以经配置以命令对齐装置基于图像移动衬底接合表面，以用预定的方式限制衬底的移动。
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公开(公告)号：CN105593401A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201480053311.2
申请日：2014-09-24
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J37/08 , H01J37/12 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01J2237/061 , H01J2237/083
Abstract: 本发明涉及一种离子植入机，其在一或多个暴露于离子的导电表面上具有低电阻率碳化硅镀膜。举例来说，离子在离子源室中产生并且壁的内表面镀有低电阻率碳化硅。由于碳化硅是硬性并且耐溅镀的，这可以减少引入到从离子源室提取的离子束中的污染物离子的量。在一些实施例中，提取电极也镀有碳化硅以减少由这些组件引入的污染物离子。
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公开(公告)号：CN105849869B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201480071087.X
申请日：2014-11-06
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼得·F·库鲁尼西 , 具本雄 , 约翰·A·弗龙梯柔 , 威廉·T·理葳 , 克里斯多夫·J·里维特 , 提摩西·J·米勒 , 维克拉姆·M·博斯尔 , 约翰·W·奎夫 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼
IPC: H01L21/265
Abstract: 本发明揭示一种处理工件的方法，其中首先用所要掺杂剂物质和另一物质来涂布离子室。在此调节过程之后，将原料气体引入到所述室中并使其离子化，所述原料气体包括氟和所要掺杂剂。接着从所述室提取离子并且使所述离子朝所述工件加速，其中所述离子未先经质量分析便植入。在调节过程期间使用的其他物质可为III族、IV族或V族元素。所要掺杂剂物质可为硼。本发明可用于提高离子植入系统中的离子束质量，具体地为提高硼离子束质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103733300B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201280039634.7
申请日：2012-08-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/302
CPC classification number: H01J37/302 , H01J37/32082 , H01J2237/24528
Abstract: 一种处理工件(40)的方法及等离子体处理系统。此方法包括引导第一离子束(204)朝向工件的第一区域，其中第一离子束具有经由萃取板(14)的孔洞而萃取的第一离子的第一离子角轮廓(402，412或422)。此方法也包括引导第二离子束(204)朝向工件的第一区域，其中第二离子束具有经由萃取板的孔洞而萃取的第二离子的第二离子角轮廓(402，412或422)，其中第二离子角轮廓不同于第一离子角轮廓。
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公开(公告)号：CN103733300A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201280039634.7
申请日：2012-08-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/302
CPC classification number: H01J37/302 , H01J37/32082 , H01J2237/24528
Abstract: 一种处理工件(40)的方法。此方法包括引导第一离子束(204)朝向工件的第一区域，其中第一离子束具有经由萃取板(14)的孔洞而萃取的第一离子的第一离子角轮廓(402，412或422)。此方法也包括引导第二离子束(204)朝向工件的第一区域，其中第二离子束具有经由萃取板的孔洞而萃取的第二离子的第二离子角轮廓(402，412或422)，其中第二离子角轮廓不同于第一离子角轮廓。
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公开(公告)号：CN105378896B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201480039222.2
申请日：2014-07-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 约翰·W·奎夫 , 具本雄 , 约翰·A·弗龙梯柔 , 尼可拉斯·PT·贝特曼 , 提摩西·J·米勒 , 维克拉姆·M·博斯尔
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171 , C23C14/48 , H01J37/08 , H01J2237/006 , H01L21/265
Abstract: 本发明提供一种将掺质植入工件中的方法。在一些离子植入系统中，来自离子源的污染物与期望的离子一同被提取，而引入污染物至工件。这些污染物可能是离子源腔室中的杂质。当不进行提取的离子束的质量分析时，这个问题会变严重，而当期望的馈入气体包括卤素时，这个问题会变得更严重。将稀释气体引入离子源腔室中可减少腔室内表面上的卤素的有害影响，以减少提取的离子束中的污染物。在一些实施例中，所述稀释气体可以是锗烷或硅烷。
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公开(公告)号：CN105849869A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480071087.X
申请日：2014-11-06
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼得·F·库鲁尼西 , 具本雄 , 约翰·A·弗龙梯柔 , 威廉·T·理葳 , 克里斯多夫·J·里维特 , 提摩西·J·米勒 , 维克拉姆·M·博斯尔 , 约翰·W·奎夫 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼
IPC: H01L21/265
Abstract: 揭示一种处理工件的方法，其中首先用所要掺杂剂物质和另一物质来涂布离子室。在此调节过程之后，将原料气体引入到所述室中并使其离子化，所述原料气体包括氟和所要掺杂剂。接着从所述室提取离子并且使所述离子朝所述工件加速，其中所述离子未先经质量分析便植入。在调节过程期间使用的其他物质可为3族、4族或5族元素。所要掺杂剂物质可为硼。
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公开(公告)号：CN105378896A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201480039222.2
申请日：2014-07-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 约翰·W·奎夫 , 具本雄 , 约翰·A·弗龙梯柔 , 尼可拉斯·PT·贝特曼 , 提摩西·J·米勒 , 维克拉姆·M·博斯尔
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171 , C23C14/48 , H01J37/08 , H01J2237/006 , H01L21/265
Abstract: 揭示一种用于改善离子植入机中离子束品质的方法。在一些离子植入系统中，来自离子源的污染物与期望的离子一同被提取，而引入污染物至工件。这些污染物可能是离子源腔室中的杂质。当不进行提取的离子束的质量分析时，这个问题会变严重，而当期望的馈入气体包括卤素时，这个问题会变得更严重。将稀释气体引入离子腔室中可减少腔室内表面上的卤素的有害影响，以减少提取的离子束中的污染物。在一些实施例中，所述稀释气体可以是锗烷或硅烷。
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