公开(公告)号：CN104272428B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201380022385.5

申请日：2013-04-12

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 约翰·W·奎夫 ,  班杰明·B·里欧登 ,  尼可拉斯·P·T·贝特曼

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/266 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/3045 ,  H01J2237/31711 ,  H01L21/266

Abstract: 揭示一种在连续处理步骤(例如离子植入步骤)期间对基板进行对位的装置及方法。在基板入区的影像，并且以对应于在基板上植入区的至少其中之一提供基准(310)。在基板上进行热退火处理，使得植入区不再为可见的，但基准仍然可见。基准的位置可用来在下游处理步骤中适当地将图案化掩模与植入区对位。基准亦可在进行将任何离子植入基板前应用于基板。基准相对于基板的边缘或角的位置可用于在下游处理步骤期间的对位。描述以及主张其他实施例。(300)上建立植入区(302)。在植入之后，获得植

公开(公告)号：CN104272428A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201380022385.5

申请日：2013-04-12

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 约翰·W·奎夫 ,  班杰明·B·里欧登 ,  尼可拉斯·P·T·贝特曼

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/266 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/3045 ,  H01J2237/31711 ,  H01L21/266

Abstract: 揭示一种揭示为在连续处理步骤(例如离子植入步骤)期间对基板进行对位的系统及方法。在基板(300)上建立植入区(302)。在植入之后，获得植入区的影像，并且以对应于在基板上植入区的至少其中之一提供基准(310)。在基板上进行热退火处理，使得植入区不再为可见的，但基准仍然可见。基准的位置可用来在下游处理步骤中适当地将图案化掩模与植入区对位。基准亦可在进行将任何离子植入基板前应用于基板。基准相对于基板的边缘或角的位置可用于在下游处理步骤期间的对位。描述以及主张其他实施例。

公开(公告)号：CN105849869B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201480071087.X

申请日：2014-11-06

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 彼得·F·库鲁尼西 ,  具本雄 ,  约翰·A·弗龙梯柔 ,  威廉·T·理葳 ,  克里斯多夫·J·里维特 ,  提摩西·J·米勒 ,  维克拉姆·M·博斯尔 ,  约翰·W·奎夫 ,  尼可拉斯·P·T·贝特曼

IPC: H01L21/265

Abstract: 本发明揭示一种处理工件的方法，其中首先用所要掺杂剂物质和另一物质来涂布离子室。在此调节过程之后，将原料气体引入到所述室中并使其离子化，所述原料气体包括氟和所要掺杂剂。接着从所述室提取离子并且使所述离子朝所述工件加速，其中所述离子未先经质量分析便植入。在调节过程期间使用的其他物质可为III族、IV族或V族元素。所要掺杂剂物质可为硼。本发明可用于提高离子植入系统中的离子束质量，具体地为提高硼离子束质量。

公开(公告)号：CN105378896B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201480039222.2

申请日：2014-07-17

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 约翰·W·奎夫 ,  具本雄 ,  约翰·A·弗龙梯柔 ,  尼可拉斯·PT·贝特曼 ,  提摩西·J·米勒 ,  维克拉姆·M·博斯尔

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  C23C14/48 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/006 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明提供一种将掺质植入工件中的方法。在一些离子植入系统中，来自离子源的污染物与期望的离子一同被提取，而引入污染物至工件。这些污染物可能是离子源腔室中的杂质。当不进行提取的离子束的质量分析时，这个问题会变严重，而当期望的馈入气体包括卤素时，这个问题会变得更严重。将稀释气体引入离子源腔室中可减少腔室内表面上的卤素的有害影响，以减少提取的离子束中的污染物。在一些实施例中，所述稀释气体可以是锗烷或硅烷。

公开(公告)号：CN105849869A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201480071087.X

申请日：2014-11-06

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 彼得·F·库鲁尼西 ,  具本雄 ,  约翰·A·弗龙梯柔 ,  威廉·T·理葳 ,  克里斯多夫·J·里维特 ,  提摩西·J·米勒 ,  维克拉姆·M·博斯尔 ,  约翰·W·奎夫 ,  尼可拉斯·P·T·贝特曼

IPC: H01L21/265

Abstract: 揭示一种处理工件的方法，其中首先用所要掺杂剂物质和另一物质来涂布离子室。在此调节过程之后，将原料气体引入到所述室中并使其离子化，所述原料气体包括氟和所要掺杂剂。接着从所述室提取离子并且使所述离子朝所述工件加速，其中所述离子未先经质量分析便植入。在调节过程期间使用的其他物质可为3族、4族或5族元素。所要掺杂剂物质可为硼。

公开(公告)号：CN105378896A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201480039222.2

申请日：2014-07-17

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 约翰·W·奎夫 ,  具本雄 ,  约翰·A·弗龙梯柔 ,  尼可拉斯·PT·贝特曼 ,  提摩西·J·米勒 ,  维克拉姆·M·博斯尔

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  C23C14/48 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/006 ,  H01L21/265

Abstract: 揭示一种用于改善离子植入机中离子束品质的方法。在一些离子植入系统中，来自离子源的污染物与期望的离子一同被提取，而引入污染物至工件。这些污染物可能是离子源腔室中的杂质。当不进行提取的离子束的质量分析时，这个问题会变严重，而当期望的馈入气体包括卤素时，这个问题会变得更严重。将稀释气体引入离子腔室中可减少腔室内表面上的卤素的有害影响，以减少提取的离子束中的污染物。在一些实施例中，所述稀释气体可以是锗烷或硅烷。

公开(公告)号：CN104396025A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201380033059.4

申请日：2013-05-01

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 尼可拉斯·P·T·贝特曼 ,  约翰·W·奎夫

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明揭示对太阳能电池，尤其对点接触太阳能电池进行掺杂的方法。太阳能电池的一个表面可需要对若干部分进行n掺杂，而对其他部分进行p掺杂。可通过使用具有一种导电性的物质的毯覆式掺杂以及具有相反导电性的物质的图案化逆掺杂制程，来消除至少一个光刻步骤。在图案化注入期间掺杂的区域接收充足剂量以便完全反转毯覆式掺杂的效应，且实现与毯覆式掺杂相反的导电性。在一些实施例中，逆掺杂线路还用于降低多数载流子的横向串联电阻。