公开(公告)号：CN106165122B

公开(公告)日：2017-12-26

申请号：CN201580018131.5

申请日：2015-02-10

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 尼可拉斯·PT·贝特曼 ,  班哲明·里欧丹 ,  威廉·T·维弗

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01J2237/31711

Abstract: 本发明揭示一种用来植入工件表面的掩模组以及处理工件的方法。揭示一种处理太阳能电池的方法，进行连锁图案化离子植入以产生具有较重掺杂区域的轻掺杂表面的工件。此种配置可以用在多种实施例中，例如用于选择性射极太阳能电池。此外，也揭示用来产生于所需图案的多种掩模组。掩模组可包括一或多个具有开口部分和图案化部分的掩模，其中该些开口部分的总合构成被植入表面的整体。该些掩模的该些图案化部分合并产生重掺杂区域的所需图案。

公开(公告)号：CN106165122A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201580018131.5

申请日：2015-02-10

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 尼可拉斯·PT·贝特曼 ,  班哲明·里欧丹 ,  威廉·T·维弗

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01J2237/31711

Abstract: 揭示一种处理太阳能电池的方法，进行连锁图案化离子植入以产生具有较重掺杂区域的轻掺杂表面的工件。此种配置可以用在多种实施例中，例如用于选择性射极太阳能电池。此外，也揭示用来产生于所需图案的多种掩模组。掩模组可包括一或多个具有开口部分和图案化部分的掩模，其中该些开口部分的总合构成被植入表面的整体。该些掩模的该些图案化部分合并产生重掺杂区域的所需图案。

公开(公告)号：CN105378896B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201480039222.2

申请日：2014-07-17

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 约翰·W·奎夫 ,  具本雄 ,  约翰·A·弗龙梯柔 ,  尼可拉斯·PT·贝特曼 ,  提摩西·J·米勒 ,  维克拉姆·M·博斯尔

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  C23C14/48 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/006 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明提供一种将掺质植入工件中的方法。在一些离子植入系统中，来自离子源的污染物与期望的离子一同被提取，而引入污染物至工件。这些污染物可能是离子源腔室中的杂质。当不进行提取的离子束的质量分析时，这个问题会变严重，而当期望的馈入气体包括卤素时，这个问题会变得更严重。将稀释气体引入离子源腔室中可减少腔室内表面上的卤素的有害影响，以减少提取的离子束中的污染物。在一些实施例中，所述稀释气体可以是锗烷或硅烷。

公开(公告)号：CN105378896A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201480039222.2

申请日：2014-07-17

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 约翰·W·奎夫 ,  具本雄 ,  约翰·A·弗龙梯柔 ,  尼可拉斯·PT·贝特曼 ,  提摩西·J·米勒 ,  维克拉姆·M·博斯尔

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  C23C14/48 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/006 ,  H01L21/265

Abstract: 揭示一种用于改善离子植入机中离子束品质的方法。在一些离子植入系统中，来自离子源的污染物与期望的离子一同被提取，而引入污染物至工件。这些污染物可能是离子源腔室中的杂质。当不进行提取的离子束的质量分析时，这个问题会变严重，而当期望的馈入气体包括卤素时，这个问题会变得更严重。将稀释气体引入离子腔室中可减少腔室内表面上的卤素的有害影响，以减少提取的离子束中的污染物。在一些实施例中，所述稀释气体可以是锗烷或硅烷。