公开(公告)号：CN101601118A

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200780051063.8

申请日：2007-12-20

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 具本雄 ,  史帝文·R·沃特 ,  克里斯多夫·J·里维特 ,  贾斯汀·托可 ,  玄盛焕 ,  提摩太·J·米勒 ,  杰·T·舒尔 ,  阿塔尔·古普塔 ,  维克拉姆·辛 ,  戴文·洛吉

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01J37/32706 ,  H01J37/32623 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68714 ,  H01L21/68735

Abstract: 一种用于在等离子处理应用期间对半导体晶片提供改良的电性接触的方法与装置。在一实施例中，本装置(100)包括用以支撑晶片的晶片平台(106)以及多个电性接触元件(120)，将多个电性接触元件(120)中的每个配置为提供通道，此通道用于将来自偏压源的偏置电压供应至位于晶片平台(106)上的晶片(102)。并且将多个电性接触元件(120)作几何排列，使得至少一个电性接触元件接触内部表面区域(114)(举例来说，此区域在晶片的中心与约晶片的半径的一半的距离之间)以及至少一个电性接触元件接触外部环形表面区域(116)(举例来说，此区域在晶片的外边缘与约晶片的半径的一半的距离之间)。

公开(公告)号：CN105849869B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201480071087.X

申请日：2014-11-06

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 彼得·F·库鲁尼西 ,  具本雄 ,  约翰·A·弗龙梯柔 ,  威廉·T·理葳 ,  克里斯多夫·J·里维特 ,  提摩西·J·米勒 ,  维克拉姆·M·博斯尔 ,  约翰·W·奎夫 ,  尼可拉斯·P·T·贝特曼

IPC: H01L21/265

Abstract: 本发明揭示一种处理工件的方法，其中首先用所要掺杂剂物质和另一物质来涂布离子室。在此调节过程之后，将原料气体引入到所述室中并使其离子化，所述原料气体包括氟和所要掺杂剂。接着从所述室提取离子并且使所述离子朝所述工件加速，其中所述离子未先经质量分析便植入。在调节过程期间使用的其他物质可为III族、IV族或V族元素。所要掺杂剂物质可为硼。本发明可用于提高离子植入系统中的离子束质量，具体地为提高硼离子束质量。

公开(公告)号：CN103620730A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201280027207.7

申请日：2012-04-26

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 卢多维克·葛特 ,  约瑟·欧尔森 ,  克里斯多夫·J·里维特 ,  派崔克·M·马汀

IPC: H01J37/32

CPC classification number: G03F7/20 ,  G03F7/2024 ,  G03F7/40 ,  H01J37/3023 ,  H01J37/3053 ,  H01J2237/3174 ,  H01L21/0273

Abstract: 本发明提供一种处理具有初始线粗糙度和初始临界尺寸的光致抗蚀剂凸纹特征(402)的方法。所述方法可包含在第一暴露中以第一角范围和第一剂量率朝向光致抗蚀剂引导离子(404)，所述第一剂量率用以将初始线粗糙度减小到第二线粗糙度。所述方法还可包含在第二暴露中以大于第一剂量率的第二离子剂量率朝向光致抗蚀剂凸纹特征引导离子，其中所述第二离子剂量率用以使光致抗蚀剂凸纹特征膨胀。

公开(公告)号：CN103493172A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280012665.3

申请日：2012-02-28

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 克里斯多夫·J·里维特 ,  卢多维克·葛特 ,  提摩太·J·米勒

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/302 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/3172 ,  H01J37/3023 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32376 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32623 ,  H01J2237/31711

Abstract: 一种于离子植入系统(400)中植入工件(100)的方法。此方法可包括提供邻近含有等离子(140)的等离子腔室(402)的萃取平板(101)，使萃取平板透过至少一个孔洞(407)由所述等离子中萃取离子(102)，所述孔洞提供具有分布于入射至工件的角度范围的离子的离子束。此方法可包括相对于所述萃取平板以扫瞄工件，以及于扫瞄期间改变等离子的功率位准从第一功率位准改变到第二功率位准；其中在所述工件的表面，在第一功率位准的第一束流宽(W1，W3)大于在第二功率位准的第二束流宽(W2)。

公开(公告)号：CN105684130B

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201480058775.2

申请日：2014-10-09

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 克里斯多夫·J·里维特 ,  彼得·F·库鲁尼西

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/317 ,  H01L21/302

Abstract: 揭示离子源和清洗及操作离子源的方法。所述离子源包含离子源腔室、抑制电极和接地电极。在处理模式中，所述离子源腔室可被偏压到第一正电压，而所述抑制电极被偏压到负电压以经由孔径且朝向工件从所述腔室内吸引正离子。在清洗模式中，离子束散焦以使得其撞击所述抑制电极和所述接地电极。施加到所述离子源腔室和所述电极的电压被脉冲化以将这清洗模式期间的故障的可能性减到最小。

公开(公告)号：CN103620730B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201280027207.7

申请日：2012-04-26

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 卢多维克·葛特 ,  约瑟·欧尔森 ,  克里斯多夫·J·里维特 ,  派崔克·M·马汀

IPC: H01J37/32

CPC classification number: G03F7/20 ,  G03F7/2024 ,  G03F7/40 ,  H01J37/3023 ,  H01J37/3053 ,  H01J2237/3174 ,  H01L21/0273

Abstract: 本发明提供一种处理具有初始线粗糙度和初始临界尺寸的光致抗蚀剂凸纹特征(402)的方法。所述方法可包含在第一暴露中以第一角范围和第一剂量率朝向光致抗蚀剂引导离子(404)，所述第一剂量率用以将初始线粗糙度减小到第二线粗糙度。所述方法还可包含在第二暴露中以大于第一剂量率的第二离子剂量率朝向光致抗蚀剂凸纹特征引导离子，其中所述第二离子剂量率用以使光致抗蚀剂凸纹特征膨胀。

公开(公告)号：CN102422722B

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201080019703.9

申请日：2010-04-01

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 卢多维克·葛特 ,  提摩太·J·米勒 ,  克里斯多夫·J·里维特 ,  伯纳德·G·琳赛

IPC: H05H1/24 ,  H05H1/34 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32623

Abstract: 一种等离子体处理装置包含：处理腔室；压板，其定位于所述处理腔室中，用于支撑工件；源，其经组态以在所述处理腔室中产生等离子体，所述等离子体具有邻近所述工件的前表面的等离子体鞘；以及绝缘修改器。所述绝缘修改器经组态以控制等离子体与等离子体鞘之间的边界的形状，使得所述边界的形状的一部分不平行于由工件的面向等离子体的前表面界定的平面。控制所述等离子体与所述等离子体鞘之间的所述边界的所述形状使得能够达成撞击所述工件的微粒的较大的入射角范围。

公开(公告)号：CN102959675A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180031969.X

申请日：2011-06-30

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 提摩太·J·米勒 ,  维克拉姆·辛 ,  卢多维克·葛特 ,  克里斯多夫·J·里维特

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32935 ,  C23C14/48 ,  C23C14/542 ,  H01J37/32412

Abstract: 一种介电质基板的等离子体浸没离子植入的控制装置，包括配置在等离子体处理室中所产生的等离子体上方的电极。利用电位高于用以接收离子植入的基板或阴极的电位的负电压脉冲而对该电极施予偏压。电极的电位较低，以便对由该电极产生的当作二次电子的电子给予足够的能量来克服基板周围的高电压鞘层的负电压而使电子到达基板。这些电子将加速朝向基板以便中和基板上的电荷聚集。

公开(公告)号：CN102422722A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080019703.9

申请日：2010-04-01

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 卢多维克·葛特 ,  提摩太·J·米勒 ,  克里斯多夫·J·里维特 ,  伯纳德·G·琳赛

IPC: H05H1/24 ,  H05H1/34 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32623

Abstract: 一种等离子体处理装置包含：处理腔室；压板，其定位于所述处理腔室中，用于支撑工件；源，其经组态以在所述处理腔室中产生等离子体，所述等离子体具有邻近所述工件的前表面的等离子体鞘；以及绝缘修改器。所述绝缘修改器经组态以控制等离子体与等离子体鞘之间的边界的形状，使得所述边界的形状的一部分不平行于由工件的面向等离子体的前表面界定的平面。控制所述等离子体与所述等离子体鞘之间的所述边界的所述形状使得能够达成撞击所述工件的微粒的较大的入射角范围。

公开(公告)号：CN105849869A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201480071087.X

申请日：2014-11-06

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 彼得·F·库鲁尼西 ,  具本雄 ,  约翰·A·弗龙梯柔 ,  威廉·T·理葳 ,  克里斯多夫·J·里维特 ,  提摩西·J·米勒 ,  维克拉姆·M·博斯尔 ,  约翰·W·奎夫 ,  尼可拉斯·P·T·贝特曼

IPC: H01L21/265

Abstract: 揭示一种处理工件的方法，其中首先用所要掺杂剂物质和另一物质来涂布离子室。在此调节过程之后，将原料气体引入到所述室中并使其离子化，所述原料气体包括氟和所要掺杂剂。接着从所述室提取离子并且使所述离子朝所述工件加速，其中所述离子未先经质量分析便植入。在调节过程期间使用的其他物质可为3族、4族或5族元素。所要掺杂剂物质可为硼。