公开(公告)号：CN105190861B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201480010717.2

申请日：2014-02-19

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 具一雄 ,  玄盛焕

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01L21/6833

Abstract: 本发明提供一种从平台夹持与解除夹持晶圆的方法。平台包括一个或多个电极，将一个或多个电极电压偏置以静电地夹持晶圆至平台。将电极偏压至可进行晶圆处理的第一电压。此后，一个或多个电压接续地施加至电极。在一些实施例中，每一个后续的电压小于先前的施加电压。在其他实施例中，一个或多个后续的电压可大于先前的施加电压。这种电压序列可减少晶圆在移除的过程中贴附或附看至平台的可能性。

公开(公告)号：CN105190861A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201480010717.2

申请日：2014-02-19

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 具一雄 ,  玄盛焕

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01L21/6833

Abstract: 揭露从平台夹持与解除夹持晶圆的方法。平台包括一个或多个电极，将一个或多个电极电压偏置以静电地夹持晶圆至平台。将电极偏压至可进行晶圆处理的第一电压。此后，一个或多个电压接续地施加至电极。在一些实施例中，每一个后续的电压小于先前的施加电压。在其他实施例中，一个或多个后续的电压可大于先前的施加电压。这种电压序列可减少晶圆在移除的过程中贴附或附着至平台的可能性。

公开(公告)号：CN101601118A

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200780051063.8

申请日：2007-12-20

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 具本雄 ,  史帝文·R·沃特 ,  克里斯多夫·J·里维特 ,  贾斯汀·托可 ,  玄盛焕 ,  提摩太·J·米勒 ,  杰·T·舒尔 ,  阿塔尔·古普塔 ,  维克拉姆·辛 ,  戴文·洛吉

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01J37/32706 ,  H01J37/32623 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68714 ,  H01L21/68735

Abstract: 一种用于在等离子处理应用期间对半导体晶片提供改良的电性接触的方法与装置。在一实施例中，本装置(100)包括用以支撑晶片的晶片平台(106)以及多个电性接触元件(120)，将多个电性接触元件(120)中的每个配置为提供通道，此通道用于将来自偏压源的偏置电压供应至位于晶片平台(106)上的晶片(102)。并且将多个电性接触元件(120)作几何排列，使得至少一个电性接触元件接触内部表面区域(114)(举例来说，此区域在晶片的中心与约晶片的半径的一半的距离之间)以及至少一个电性接触元件接触外部环形表面区域(116)(举例来说，此区域在晶片的外边缘与约晶片的半径的一半的距离之间)。