公开(公告)号：CN105593401A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201480053311.2

申请日：2014-09-24

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 罗伯特·J·梅森 ,  沙杜·佩特尔 ,  罗伯特·H·贝当古 ,  提摩西·J·米勒

IPC: C23C14/48 ,  C23C14/06

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/12 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/083

Abstract: 本发明涉及一种离子植入机，其在一或多个暴露于离子的导电表面上具有低电阻率碳化硅镀膜。举例来说，离子在离子源室中产生并且壁的内表面镀有低电阻率碳化硅。由于碳化硅是硬性并且耐溅镀的，这可以减少引入到从离子源室提取的离子束中的污染物离子的量。在一些实施例中，提取电极也镀有碳化硅以减少由这些组件引入的污染物离子。

公开(公告)号：CN105593401B

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201480053311.2

申请日：2014-09-24

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 罗伯特·J·梅森 ,  沙杜·佩特尔 ,  罗伯特·H·贝当古 ,  提摩西·J·米勒

IPC: C23C14/48 ,  C23C14/06

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/12 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/083

Abstract: 本发明涉及一种离子植入机，其在一或多个暴露于离子的导电表面上具有低电阻率碳化硅镀膜。举例来说，离子在离子源室中产生并且壁的内表面镀有低电阻率碳化硅。由于碳化硅是硬性并且耐溅镀的，这可以减少引入到从离子源室提取的离子束中的污染物离子的量。在一些实施例中，提取电极也镀有碳化硅以减少由这些组件引入的污染物离子。