公开(公告)号：CN102576655A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080040505.0

申请日：2010-08-11

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 海伦·L·梅纳德 ,  乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 ,  维克拉姆·辛 ,  克里斯多夫·R·汉特曼 ,  卢多维克·葛特

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/2236 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/182 ,  H01L31/1872 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明揭示一种使材料在基板上沉积且结晶的方法。在一特定实施例中，所述方法可包含产生含有与沉积相关的物质以及携带能量的物质的电浆。在第一时间段期间，无偏压电压施加于所述基板，且物质经由电浆沉积而沉积于所述基板上。在第二时间段期间，电压施加于所述基板，所述电压吸引离子且吸引至所述沉积物质中，从而引起所述沉积层结晶。可重复所述程序直至获得足够厚度。在另一实施例中，可改变所述偏压电压或偏压脉冲的持续时间以改变所发生的结晶化程度。在另一实施例中，可使用掺杂剂掺杂所述沉积层。

公开(公告)号：CN101939822A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200980104251.1

申请日：2009-02-11

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 克里斯多夫·R·汉特曼 ,  安东尼·雷诺 ,  盖瑞·E·迪克森

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/32412 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/31701 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/26593

Abstract: 本发明揭示一种含碳物种的冷植入技术。在一例示性实施例中，此技术可以以一种离子注入装置来实现。离子注入装置包括冷却设备以及离子注入机。冷却设备将目标材料冷却至预定温度。离子注入机在预定温度下将含碳物种植入目标材料，以改善张力和非晶化的至少其中之一。

公开(公告)号：CN102918631A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201180026745.X

申请日：2011-05-26

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 克里斯多夫·R·汉特曼 ,  卢多维克·葛特

IPC: H01L21/223 ,  H01L21/225 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/26506 ,  H01L29/66803

Abstract: 此掺杂方法的实施例可用以改进结形成。将例如氦或另一惰性气体等植入物质植入到工件中到达第一深度(204)。在所述工件的表面上沉积掺杂剂。在退火期间，掺杂剂扩散到所述第一深度。所述惰性气体离子可在所述植入期间使所述工件至少部分非晶化。所述工件可为平面的或非平面的。所述植入和沉积可在不破坏真空的情况下在系统中发生。

公开(公告)号：CN102859635A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180019749.5

申请日：2011-04-20

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 卢多维克·葛特 ,  史费特那·瑞都凡诺 ,  克里斯多夫·R·汉特曼

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/08

Abstract: 揭示一种产生分子离子的设备以及产生分子离子的方法。在离子源(208)中，离子化至少第一物种(211)。所述第一物种离子和/或第一物种组合形成分子离子(213)。可将这些分子离子传送到第二腔室(201)并进行提取，所述第二腔室可为电弧腔室或扩散腔室。所述分子离子的原子质量可大于所述第一物种或第一物种离子。也可离子化第二物种，与所述第一物种形成分子离子。在一个实例中，所述第一和第二物种都为分子。

公开(公告)号：CN102265385A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200980148521.9

申请日：2009-10-06

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 克里斯多夫·R·汉特曼 ,  克里斯多福·A·罗兰德

IPC: H01L21/265

CPC classification number: C23C14/48 ,  H01J37/32412 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/2658

Abstract: 揭示分子离子的离子植入技术。在一特定实施例中，此技术可实现为一种离子植入装置，其包括离子植入机，用来在预定的温度下将分子离子植入到目标材料中，以加强此目标材料的应力与非晶化至少其中之一，其中分子离子是在离子源内原位产生的。

公开(公告)号：CN108431925A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201680074876.8

申请日：2016-11-28

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 克里斯多夫·R·汉特曼 ,  克里斯多福·A·罗兰德

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3215 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/225 ,  H01L21/223 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66803

Abstract: 本发明提供一种对衬底进行掺杂的方法。所述方法可包括在300℃或高于300℃的植入温度下经由所述衬底的表面将一定剂量的氦物质植入至所述衬底中。所述方法可进一步包括在所述衬底的所述表面上沉积含有掺杂剂的掺杂层，以及在退火温度下对所述衬底进行退火，所述退火温度高于所述植入温度。

公开(公告)号：CN101681820A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880015242.0

申请日：2008-04-04

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 爱德温·A·阿雷瓦洛 ,  克里斯多夫·R·汉特曼 ,  安东尼·雷诺 ,  乔纳森·吉罗德·英格兰

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/31701 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/26593

Abstract: 本发明揭示形成浅接合的技术。在一个特定示范性实施例中，技术可被实现为形成浅接合的方法。此方法可包括生成包括分子离子的离子束，分子离子基于由下列各物所构成的群族中选出的一种或多种物质：二锗烷(Ge 2 H 6 )、氮化锗(Ge 3 N 4 )、锗-氟化合物(GF n ，其中n＝1、2或3)，以及其它含锗化合物。此方法亦可包括使离子束冲击半导体晶片。

公开(公告)号：CN101584018A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200780049119.6

申请日：2007-11-08

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 乔纳森·吉罗德·英格兰 ,  克里斯多夫·R·汉特曼 ,  杰·汤玛斯·舒尔 ,  约瑟·C·欧尔森

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/302 ,  H01J37/317 ,  H01J27/02

CPC classification number: Y02E60/324

Abstract: 本发明揭示一种用于产生原子或分子离子束的具有双抽吸模式的离子植入装置及其方法。在一个特定示范性实施例中，提供一种离子植入设备，其用于控制对应于所产生的离子束种类的离子束源外壳内的压力。离子植入设备可包含离子束源外壳，其包括用于离子束产生的多个种类。还可包含抽吸区段，用于从离子束源外壳排放气体。可进一步包含控制器，用于根据对应于用于离子束产生的多个种类中的一种类的抽吸参数来控制抽吸区段。

公开(公告)号：CN101578680A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200780049272.9

申请日：2007-11-08

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 克里斯多夫·R·汉特曼 ,  杰·汤玛斯·舒尔 ,  拉塞尔·J·罗 ,  摩根·D·艾文斯 ,  乔纳森·吉罗德·英格兰

IPC: H01J7/18 ,  H01J27/02 ,  H01J37/317 ,  C01B3/00

CPC classification number: Y02E60/324

Abstract: 一种从离子注入机移除分子裂片的技术。在一实施例中，此技术可以是用于从离子注入机移除分子裂片的装置。该装置包括供应机构，其配置为耦接离子源室并向该离子源室供应进料材质。该装置还包括一种或多种氢吸收材质，其放置在进料材质的引流路径内，用以防止进料材质中的至少一部分含氢分子裂片进入离子源室。

公开(公告)号：CN102668038B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201080055181.8

申请日：2010-11-02

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 尼可拉斯·P·T·贝特曼 ,  海伦·L·梅纳德 ,  班杰明·B·里欧登 ,  克里斯多夫·R·汉特曼 ,  迪帕克·瑞曼帕

IPC: H01L21/266 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0682 ,  H01L21/266 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 使用各种方法来形成可用于后续植入的掩模，此等方法是利用非晶化硅与晶体硅之间物理特性及化学特性的差异。在某些实施例中，利用非晶硅与晶体硅之间在膜生长方面的差异来形成掩模。在其他实施例中，利用非晶硅与晶体硅之间在反射率或光吸收性的差异来形成掩模。在其他实施例中，则利用经掺杂的硅与未经掺杂的硅的特性差异来形成掩模。