公开(公告)号：CN102099899A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200980128331.0

申请日：2009-07-22

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 卢多维克·葛特 ,  乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 ,  爱德温·A·阿雷瓦洛

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01J37/32412 ,  H01J2237/31701 ,  H01L21/26513

Abstract: 一种等离子体掺杂方法，包括提供包括掺质重卤化物气体的掺质气体至等离子体室。于所述等离子体室中，使用所述掺质重卤化物气体形成等离子体，以及所述等离子体产生适当的掺质离子与前驱掺质分子的重碎片。对所述等离子体室中的基底施加偏压，使得所述适当的掺质离子会以适当的离子能量撞击所述基底，从而将所述适当的掺质离子与所述前驱掺质分子的重碎片植入所述基底，其中至少选择所述离子能量与所述掺质重卤化物组成中的一者，使得所述基底中的植入轮廓实质上由所述适当的掺质离子决定。

公开(公告)号：CN102099899B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN200980128331.0

申请日：2009-07-22

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 卢多维克·葛特 ,  乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 ,  爱德温·A·阿雷瓦洛

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01J37/32412 ,  H01J2237/31701 ,  H01L21/26513

Abstract: 一种等离子体掺杂方法，包括提供包括掺质重卤化物气体的掺质气体至等离子体室。于所述等离子体室中，使用所述掺质重卤化物气体形成等离子体，以及所述等离子体产生适当的掺质离子与前驱掺质分子的重碎片。对所述等离子体室中的基底施加偏压，使得所述适当的掺质离子会以适当的离子能量撞击所述基底，从而将所述适当的掺质离子与所述前驱掺质分子的重碎片植入所述基底，其中至少选择所述离子能量与所述掺质重卤化物组成中的一者，使得所述基底中的植入轮廓实质上由所述适当的掺质离子决定。

公开(公告)号：CN101681820A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880015242.0

申请日：2008-04-04

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 爱德温·A·阿雷瓦洛 ,  克里斯多夫·R·汉特曼 ,  安东尼·雷诺 ,  乔纳森·吉罗德·英格兰

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/31701 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/26593

Abstract: 本发明揭示形成浅接合的技术。在一个特定示范性实施例中，技术可被实现为形成浅接合的方法。此方法可包括生成包括分子离子的离子束，分子离子基于由下列各物所构成的群族中选出的一种或多种物质：二锗烷(Ge 2 H 6 )、氮化锗(Ge 3 N 4 )、锗-氟化合物(GF n ，其中n＝1、2或3)，以及其它含锗化合物。此方法亦可包括使离子束冲击半导体晶片。

公开(公告)号：CN101681820B

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN200880015242.0

申请日：2008-04-04

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 爱德温·A·阿雷瓦洛 ,  克里斯多夫·R·汉特曼 ,  安东尼·雷诺 ,  乔纳森·吉罗德·英格兰

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/31701 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/26593

Abstract: 本发明揭示形成浅接合的技术。在一个特定示范性实施例中，技术可被实现为形成浅接合的方法。此方法可包括生成包括分子离子的离子束，分子离子基于由下列各物所构成的群族中选出的一种或多种物质：二锗烷(Ge2H6)、氮化锗(Ge3N4)、锗-氟化合物(GeFn，其中n＝1、2或3)，以及其它含锗化合物。此方法亦可包括使离子束冲击半导体晶片。