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公开(公告)号：CN101563751B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200780043672.9
申请日：2007-11-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 乔纳森·吉罗德·英格兰 , 理查·S·默卡 , D·杰弗里·里斯查尔
IPC: H01J37/317 , H01L21/00
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J2237/2001 , H01L21/67005
Abstract: 本发明公开了一种低温离子植入技术。在一特殊实施例中，此技术可体现为低温离子植入装置。此低温离子植入装置可包括晶圆支撑机构，晶圆支撑机构在离子植入过程中支撑着晶圆且帮助晶圆在至少一维空间里移动。此低温离子植入装置也可包括冷却机构，其耦接到晶圆支撑机构。此冷却机构可包括：制冷单元；闭环刚性管，让至少一种冷却剂从制冷单元循环流动到晶圆支撑机构；以及一个或多个旋转式轴承，耦接刚性管，以帮助晶圆在至少一维空间里移动。
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公开(公告)号：CN101911255A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200880124531.4
申请日：2008-11-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 乔纳森·吉罗德·英格兰 , 法兰克·辛克莱 , 约翰(本雄)·具 , 拉杰许·都蕾 , 卢多维克·葛特
IPC: H01L21/26 , H01L29/786 , H01L31/042
CPC classification number: H01L21/02689 , C30B1/023 , C30B29/06 , H01L21/0237 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/268 , H01L31/0747 , H01L31/182 , H01L31/202 , Y02E10/546 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供处理基板的方法的一些例子。在一实施例中，此方法可包括将多个第一粒子导入到基板的第一区域，以在第一区域中形成具有粒界的至少一结晶，而不在第二区域形成其他结晶，且第二区域邻近于第一区域；以及在停止导入第一粒子之后，延伸形成于第一区域中的至少一结晶的粒界到第二区域。
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公开(公告)号：CN101911250A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200880124459.5
申请日：2008-11-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 乔纳森·吉罗德·英格兰 , 拉杰许·都蕾 , 卢多维克·葛特
IPC: H01L21/20 , H01L29/786 , H01L31/042
CPC classification number: H01L21/02689 , C30B1/023 , C30B29/06 , H01L21/0237 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/268 , H01L31/0747 , H01L31/182 , H01L31/202 , Y02E10/546 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供处理基板的方法的一些例子。在一实施例中，此方法可包括将具有上表面与下表面的基板放在室中的平台上；在基板的上表面上产生包括多个带电粒子的等离子体，等离子体具有一截面积，此截面积等于或大于基板的上表面的表面积；供应偏压至基板，以将带电粒子吸引至基板的上表面；将带电粒子导入至一区域，此区域延伸至基板的整个上表面下；以及同时启动此区域的相转变，使此区域由非晶相转变为结晶相。
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公开(公告)号：CN101897006A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200880120202.2
申请日：2008-11-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 乔纳森·吉罗德·英格兰 , 法兰克·辛克莱 , 约翰(本雄)·具 , 拉杰许·都蕾 , 卢多维克·葛特
IPC: H01L21/26 , H01L31/042 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02689 , C30B1/023 , C30B29/06 , H01L21/0237 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/268 , H01L31/0747 , H01L31/182 , H01L31/202 , Y02E10/546 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供处理基板的方法的一些例子。在一实施例中，此方法可以包括产生含有多个粒子的连续粒子束；以及将连续粒子束导入基板的非晶相区域，以将此区域由非晶相转变为结晶相，其中连续粒子束的电流密度为5×1014粒子/平方厘米·秒(particles/cm2sec)或更大。
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公开(公告)号：CN101536149A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200780034015.8
申请日：2007-07-26
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67213 , H01L21/26593 , H01L21/67098 , H01L21/67109 , H01L21/67248
Abstract: 一种低温离子布植技术。在一特定较佳实施例中，所述技术可表现为低温离子布植装置。该装置可包含预冷站。预冷站靠近离子布植机中的终端站。该装置也可包含位于预冷站内的冷却机构。该装置可更包括与预冷站和终端站相连接的装载组件。所述装置可另包括控制器。控制器与装载组件及冷却机构通信，藉以将晶圆载入预冷站、使晶圆冷却到预定温度范围以及将冷却后的晶圆载入终端站。在终端站中，对冷却后的晶圆进行离子布植制造工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105580141B
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201480048369.8
申请日：2014-07-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 安德鲁·M·怀特 , 乔纳森·吉罗德·英格兰 , 拉杰许·普拉撒度
IPC: H01L27/11582 , H01L29/792 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种在三维结构中产生经掺杂的垂直通道的制程，其中垂直通道由氧化物‑氮化物‑氧化物堆叠所包围，所述制程包括：穿过氧化物‑氮化物‑氧化物堆叠蚀刻出孔洞；沿着孔洞中的侧壁沉积多晶硅材料；以及使用多个高能离子布植来将掺质离子植入多晶硅材料中，多个高能离子布植各具有至少200keV的植入能量，且其中多个高能离子布植的至少一个是使用至少1MeV的植入能量来进行。藉由通过ONO堆叠，各离子到达的分布范围可不同于由垂直布植产生的分布范围。
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公开(公告)号：CN101681820B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN200880015242.0
申请日：2008-04-04
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 爱德温·A·阿雷瓦洛 , 克里斯多夫·R·汉特曼 , 安东尼·雷诺 , 乔纳森·吉罗德·英格兰
IPC: H01L21/265 , H01J37/317
CPC classification number: H01L21/26506 , H01J2237/2001 , H01J2237/31701 , H01L21/26513 , H01L21/2658 , H01L21/26593
Abstract: 本发明揭示形成浅接合的技术。在一个特定示范性实施例中，技术可被实现为形成浅接合的方法。此方法可包括生成包括分子离子的离子束，分子离子基于由下列各物所构成的群族中选出的一种或多种物质：二锗烷(Ge2H6)、氮化锗(Ge3N4)、锗-氟化合物(GeFn，其中n＝1、2或3)，以及其它含锗化合物。此方法亦可包括使离子束冲击半导体晶片。
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公开(公告)号：CN101584018B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200780049119.6
申请日：2007-11-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 乔纳森·吉罗德·英格兰 , 克里斯多夫·R·汉特曼 , 杰·汤玛斯·舒尔 , 约瑟·C·欧尔森
IPC: H01J37/08 , H01J37/302 , H01J37/317 , H01J27/02
CPC classification number: Y02E60/324
Abstract: 本发明揭示一种用于产生原子或分子离子束的具有双抽吸模式的离子植入装置及其方法。在一个特定示范性实施例中，提供一种离子植入设备，其用于控制对应于所产生的离子束种类的离子束源外壳内的压力。离子植入设备可包含离子束源外壳，其包括用于离子束产生的多个种类。还可包含抽吸区段，用于从离子束源外壳排放气体。可进一步包含控制器，用于根据对应于用于离子束产生的多个种类中的一种类的抽吸参数来控制抽吸区段。
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公开(公告)号：CN105580141A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201480048369.8
申请日：2014-07-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 安德鲁·M·怀特 , 乔纳森·吉罗德·英格兰 , 拉杰许·普拉撒度
IPC: H01L29/788 , H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L21/265 , H01L21/26506 , H01L21/2652 , H01L21/26586 , H01L29/66833 , H01L29/7926
Abstract: 揭示一种在垂直快闪式元件中掺杂多晶通道的方法。此方法使用多个高能离子布植以在通道的不同深度处掺杂通道。在一些实施例中，此些离子布植是以偏移法线方向的角度进行，使得植入的离子通过周围ONO堆叠的至少一部分。藉由通过ONO堆叠，各离子到达的分布范围可不同于由垂直布植产生的分布范围。
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公开(公告)号：CN101536149B
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN200780034015.8
申请日：2007-07-26
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67213 , H01L21/26593 , H01L21/67098 , H01L21/67109 , H01L21/67248
Abstract: 一种低温离子布植技术。在一特定较佳实施例中，所述技术可表现为低温离子布植装置。该装置可包含预冷站。预冷站靠近离子布植机中的终端站。该装置也可包含位于预冷站内的冷却机构。该装置可更包括与预冷站和终端站相连接的装载组件。所述装置可另包括控制器。控制器与装载组件及冷却机构通信，藉以将晶圆载入预冷站、使晶圆冷却到预定温度范围以及将冷却后的晶圆载入终端站。在终端站中，对冷却后的晶圆进行离子布植制造工艺。
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