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公开(公告)号：CN101401187B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200780008205.2
申请日：2007-03-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J49/40 , H01J37/32935
Abstract: 一种用于监测等离子体中的离子种类的飞行时间离子感测器包括外壳。漂移管定位于所述外壳中。提取器电极在所述外壳中定位于所述漂移管的一第一末端处，以便自等离子体吸引离子。多个电极定位于所述漂移管的一第一末端处并接近所述提取器电极。偏压所述多个电极，以便使被吸引的离子的至少一部分进入所述漂移管，且向所述漂移管的一第二末端漂移。一离子侦测器接近所述漂移管的所述第二末端而定位。所述离子侦测器侦测与所述被吸引离子的所述至少一部分关联的到达时间。
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公开(公告)号：CN101203933B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680013410.3
申请日：2006-03-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32412 , H01J37/3171 , H01J37/3299 , H01J2237/31705
Abstract: 一种方法及装置是针对提供等离子体掺杂系统中的掺杂剂轮廓调整解决方案以符合浓度及结深度要求。可执行偏压斜线上升及偏压斜线上升率调整以达成所要的掺杂剂轮廓，使得实现对等离子体掺杂系统中的元件缩放是关键的垂直方向及横向上浅并陡的结。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101821836A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200880110355.9
申请日：2008-09-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32706 , H01J37/32623 , H01J37/32935
Abstract: 一种等离子体处理装置，包括：制程室；源，配置成在制程室内产生等离子体，以及压盘，配置成在制程室内支撑工件。压盘由具有脉冲ON时间周期及脉冲OFF时间周期的脉冲压盘信号来偏置，以在脉冲ON时间周期并且不在脉冲OFF时间周期内朝向工件加速来自等离子体的离子。板状物定位于制程室内。板状物由板状物信号来偏置，以在脉冲压盘信号的脉冲OFF时间周期之一的至少一部份周期内朝向板状物加速来自等离子体的离子，引起从板状物的二次电子发射，以至少部份地中和工件上的电荷积聚。
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公开(公告)号：CN101401187A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200780008205.2
申请日：2007-03-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J49/40 , H01J37/32935
Abstract: 一种用于监测等离子体中的离子种类的飞行时间离子感测器包括外壳。漂移管定位于所述外壳中。提取器电极在所述外壳中定位于所述漂移管的一第一末端处，以便自等离子体吸引离子。多个电极定位于所述漂移管的一第一末端处并接近所述提取器电极。偏压所述多个电极，以便使被吸引的离子的至少一部分进入所述漂移管，且向所述漂移管的一第二末端漂移。一离子侦测器接近所述漂移管的所述第二末端而定位。所述离子侦测器侦测与所述被吸引离子的所述至少一部分关联的到达时间。
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公开(公告)号：CN101203933A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200680013410.3
申请日：2006-03-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32412 , H01J37/3171 , H01J37/3299 , H01J2237/31705
Abstract: 一种方法及装置是针对提供等离子体掺杂系统中的掺杂剂轮廓调整解决方案以符合浓度及结深度要求。可执行偏压斜线上升及偏压斜线上升率调整以达成所要的掺杂剂轮廓，使得实现对等离子体掺杂系统中的元件缩放是关键的垂直方向及横向上浅并陡的结。
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公开(公告)号：CN101821836B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200880110355.9
申请日：2008-09-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32706 , H01J37/32623 , H01J37/32935
Abstract: 一种等离子体处理装置，包括：制程室；源，配置成在制程室内产生等离子体，以及压盘，配置成在制程室内支撑工件。压盘由具有脉冲ON时间周期及脉冲OFF时间周期的脉冲压盘信号来偏置，以在脉冲ON时间周期并且不在脉冲OFF时间周期内朝向工件加速来自等离子体的离子。板状物定位于制程室内。板状物由板状物信号来偏置，以在脉冲压盘信号的脉冲OFF时间周期之一的至少一部份周期内朝向板状物加速来自等离子体的离子，引起从板状物的二次电子发射，以至少部份地中和工件上的电荷积聚。
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公开(公告)号：CN101111922A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200580047453.9
申请日：2005-12-06
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: C23C14/48 , H01J37/32412 , H01J37/32697 , H01L21/2236
Abstract: 本发明提供一种等离子体离子注入系统，所述系统包含：处理腔室；源，其用于在所述处理腔室中产生等离子体；压板，其用于将衬底固持在所述处理腔室中；注入脉冲源，其经配置以产生用于将来自所述等离子体的离子加速进入所述衬底中的注入脉冲；以及轴向静电约束结构，其经配置以将电子约束在大体上与所述压板的表面正交的方向上。所述约束结构可包含：辅助电极，其与所述压板间隔开；以及偏置源，其经配置从而以相对于所述等离子体的负电位来对所述辅助电极进行偏置。
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