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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101203933B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680013410.3
申请日：2006-03-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32412 , H01J37/3171 , H01J37/3299 , H01J2237/31705
Abstract: 一种方法及装置是针对提供等离子体掺杂系统中的掺杂剂轮廓调整解决方案以符合浓度及结深度要求。可执行偏压斜线上升及偏压斜线上升率调整以达成所要的掺杂剂轮廓，使得实现对等离子体掺杂系统中的元件缩放是关键的垂直方向及横向上浅并陡的结。
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公开(公告)号：CN101401187B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200780008205.2
申请日：2007-03-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J49/40 , H01J37/32935
Abstract: 一种用于监测等离子体中的离子种类的飞行时间离子感测器包括外壳。漂移管定位于所述外壳中。提取器电极在所述外壳中定位于所述漂移管的一第一末端处，以便自等离子体吸引离子。多个电极定位于所述漂移管的一第一末端处并接近所述提取器电极。偏压所述多个电极，以便使被吸引的离子的至少一部分进入所述漂移管，且向所述漂移管的一第二末端漂移。一离子侦测器接近所述漂移管的所述第二末端而定位。所述离子侦测器侦测与所述被吸引离子的所述至少一部分关联的到达时间。
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公开(公告)号：CN101167155A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200680013776.0
申请日：2006-04-25
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32412 , C23C14/48 , H01J37/32009 , H01J37/32752
Abstract: 等离子掺杂装置包括反应室以及等离子源，等离子源在反应室中自掺杂剂气体产生离子。格栅定位于反应室中。用于支撑目标的压板定位于反应室中。格栅以及目标中至少一者经定向以使得自格栅提取的掺杂剂离子以非垂直入射角冲击目标。
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公开(公告)号：CN101401187A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200780008205.2
申请日：2007-03-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J49/40 , H01J37/32935
Abstract: 一种用于监测等离子体中的离子种类的飞行时间离子感测器包括外壳。漂移管定位于所述外壳中。提取器电极在所述外壳中定位于所述漂移管的一第一末端处，以便自等离子体吸引离子。多个电极定位于所述漂移管的一第一末端处并接近所述提取器电极。偏压所述多个电极，以便使被吸引的离子的至少一部分进入所述漂移管，且向所述漂移管的一第二末端漂移。一离子侦测器接近所述漂移管的所述第二末端而定位。所述离子侦测器侦测与所述被吸引离子的所述至少一部分关联的到达时间。
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公开(公告)号：CN101203933A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200680013410.3
申请日：2006-03-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32412 , H01J37/3171 , H01J37/3299 , H01J2237/31705
Abstract: 一种方法及装置是针对提供等离子体掺杂系统中的掺杂剂轮廓调整解决方案以符合浓度及结深度要求。可执行偏压斜线上升及偏压斜线上升率调整以达成所要的掺杂剂轮廓，使得实现对等离子体掺杂系统中的元件缩放是关键的垂直方向及横向上浅并陡的结。
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