公开(公告)号：CN106206221B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201610203655.8

申请日：2016-04-01

Applicant: 住友重机械离子技术有限公司

Inventor： 佐藤正辉

IPC: H01J27/02 ,  H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/32669 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/3233 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/3255 ,  H01J2237/3365

Abstract: 本发明提供一种提高装置寿命及等离子生成效率的等离子生成装置。等离子生成装置具备：电弧室(12)，内部具有生成等离子的等离子生成区域；磁场发生器(16)，向等离子生成区域施加磁场(B)；以及阴极(30)，在沿着施加到等离子生成区域的磁场(B)的施加方向的轴向上延伸，且在其前端设置有放出热电子的阴极罩。阴极罩具有朝向电弧室(12)的内部在轴向上突出，且随着朝向电弧室(12)的内部，与轴向正交的径向宽度变小的形状。

公开(公告)号：CN105593972B

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201480054614.6

申请日：2014-09-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·奈纳尼 ,  B·N·佐普 ,  L·多弗 ,  S·劳弗 ,  A·布兰德 ,  M·亚伯拉罕 ,  S·德稀穆克

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/302 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01J37/3233 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/8258 ,  H01L29/66795

Abstract: 在对半导体表面的软性等离子体表面处理中使用电子束等离子体源,所述半导体表面包含Ge或III‑V族化合物半导体材料。

公开(公告)号：CN105144338A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201380065446.6

申请日：2013-12-09

Applicant: 欧瑞康表面解决方案股份公司 ,  特吕巴赫

Inventor： S·克拉斯尼特泽 ,  J·哈格曼恩

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/3233 ,  C23C16/50 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32596 ,  H01J2237/3321 ,  H05H1/50

Abstract: 本发明涉及一种等离子体产生装置，包括：-具有等离子体源空心体(1)和电子发射单元(5)的等离子体源，所述电子发射单元使得自由电子能够发射到等离子体源空心体之中，其中所述等离子体源空心体(1)具有第—气体入口(7a)和等离子体源开口(10)，所述等离子体源开口构成通向真空室的开口；-以及具有阳极空心体(2)的阳极，其中所述阳极空心体(2)具有第二气体入口(7b)和阳极开口(11)，所述阳极开口构成通向真空室的开口；-和电压源(8)，其负极与电子发射单元(5)相连并且其正极与阳极空心体(2)相连，其中所述电压源(8)的正极还通过第一分路电阻(6a)与等离子体源空心体电相连。

公开(公告)号：CN103766003A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201280041425.6

申请日：2012-10-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： L·多尔夫 ,  S·拉乌夫 ,  K·S·柯林斯 ,  N·米斯拉 ,  J·D·卡达希 ,  G·勒雷 ,  K·拉马斯瓦米

IPC: H05H1/34 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3233 ,  G21K5/00 ,  H05H1/46 ,  H05H7/001

Abstract: 一种在工作件处理腔室中通过电子束产生等离子体的等离子体反应器，该等离子体反应器具有电子束源及分段束收集器，该分段束收集器是剖面式的以促进电子束产生的等离子体中的均匀性。

公开(公告)号：CN108695129A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810256674.6

申请日：2018-03-27

Applicant: 住友重机械离子科技株式会社

Inventor： 越智秀太 ,  二宫史郎 ,  高桥裕二 ,  香川唯信

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/302

CPC classification number: H01J37/32412 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/3233 ,  H01J37/32422 ,  H01J2237/0045 ,  H01L21/2236 ,  H01J37/3023

Abstract: 本发明提供一种离子注入装置及离子注入方法，能够应对多种射束条件。离子注入装置具备构成为对向晶圆照射的离子束(B)供给电子的等离子体簇射装置(60)。等离子体簇射装置(60)包含：等离子体生成室(62)，具有引出向离子束(B)供给的电子的引出开口(64)；第1电极(71)，具有与引出开口(64)连通的开口(74)，并以等离子体生成室(62)的电位为基准而被施加第1电压；第2电极(72)，配置在隔着离子束(B)而与第1电极(71)相对置的位置，并以等离子体生成室(62)的电位为基准而被施加第2电压；以及控制部(86)，对第1电压及第2电压分别独立地进行控制并切换等离子体簇射装置(60)的动作模式。

公开(公告)号：CN107231818A

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201580050192.X

申请日：2015-09-18

Applicant: 等离子体应用有限公司

Inventor： 德米特里·亚莫利奇

IPC: H01J3/02 ,  H01J37/32 ,  H01J37/34 ,  C23C14/32

CPC classification number: C23C14/30 ,  C23C14/32 ,  H01J3/025 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/3233 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32596 ,  H01J37/32816 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3467 ,  H01J2237/06366 ,  H01J2237/3137 ,  H01J2237/332

Abstract: 一种虚拟阴极沉积装置，利用虚拟等离子体阴极产生高密度电子束以消融固体靶材。高压电脉冲电离气体产生的等离子体短时间出现在靶材前方，作为靶材附近的虚拟等离子体阴极。然后这种等离子体消失，允许被消融的靶材以等离子体羽流的形式流向衬底。多个虚拟阴极同时提供羽流以汇合成一个均匀的等离子体羽流，该等离子体羽流在附近的衬底上冷凝以导致大范围的均匀厚度薄膜的沉积。

公开(公告)号：CN1900354A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200610105750.0

申请日：2006-07-21

Applicant: 山特维克知识产权股份有限公司

Inventor： 托里尔·米尔特韦特 ,  马库斯·罗德马尔 ,  托尔比约恩·塞林德

IPC: C23C14/35

CPC classification number: H01J37/3405 ,  C23C14/022 ,  C23C14/355 ,  H01J37/3233

Abstract: 本发明涉及在磁控管溅射反应器中提高等离子体活度的装置，所述磁控管溅射反应器含有要涂层的基片，在此，原等离子体由在基片和附加电极之间施加的DC或AC电压建立。通过从DC或AC电流或它们的组合加热的热丝出来的电子的热离子发射获得提高的等离子体活度。该装置对于增加在由硬质合金、高速钢、金属陶瓷、陶瓷制品或立方氮化硼制成的切削刀片上通过磁控管溅射沉积的各层的粘合性特别有用。

公开(公告)号：CN1303953A

公开(公告)日：2001-07-18

申请号：CN00137610.1

申请日：2000-11-30

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 山口裕人 ,  金井正博 ,  小池淳 ,  大矢克典

IPC: C23C14/34

CPC classification number: H01J37/3233 ,  C23C14/355 ,  H01J37/3405

Abstract: 本发明提供了一种薄膜形成方法,其包括对溅射微粒进行电离和向衬底附近的电极供送周期性变化的电压的步骤,其中等于或者高于该周期性变化的电压的最大与最小值之间的中间值的电压的供送时间比等于或者低于该中间值的电压的供送时间要短,并且还提供了用于执行前述方法的薄膜形成装置。

公开(公告)号：CN105593972A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201480054614.6

申请日：2014-09-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·奈纳尼 ,  B·N·佐普 ,  L·多弗 ,  S·劳弗 ,  A·布兰德 ,  M·亚伯拉罕 ,  S·德稀穆克

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/302 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01J37/3233 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/8258 ,  H01L29/66795

Abstract: 在对半导体表面的软性等离子体表面处理中使用电子束等离子体源，所述半导体表面包含Ge或III-V族化合物半导体材料。

公开(公告)号：CN103003467B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201180022808.4

申请日：2011-05-06

Applicant: 弗吉尼亚大学专利基金会 ,  弗劳恩霍弗实用研究促进协会

Inventor： H.N.G.瓦德利 ,  G.马托施 ,  F-H.勒格纳 ,  B.舍费尔 ,  C.梅茨纳

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/30 ,  C23C14/22 ,  C23C14/00

CPC classification number: C23C14/325 ,  C23C14/0021 ,  C23C14/228 ,  H01J37/3053 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/3233 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32614 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/3137

Abstract: 一种等离子体辅助定向气相沉积工艺，其利用无污电弧定向气相沉积（SA-DVD）方法来在定向气相沉积设备中产生等离子体。通过电子或其他高强度定向能量束蒸发由被包含在水冷却坩埚中的一个或多个源材料产生蒸气。该蒸气被夹带在跨音速氦气或其他气体射流中并且被输运到基板用于沉积。用于蒸发的电子或其他定向能量束被同时用于电离所述蒸气和形成射流的气体（氦气，或其他包括惰性气体和反应气体的组合的气体）。被放置在电子束撞击位置附近的阳极吸引在定向能量束与靶表面的相互作用期间形成的散射电子，并使得能够形成密度高的等离子体。该等离子体首先朝向基板被夹带蒸气的气体射流通过离子拖拽机制输运。然而，如果基板是充分带电的（被电偏置），则等离子体离子被朝向基板静电加速，并且该额外的动量有助于在部件表面上的沉积和蒸气输运。