公开(公告)号：CN102105966B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN200980129479.6

申请日：2009-06-09

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 彼得·E·库鲁尼西 ,  拉傑许·都蕾 ,  科斯特尔·拜洛 ,  威尔汉·P·普拉托

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/08 ,  H01J27/16 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/0817 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/0827 ,  H01J2237/304

Abstract: 揭示一种离子植入设备、多模式离子源及多模式中的离子植入方法。在一特定例示性实施例中，可将所述技术实现为离子植入设备，其包括在多种模式下操作的离子源，使得第一模式为弧放电模式，且第二模式为RF模式。

公开(公告)号：CN102105966A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200980129479.6

申请日：2009-06-09

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 彼得·E·库鲁尼西 ,  拉傑许·都蕾 ,  科斯特尔·拜洛 ,  威尔汉·P·普拉托

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/08 ,  H01J27/16 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/0817 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/0827 ,  H01J2237/304

Abstract: 揭示一种提供多模式离子源的技术。在一特定例示性实施例中，可将所述技术实现为用于离子植入的设备，其包括在多种模式下操作的离子源，使得第一模式为弧放电模式，且第二模式为RF模式。