公开(公告)号：CN119585837A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202380053944.2

申请日：2023-06-16

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： M·A·富勒 ,  A·A·雅库巴 ,  M·V·史密斯

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67

Abstract: 一种容器包含：偏转器，其安置于衬底容器的内部中，具有纵向开口及偏转表面；及气体分配器，其经配置以提供净化气体以净化衬底容器的内部。所述气体分配器经配置使得所述净化气体的至少一部分流动到形成于所述气体分配器与所述偏转器之间的间隙中。所述偏转器经配置使得所述间隙中的所述净化气体的至少一部分流过所述纵向开口。所述偏转器将所述净化气体的气体流型从所述气体分配器引导到所述衬底容器的出口以改进所述衬底容器的净化功效。

公开(公告)号：CN119317472A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202380044323.8

申请日：2023-05-31

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： S·L·巴特尔 ,  J·托马斯

IPC: B01D46/00

Abstract: 本公开涉及一种过滤器组合件，其包含：流体入口；流体出口；导管；及过滤器。所述导管经流体连接到所述流体入口及所述过滤器。所述过滤器经流体连接到所述导管及所述流体出口。所述过滤器组合件经配置用于使以下流体中的至少一者流动：MoO2Cl2、MoOCl4、MoCl5、WCl6、WCl5、WOCl4、WO2Cl2或其任何组合。所述过滤器经配置以收集来自所述流体的钼残余物、钨残余物或其任何组合，从而产生经过滤流体。

公开(公告)号：CN119301136A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202380044329.5

申请日：2023-05-31

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： D·M·埃默特 ,  C·法法尔德 ,  T·夸纳 ,  T·M·卡梅龙

IPC: C07F7/22 ,  C23C16/455 ,  C23C16/08

Abstract: 本公开包括一种获得三卤化烷基锡、获得溶剂和使所述三卤化烷基锡与所述溶剂接触从而形成三卤化烷基锡加成物的方法。亦描述一种组合物，其包括：式RSnX3·(solv)n的三卤化烷基锡加成物，其中：R为被取代的C1‑C5烷基、未被取代的C1‑C5烷基、被取代的C1‑C5烯基或未被取代的C1‑C5烯基；X为Cl、Br或I；solv为溶剂；以及n至少为1。

公开(公告)号：CN119286600A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411401564.6

申请日：2018-01-17

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： D·怀特 ,  T·帕尔松 ,  M·怀特 ,  E·I·库珀 ,  A·达斯

IPC: C11D7/26 ,  C11D7/10 ,  C11D7/32

Abstract: 本申请涉及用于从表面去除氧化铈粒子的组合物和方法。本发明涉及一种去除组合物和工艺，其用于从上面具有化学机械抛光CMP后污染物和氧化铈粒子的微电子装置清洁所述粒子和污染物。所述组合物实现所述氧化铈粒子和CMP污染物材料从所述微电子装置的表面的高度有效去除而不会损坏低k介电材料、氮化硅或含钨材料。

公开(公告)号：CN119234014A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202380041424.X

申请日：2023-05-19

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： 阿尔科塔·约卡 ,  J·A·贾比尔 ,  D·克雷斯波 ,  S·李

IPC: C08J9/36 ,  B01D67/00 ,  B01D61/14 ,  B01D61/16 ,  B01D71/06 ,  B01D71/82

Abstract: 本公开描述在微孔膜载体的表面含有交联化氟化离子聚合物的孔洞聚合膜复合物和相关方法。

公开(公告)号：CN119137720A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202380037284.9

申请日：2023-05-31

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： A·瓦桑塔库马尔 ,  T·K·佩鲁马尔 ,  S·古达蒂 ,  M·利维

IPC: H01L21/67 ,  B08B1/12 ,  B08B1/20 ,  B08B1/34

Abstract: 提供一种用于半导体制造工艺的清洁刷。所述清洁刷包含芯及刷部件。所述芯包含圆周部分及闭端部分。所述圆周部分包围所述清洁刷的旋转轴线且界定用于接收流体的入口开口。所述闭端部分经连接到沿所述旋转轴线与所述入口开口相对的所述圆周部分的端。至少一个细长导管经界定于所述芯内且与所述入口开口流体连通，且所述圆周部分包含穿过其以与所述细长导管流体连通的多个出口通道，所述出口通道朝向所述闭端部分向外倾斜。所述刷部件经连接到所述圆周部分的外表面且覆盖所有所述出口通道。

公开(公告)号：CN119079932A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202411181682.0

申请日：2020-07-08

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： D·M·埃默特 ,  R·小赖特 ,  T·H·鲍姆 ,  B·C·亨德里克斯

IPC: C01B11/00 ,  C23C16/08 ,  C01G39/00 ,  C01G41/00

Abstract: 本发明提供一种氧卤化物前驱物。本发明提供一种制备钼和钨氧卤化物化合物的方法，所述氧卤化物化合物适用于将含有钼和钨的薄膜沉积于微电子装置的各个表面上。在本发明方法中，在固态介质中或在包含有包含碱金属盐和/或碱土金属盐的共晶掺合物的熔融相反应中加热三氧化钼或三氧化钨。由此形成的钼或钨氧卤化物可以蒸气形式分离且结晶以提供高纯性前驱物化合物，例如MoO2Cl2。

公开(公告)号：CN112289731B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202010722741.6

申请日：2020-07-24

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： S·唐奈 ,  J·莱辛斯基 ,  陈俊泓 ,  刘研

IPC: H01L21/683

Abstract: 本申请案涉及用于静电卡盘的多层的接地机构和相关方法。描述了用以在晶片处理期间紧固和支撑晶片衬底的多层静电卡盘和相关方法，其中所述卡盘包含接地结构，所述接地结构包含接地层和接地引脚。

公开(公告)号：CN118804919A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202380025171.7

申请日：2023-02-09

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： T·M·卡梅龙 ,  D·凯珀 ,  T·夸纳 ,  D·M·埃默特

IPC: C07F11/00 ,  C07F9/00 ,  C07F15/02

Abstract: 本发明的一些实施例涉及前驱物(包括中间前驱物)和其相关方法。为制备中间前驱物，将双(芳烃)金属络合物的混合物与第一芳烃组合。加热所述双(芳烃)金属络合物的混合物及所述第一芳烃并随后冷却。一经冷却，双(第一芳烃)金属络合物即从溶液沉淀以获得具有高纯度的中间前驱物。为制备前驱物，使所述双(第一芳烃)金属络合物与第二芳烃接触并加热以获得具有高纯度的前驱物。

公开(公告)号：CN118715184A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202380022024.4

申请日：2023-01-20

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： M·F·冈萨雷斯 ,  K·迈尔斯 ,  L·海斯 ,  S·古达蒂 ,  T·K·佩鲁马尔 ,  A·瓦桑塔库马尔 ,  M·利维

IPC: C03B9/447 ,  C03B35/04

Abstract: 本公开描述自动化玻璃制造设备，且具体来说涉及被称为“取出固持器”的装置，以及使用所述取出固持器的系统及制造并使用所述取出固持器的方法。