公开(公告)号：CN105900208A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201480068636.8

申请日：2014-12-19

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 谢泽仁 ,  奈尔·卡尔文

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/0268 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/31705

Abstract: 一种针对离子注入系统的离子源室(120)包括：外壳，至少部分地界定离子化区域，高能电子会从阴极(124)移动穿过所述离子化区域，以对注入所述外壳内部的气体分子进行离子化；衬垫区段(133、135、137、139)，限定所述外壳内部的一个或更多个内壁，其中每个衬垫区段包括面向内部表面，所述面向内部表面在所述离子注入系统的操作期间暴露于所述离子化区域；阴极屏蔽(153)，布置在所述阴极周围；排斥极(180)，与所述阴极相分离；板(128)，包括用于从离子源室释放离子的源孔(126)；其中，所述排斥极、所述衬垫区段、所述阴极屏蔽、所述板或在限定源孔的板中的插入件中的至少一个包括碳化硅，其中，碳化硅具有超额碳的非化学计量烧结材料。

公开(公告)号：CN103222029B

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201180055553.1

申请日：2011-11-17

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 奈尔·卡尔文 ,  谢泽仁

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/022

Abstract: 公开的是用于提高离子源的性能和延长离子源的寿命的离子注入系统。将含氟掺杂气源与一种或多种助气一起引入至离子室中。一种或多种助气可以包括氢或氪。助气缓和了由离子源室中的自由氟离子所引起的导致离子源故障的效果。

公开(公告)号：CN102473575B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201080031271.3

申请日：2010-07-15

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 奈尔·卡尔文

IPC: H01J37/09 ,  H01J37/317 ,  H01J3/40 ,  H01J37/02

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J3/40 ,  H01J37/026 ,  H01J37/09 ,  H01J2237/0041 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/31705

Abstract: 提供一种用于在离子植入系统中减少粒子污染的设备。该设备包括外壳(250)，该外壳具有入口(260)、出口(262)和至少一个进气口叶片侧(264)，所述至少一个进气口叶片侧具有在其内限定的多个进气口叶片(266)。离子植入系统的射束线(P)通过该入口和出口，其中所述至少一个进气口叶片侧的多个进气口叶片被配置成机械地过滤沿射束线行进的离子束的边缘。该外壳可具有两个进气口叶片侧(254A，B)和一个进气口叶片顶部(278)，其中当垂直于该射束线测量时，该外壳的入口和出口的各自的宽度大致由两个进气口叶片侧相对于彼此的位置限定。所述进气口叶片侧的一个或多个可调整地安装，其中该外壳的入口和出口中的一个或多个的宽度可控制。

公开(公告)号：CN103222029A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201180055553.1

申请日：2011-11-17

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 奈尔·卡尔文 ,  谢泽仁

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/022

Abstract: 公开的是用于提高离子源的性能和延长离子源的寿命的离子注入系统。将含氟掺杂气源与一种或多种助气一起引入至离子室中。一种或多种助气可以包括氢或氪。助气缓和了由离子源室中的自由氟离子所引起的导致离子源故障的效果。

公开(公告)号：CN105900208B

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201480068636.8

申请日：2014-12-19

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 谢泽仁 ,  奈尔·卡尔文

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/0268 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/31705

Abstract: 一种针对离子注入系统的离子源室(120)包括：外壳，至少部分地界定离子化区域，高能电子会从阴极(124)移动穿过所述离子化区域，以对注入所述外壳内部的气体分子进行离子化；衬垫区段(133、135、137、139)，限定所述外壳内部的一个或更多个内壁，其中每个衬垫区段包括面向内部表面，所述面向内部表面在所述离子注入系统的操作期间暴露于所述离子化区域；阴极屏蔽(153)，布置在所述阴极周围；排斥极(180)，与所述阴极相分离；板(128)，包括用于从离子源室释放离子的源孔(126)；其中，所述排斥极、所述衬垫区段、所述阴极屏蔽、所述板或在限定源孔的板中的插入件中的至少一个包括碳化硅，其中，碳化硅具有超额碳的非化学计量烧结材料。

公开(公告)号：CN106463318A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580030952.0

申请日：2015-05-29

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 奈尔·卡尔文 ,  谢泽仁

IPC: H01J27/20 ,  H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/205 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/061

Abstract: 用于离子注入系统的离子源室(132)具有能够减少离子源室的内壁上的表面膜积层的分层的带纹理表面。由热膨胀产生的残余应力由于温度变化和膜与衬底(衬垫)之间的残余拉伸应力而错配。纹理特征改变宽度与厚度比，使得所述纹理特征在其达到的断裂拉伸应力时剥落。机器纹理表面增加在离子源室的表面上生长的膜的机械互锁，从而延迟分层并减小所获得的薄片的尺寸，从而降低薄片将偏压组件桥接到地面基准表面并相应地增加离子源(130)的寿命。

公开(公告)号：CN103201820B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180016818.7

申请日：2011-03-16

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 奈尔·卡尔文 ,  张锦程

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/04 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/047 ,  H01J2237/04735 ,  H01J2237/04756

Abstract: 提供一种用于减小离子注入系统（100）中的颗粒污染的方法和系统，其中离子注入系统具有源（120）、质量分析器（136）、解析孔（138）、减速抑制板（146）以及终端站（106）。通过离子源形成离子束（114），而工件（110）在外部环境和用于离子注入的终端站之间转移。在转移工件的同时，调制施加到减速抑制板的减速抑制电压（148），使离子束扩张和收缩，其中解析孔的一个或更多表面及/或在解析孔下游的一个或更多部件受到离子束的冲击，其中减小由于之前沉积的物质残留在所述一个或更多表面上而造成的以后对工件的污染。通过移除之前沉积的物质或者将之前沉积的物质有力地附着到所述一个或更多表面，能够减轻污染。

公开(公告)号：CN103229271A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201180055586.6

申请日：2011-11-17

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 奈尔·卡尔文 ,  谢泽仁

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J27/022 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/08

Abstract: 提供的是用于增加离子注入器中的离子源寿命的系统、设备和方法。通过采用氢助气控制由含碳和氧的源气导致的离子源氧化和离子源室中毒，所述氢助气与自由氧原子反应以形成氢氧化物和水。

公开(公告)号：CN102473575A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080031271.3

申请日：2010-07-15

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 奈尔·卡尔文

IPC: H01J37/09 ,  H01J37/317 ,  H01J3/40 ,  H01J37/02

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J3/40 ,  H01J37/026 ,  H01J37/09 ,  H01J2237/0041 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/31705

Abstract: 提供一种用于在离子植入系统中减少粒子污染的设备。该设备包括外壳(250)，该外壳具有入口(260)、出口(262)和至少一个进气口叶片侧(264)，所述至少一个进气口叶片侧具有在其内限定的多个进气口叶片(266)。离子植入系统的射束线(P)通过该入口和出口，其中所述至少一个进气口叶片侧的多个进气口叶片被配置成机械地过滤沿射束线行进的离子束的边缘。该外壳可具有两个进气口叶片侧(254A，B)和一个进气口叶片顶部(278)，其中当垂直于该射束线测量时，该外壳的入口和出口的各自的宽度大致由两个进气口叶片侧相对于彼此的位置限定。所述进气口叶片侧的一个或多个可调整地安装，其中该外壳的入口和出口中的一个或多个的宽度可控制。

公开(公告)号：CN101523546A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780037763.1

申请日：2007-10-10

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： W·戴维斯·李 ,  奈尔·卡尔文

IPC: H01J37/244 ,  H01J37/317 ,  G01T1/29

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/244 ,  H01J2237/24405 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/24535 ,  H01J2237/31703 ,  H01J2237/31705

Abstract: 与处理工具一起使用的法拉第杯结构(110)。所述杯结构具有被耦合至电路的导电冲击板，用于监视撞击所述冲击板(120)的离子，以获得所述离子束电流的指示。遮罩(122)放置在所述导电冲击板前面，用于把离子束横截面分割成区域或部分。所述遮罩包括延伸至所述冲击板的壁，用于阻止到达所述传感器的离子和从所述传感器移除的颗粒进入到所述处理工具的被抽空的区域中。