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公开(公告)号：CN103229271B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201180055586.6
申请日：2011-11-17
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/317
Abstract: 提供的是用于增加离子注入器中的离子源寿命的系统、设备和方法。通过采用氢助气控制由含碳和氧的源气导致的离子源氧化和离子源室中毒，所述氢助气与自由氧原子反应以形成氢氧化物和水。
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公开(公告)号：CN105900208A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201480068636.8
申请日：2014-12-19
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/0213 , H01J2237/0268 , H01J2237/082 , H01J2237/31705
Abstract: 一种针对离子注入系统的离子源室(120)包括：外壳，至少部分地界定离子化区域，高能电子会从阴极(124)移动穿过所述离子化区域，以对注入所述外壳内部的气体分子进行离子化；衬垫区段(133、135、137、139)，限定所述外壳内部的一个或更多个内壁，其中每个衬垫区段包括面向内部表面，所述面向内部表面在所述离子注入系统的操作期间暴露于所述离子化区域；阴极屏蔽(153)，布置在所述阴极周围；排斥极(180)，与所述阴极相分离；板(128)，包括用于从离子源室释放离子的源孔(126)；其中，所述排斥极、所述衬垫区段、所述阴极屏蔽、所述板或在限定源孔的板中的插入件中的至少一个包括碳化硅，其中，碳化硅具有超额碳的非化学计量烧结材料。
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公开(公告)号：CN105900208B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201480068636.8
申请日：2014-12-19
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/0213 , H01J2237/0268 , H01J2237/082 , H01J2237/31705
Abstract: 一种针对离子注入系统的离子源室(120)包括：外壳，至少部分地界定离子化区域，高能电子会从阴极(124)移动穿过所述离子化区域，以对注入所述外壳内部的气体分子进行离子化；衬垫区段(133、135、137、139)，限定所述外壳内部的一个或更多个内壁，其中每个衬垫区段包括面向内部表面，所述面向内部表面在所述离子注入系统的操作期间暴露于所述离子化区域；阴极屏蔽(153)，布置在所述阴极周围；排斥极(180)，与所述阴极相分离；板(128)，包括用于从离子源室释放离子的源孔(126)；其中，所述排斥极、所述衬垫区段、所述阴极屏蔽、所述板或在限定源孔的板中的插入件中的至少一个包括碳化硅，其中，碳化硅具有超额碳的非化学计量烧结材料。
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公开(公告)号：CN106463318A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580030952.0
申请日：2015-05-29
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J27/20 , H01J37/08 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/08 , H01J27/205 , H01J37/3171 , H01J2237/0213 , H01J2237/061
Abstract: 用于离子注入系统的离子源室(132)具有能够减少离子源室的内壁上的表面膜积层的分层的带纹理表面。由热膨胀产生的残余应力由于温度变化和膜与衬底(衬垫)之间的残余拉伸应力而错配。纹理特征改变宽度与厚度比，使得所述纹理特征在其达到的断裂拉伸应力时剥落。机器纹理表面增加在离子源室的表面上生长的膜的机械互锁，从而延迟分层并减小所获得的薄片的尺寸，从而降低薄片将偏压组件桥接到地面基准表面并相应地增加离子源(130)的寿命。
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公开(公告)号：CN103222029B
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201180055553.1
申请日：2011-11-17
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/08 , H01J2237/006 , H01J2237/022
Abstract: 公开的是用于提高离子源的性能和延长离子源的寿命的离子注入系统。将含氟掺杂气源与一种或多种助气一起引入至离子室中。一种或多种助气可以包括氢或氪。助气缓和了由离子源室中的自由氟离子所引起的导致离子源故障的效果。
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公开(公告)号：CN103270583A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201180054249.5
申请日：2011-11-12
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67213 , H01J37/185 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01J2237/184 , H01J2237/2001 , H01J2237/24585 , H01L21/67115 , H01L21/67201 , H01L21/67248
Abstract: 本发明提供一种用于在冷离子注入中消减凝露的离子注入系统、方法及设备。离子注入设备构造为将离子提供至放置在加工室中的工件。在该工件暴露于复数个离子的过程中，低温夹具支撑该工件。该低温夹具进一步构造为冷却该工件至加工温度，其中该加工温度系低于外部环境的露点。承载闸室将加工室的加工环境与外部环境隔离。光源在该工件存在于该承载闸室中的同时提供预定波长的电磁辐射至该工件，其中该预定波长或波长范围与该工件的最大辐射能量吸收范围有关，其中该光源构造为选择性地加热该工件。
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公开(公告)号：CN103222029A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201180055553.1
申请日：2011-11-17
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/08 , H01J2237/006 , H01J2237/022
Abstract: 公开的是用于提高离子源的性能和延长离子源的寿命的离子注入系统。将含氟掺杂气源与一种或多种助气一起引入至离子室中。一种或多种助气可以包括氢或氪。助气缓和了由离子源室中的自由氟离子所引起的导致离子源故障的效果。
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公开(公告)号：CN103229271A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201180055586.6
申请日：2011-11-17
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J27/022 , H01J37/08 , H01J2237/006 , H01J2237/08
Abstract: 提供的是用于增加离子注入器中的离子源寿命的系统、设备和方法。通过采用氢助气控制由含碳和氧的源气导致的离子源氧化和离子源室中毒，所述氢助气与自由氧原子反应以形成氢氧化物和水。
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