公开(公告)号：CN105372944B

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201410829755.2

申请日：2014-12-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王世奇 ,  简聪智 ,  黄晖闵 ,  许照荣 ,  林世杰 ,  林本坚

IPC: G03F7/20

CPC classification number: H01J37/3177 ,  H01J37/045 ,  H01J37/10 ,  H01J37/12 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/0435 ,  H01J2237/1205

Abstract: 本发明公开了用于带电粒子多束光刻系统的装置。该装置包括多个带电粒子双合透镜，每个双合透镜均具有第一孔径并且均配置为缩小入射在第一孔径上的细光束，从而产生缩小的细光束。该装置还包括多个带电粒子透镜，每个带电粒子透镜均与带电粒子双合透镜中的一个相关，每个带电粒子透镜均具有第二孔径，并且每个带电粒子透镜均配置为从相关的带电粒子双合透镜接受缩小的细光束并且实现以下两种状态中的一种：开启状态，其中允许缩小的细光束沿着期望的路径传输，以及关闭状态，其中阻止缩小的细光束沿着期望的路径传输。在实施例中，第一孔径大于第二孔径，从而改进带电粒子多束光刻系统中的粒子束效率。

公开(公告)号：CN104795303B

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201510083714.8

申请日：2010-05-19

Applicant: 迈普尔平版印刷IP有限公司

Inventor： T.范德皮尤特 ,  M.J-J.维兰德

IPC: H01J37/317 ,  B82Y40/00 ,  B82Y10/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01J37/3026 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/70475 ,  G06T1/20 ,  G06T1/60 ,  H01J37/045 ,  H01J37/3002 ,  H01J37/3174 ,  H01J37/3175 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/3175 ,  H01J2237/31761 ,  H01J2237/31764 ,  H04N1/405

Abstract: 本发明提出一种使用带电粒子光刻机器根据图案数据将晶片曝光的方法，其中该带电粒子光刻机器生成用于将所述晶片曝光的多个带电粒子小束，该方法包括：提供所述图案数据作为向量格式的剂量映射；栅格化所述图案数据，所述栅格化包括渲染向量剂量映射以生成多级灰度数据和将所述多级灰度图案数据递色以生成两级黑/白数据；将所述两级黑/白图案数据供应给所述带电粒子光刻机器；和基于所述两级黑/白数据将所述带电粒子光刻机器生成的小束接通或切断；其中所述方法包括对所述向量剂量映射和/或所述多级灰度数据和/或所述两级黑/白数据作出修正调整，以修正小束位置、尺寸、电流或其他特性的变化。

公开(公告)号：CN106537556A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201480080745.1

申请日：2014-12-22

Applicant: 英特尔公司

Inventor： Y·A·波罗多维斯基

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/2037 ,  H01J37/045 ,  H01J37/3026 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/0435 ,  H01J2237/0453 ,  H01J2237/303 ,  H01J2237/30422 ,  H01J2237/30438 ,  H01J2237/31762 ,  H01J2237/31764 ,  H01J2237/31769 ,  H01L21/0277 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76816

Abstract: 描述了适合于互补型电子束光刻(CEBL)的光刻装置和涉及互补型电子束光刻(CEBL)的方法。在示例中，用于电子束直接写入光刻工具的列包括第一阻断器孔阵列(BAA)，该第一阻断器孔阵列(BAA)包括沿着阵列方向具有节距的开口的交错阵列。阵列方向与扫描方向正交。每个开口在阵列方向上都具有第一尺寸。列还包括第二BAA，该第二BAA包括沿着阵列方向具有节距的开口的交错阵列。每个开口在阵列方向上都具有第二尺寸，第二尺寸大于第一尺寸。

公开(公告)号：CN106463348A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201480078801.8

申请日：2014-12-19

Applicant: 英特尔公司

Inventor： D·W·纳尔逊 ,  Y·A·波罗多维斯基 ,  M·C·菲利普斯 ,  R·M·比格伍德

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  G03F7/2059 ,  G03F7/7045 ,  H01J37/045 ,  H01J37/3026 ,  H01J37/3174 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/0435 ,  H01J2237/0453 ,  H01J2237/303 ,  H01J2237/30422 ,  H01J2237/30438 ,  H01J2237/31762 ,  H01J2237/31764 ,  H01L21/0277

Abstract: 描述了适合于互补型电子束光刻(CEBL)的光刻装置和涉及互补型电子束光刻(CEBL)的方法。在示例中，一种用于电子束工具简化的数据压缩或数据缩减的方法涉及提供数据量以写入列区域并且针对晶圆上的区域边缘位置误差调整所述列区域，其中，所述数据量局限于用于对大约10％或更少的所述列区域进行图案化的数据。所述方法还涉及使用所述数据量在晶圆上执行电子束写入。

公开(公告)号：CN103858211B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201280048943.0

申请日：2012-09-27

Applicant: 株式会社PARAM

Inventor： 安田洋

IPC: H01L21/027 ,  H01J37/305

CPC classification number: H01J37/147 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/045 ,  H01J37/3007 ,  H01J37/3026 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/0437 ,  H01J2237/31762 ,  H01J2237/31764 ,  H01J2237/31774

Abstract: 本发明形成间隔为波束尺寸整数倍的二维平面内的正方形格栅矩阵波束群，通过位映像信号打开/关闭待光刻的元件的网格，修整希望的波束形状，将波束偏向于需要位置，波束状态稳定后，打开全体遮光器，通过照射波束而获得高精度且高速的光刻图案。提供给各波束的打开/关闭信号和向量扫描信号，在波束稳定后，解除全体遮光器，并且从而以少数数据量进行高精度、高速的光刻。当全体拍摄数量超过一定值时，修改图案数据并且实现高速光刻。半导体反偏压PN结技术被优选地用于个别遮光电极。

公开(公告)号：CN104810232A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201510084685.7

申请日：2010-05-19

Applicant: 迈普尔平版印刷IP有限公司

Inventor： T.范德皮尤特 ,  M.J-J.维兰德

IPC: H01J37/317 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01J37/3026 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/70475 ,  G06T1/20 ,  G06T1/60 ,  H01J37/045 ,  H01J37/3002 ,  H01J37/3174 ,  H01J37/3175 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/3175 ,  H01J2237/31761 ,  H01J2237/31764 ,  H04N1/405

Abstract: 本发明涉及二次扫描，具体提出一种根据图案数据将晶片曝光的带电粒子光刻系统，该系统包括：电子光学柱，用于生成曝光晶片的多个电子小束，所述电子光学柱包括用于将所述小束接通或切断的小束阻断器阵列；将用于控制所述小束的切换的小束控制数据提供给所述小束阻断器阵列的数据路径；和晶片定位系统，用于在所述电子光学柱下方以x-方向移动晶片，所述晶片定位系统被提供以来自所述数据路径的同步信号，以将所述晶片与来自所述电子光学柱的电子束对准；其中所述数据路径包括用于处理图案数据并生成所述小束控制数据的一个或多个处理单元和用于将所述小束控制数据传送到所述小束阻断器阵列的一条或多条传输信道。

公开(公告)号：CN102460631B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201080032733.3

申请日：2010-05-19

Applicant: 迈普尔平版印刷IP有限公司

Inventor： T.范德皮尤特 ,  M.J-J.维兰德

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3026 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/70475 ,  G06T1/20 ,  G06T1/60 ,  H01J37/045 ,  H01J37/3002 ,  H01J37/3174 ,  H01J37/3175 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/3175 ,  H01J2237/31761 ,  H01J2237/31764 ,  H04N1/405

Abstract: 本发明提出一种使用多个带电粒子小束将晶片曝光的方法。该种方法包含：识别在这些小束中的无作用小束；分配这些小束的第一子集，其用于将晶片的第一部分曝光，第一子集不包括所识别的无作用小束；执行第一扫描，其使用这些小束的第一子集将晶片的第一部分曝光；分配这些小束的第二子集，其用于将晶片的第二部分曝光，第二子集也不包括所识别的无作用小束；以及，执行第二扫描，其使用这些小束的第二子集以将晶片的第二部分曝光；其中晶片的第一与第二部分不重迭且合起来包含将被曝光的晶片的完整区域。

公开(公告)号：CN104253025A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201410282732.4

申请日：2014-06-23

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 森田知之 ,  村木真人

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01J37/045 ,  H01J37/3007 ,  H01J37/3174 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/0435

Abstract: 公开了消隐装置、绘制装置和物品的制造方法。本发明提供一种消隐装置，该消隐装置包括：多个消隐器，被配置成相对于物体上的目标位置分别使多个射束消隐；和驱动设备，被配置成驱动多个消隐器，其中，驱动设备包括改变设备，该改变设备被配置成改变多个射束中的射束的组合和目标剂量之间的关系。

公开(公告)号：CN102648509A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201080053362.7

申请日：2010-10-08

Applicant: 迈普尔平版印刷IP有限公司

Inventor： J·J·科宁 ,  S·W·H·斯藤布林克 ,  B·施普尔

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/12

CPC classification number: H01J37/3174 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/045 ,  H01J37/12 ,  H01J2237/0435 ,  H01J2237/1205

Abstract: 本发明涉及用于将大量带电粒子小射束引导至位于下游方向上的图像平面上的投射透镜组件模块和用于组装这种投射透镜组件的方法。具体地讲，本发明公开了结构集成度增强和/或最下游电极的安置精度增大的模块化投射透镜组件。

公开(公告)号：CN100543920C

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200480014578.7

申请日：2004-05-27

Applicant: 迈普尔平版印刷IP有限公司

Inventor： 彼得·克勒伊特 ,  马尔科·扬-哈科·威兰

IPC: H01J37/30

CPC classification number: H01J37/3007 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/045 ,  H01J37/3174 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/0435 ,  H01J2237/045 ,  H01J2237/0453 ,  H01J2237/0492 ,  H01J2237/1501

Abstract: 本发明涉及用于带电粒子束曝光装置的带电粒子光学系统，该系统包括：第一光圈装置，包括至少一个基本上圆形的第一光圈，用于部分屏蔽用来形成至少一个带电粒子小射束的发射的带电粒子束；透镜系统，包括至少一个用来将来自于所述第一光圈的带电粒子小射束进行聚焦的透镜，将其聚焦在该透镜的图像焦平面内或附近；偏转器装置，基本上位于该图像焦平面内，包括至少一个小射束偏转器，该偏转器用来在接收到控制信号后偏转经过的所述带电粒子小射束；以及第二光圈装置，包括至少一个位于第一光圈的共轭平面内的基本上圆形的第二光圈，并且该第二光圈与该第一光圈以及该小射束偏转器对准，用来阻挡由小射束偏转器偏转的带电粒子束，或者让其通过。