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公开(公告)号：CN107807492A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201710790213.2
申请日：2017-09-05
申请人： 三星显示有限公司
CPC分类号： G03F1/00 , G03F7/70475
摘要： 本发明公开一种利用曝光用掩膜的曝光方法，曝光用掩膜包括：普通区域；第一边缘位置区域，与所述普通区域的一侧相邻且被划分成多个单元；第二边缘位置区域，与所述普通区域的与所述一侧相向的另一侧相邻，并被划分成多个单元，且具有与所述第一边缘位置区域相同的面积。在所述普通区域中形成有用于在作为被曝光部件的基板形成曝光图案的图案，在所述第一边缘位置区域中，在第一单元内形成有A图案，在对应于所述第一单元的位置的所述第二边缘位置区域的第二单元内形成有B图案，如果所述A图案和所述B图案被双重曝光，则形成与所述普通区域的曝光图案相同的曝光图案。
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公开(公告)号：CN104808451B
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201510249494.1
申请日：2015-05-15
申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G03F9/00
CPC分类号： G03F7/0007 , G02F1/133516 , G02F2001/133519 , G03F1/42 , G03F7/22 , G03F7/70475 , G03F9/7084
摘要： 本发明公开一种对位曝光方法，涉及显示面板制造技术领域，为解决使用现有的对位曝光方法无法实现对大于掩膜板尺寸的透明基板进行曝光的问题。所述对位曝光方法，包括一次对位曝光过程和二次对位曝光过程，一次对位曝光过程中在透明基板的至少一侧边缘形成多对对位标记，二次对位曝光过程中使用的掩膜板的至少一侧边缘上设有一对标记孔；在二次对位曝光过程的多次掩膜板对位过程中，使掩膜板上的一对标记孔逐一与透明基板上对应侧的各对对位标记对正。本发明提供的对位曝光方法用于对大于掩膜板尺寸的透明基板进行多次拼接的二次曝光。所述对位曝光方法用于显示基板的制作。
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公开(公告)号：CN104391431B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410766896.4
申请日：2014-12-12
申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70775 , G03F1/00 , G03F7/20 , G03F7/70475 , G03F7/7085 , G03F9/7046 , G03F9/7088 , H01L21/027
摘要： 本发明提供了一种曝光显影方法和系统，该方法用于在基板大于掩膜板时对基板的曝光显影，包括：利用所述掩膜板分别对基板多个不同区域进行曝光显影，所述多个不同区域拼接为全部需要曝光显影的区域。采用本发明提供的曝光显影方法，能够使得低世代生产线生产较大尺寸的彩膜基板，从而提高产线利用率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN104698770A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410680171.3
申请日：2014-11-24
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： H01L22/12 , G03F7/70475
摘要： 本公开涉及用于利用接近式拼接度量的光刻图像场的制作的方法。提供了一种在半导体制造过程期间确定半导体层上的多个光刻曝光的场中的拼接误差的方法。所述方法可以包括：接收与和多个光刻曝光的场关联的多个瓣状区对应的预定设计距离；以及在度量工具的单个视场(FOV)内识别花状区，其中所述花状区由与所述多个光刻曝光的场对应的角的非重叠邻接形成。所述花状区可以包括与所述多个光刻曝光的场关联的多个瓣状区。然后可以基于所述花状区内的多个瓣状区中的每一个的坐标位置和预定设计距离两者来计算瓣状区位置误差，由此计算的瓣状区位置误差指示所述多个光刻曝光的场的拼接误差。
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公开(公告)号：CN104391431A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410766896.4
申请日：2014-12-12
申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70775 , G03F1/00 , G03F7/20 , G03F7/70475 , G03F7/7085 , G03F9/7046 , G03F9/7088 , H01L21/027
摘要： 本发明提供了一种曝光显影方法和系统，该方法用于在基板大于掩膜板时对基板的曝光显影，包括：利用所述掩膜板分别对基板多个不同区域进行曝光显影，所述多个不同区域拼接为全部需要曝光显影的区域。采用本发明提供的曝光显影方法，能够使得低世代生产线生产较大尺寸的彩膜基板，从而提高产线利用率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN101794082B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201010144753.1
申请日：2005-11-07
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： P·W·H·德贾格 , C·-Q·桂 , J·F·F·克林哈梅 , E·霍贝里奇特斯
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70475 , G03F7/70275 , G03F7/70291 , G03F7/70358
摘要： 本发明公开了一种光刻装置和器件制造方法。照射系统提供辐射光束。带图案的光束被投射到基底的目标部分上。位移系统引起基底和光束之间的相对位移。设置所述投影系统，使得每条光束沿基底上的相应一条轨迹进行扫描。所述轨迹重叠，使得每条轨迹包括一个仅被一条光束稻苗的第一部分和至少一个与相邻轨迹重叠且被两条光束扫描的第二部分。朝向所述轨迹的第一部分引导的每一条光束的第一部分的最大强度大于朝向所述轨迹的第二部分引导的所述光束第二部分的最大强度，使得所述轨迹的第一部分和第二部分曝光于具有大体上相同的最大强度的辐射中。相邻光束的这种重叠和光束强度的调节允许光学印记接合在一起，从而能够在单次扫描中曝光较大面积的基底。
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公开(公告)号：CN101553750B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200680052352.5
申请日：2006-10-24
申请人： 石井房雄
发明人： 石井房雄
IPC分类号： G02B26/00 , G03B27/32 , G03B27/52 , G03B27/58 , G03B27/62 , G03B27/72 , B41J2/47 , B41J15/14 , B41J27/00 , G03C5/00 , G02B5/08 , G02B26/08 , G03B27/42 , G03B27/54 , B41J2/455 , G03B9/00 , G06F17/50
CPC分类号： G03F7/70475 , G02B26/0833 , G03F7/70291
摘要： 一个平版印刷扫描设备包含一个用以无缝隙地，均匀地投射一扫描光到曝光区域上的光投装置。该光投射装置进一步包含一具有预定的反射系数变化分布图样微镜阵列，该微镜阵列的微镜被覆盖以不同反射系数的反射覆盖层以提供所说预定的反射系数变化分布图样，以在整个曝光区域进行无缝隙地，均匀地反射光扫描。在另一个平版印刷扫描装置中，该微镜阵列的微镜被覆盖以降低反射系数的条纹，借此每个微镜可以预定的总反射系数，可具有该预定的反射系数变化的分布图样。所述的分布图样是一个反射系数从所述微镜阵列的边缘向着中心区域逐渐增加的图样。
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公开(公告)号：CN102460631A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080032733.3
申请日：2010-05-19
申请人： 迈普尔平版印刷IP有限公司
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3026 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/70475 , G06T1/20 , G06T1/60 , H01J37/045 , H01J37/3002 , H01J37/3174 , H01J37/3175 , H01J37/3177 , H01J2237/3175 , H01J2237/31761 , H01J2237/31764 , H04N1/405
摘要： 本发明提出一种使用多个带电粒子小束将晶片曝光的方法。该种方法包含：识别在这些小束中的无作用小束；分配这些小束的第一子集，其用于将晶片的第一部分曝光，第一子集不包括所识别的无作用小束；执行第一扫描，其使用这些小束的第一子集将晶片的第一部分曝光；分配这些小束的第二子集，其用于将晶片的第二部分曝光，第二子集也不包括所识别的无作用小束；以及，执行第二扫描，其使用这些小束的第二子集以将晶片的第二部分曝光；其中晶片的第一与第二部分不重迭且合起来包含将被曝光的晶片的完整区域。
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公开(公告)号：CN101794082A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010144753.1
申请日：2005-11-07
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： P·W·H·德贾格 , C·-Q·桂 , J·F·F·克林哈梅 , E·霍贝里奇特斯
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70475 , G03F7/70275 , G03F7/70291 , G03F7/70358
摘要： 公开了一种光刻装置和器件制造方法。照射系统提供辐射光束。带图案的光束被投射到基底的目标部分上。位移系统引起基底和光束之间的相对位移。设置所述投影系统，使得每条光束沿基底上的相应一条轨迹进行扫描。所述轨迹重叠，使得每条轨迹包括一个仅被一条光束稻苗的第一部分和至少一个与相邻轨迹重叠且被两条光束扫描的第二部分。朝向所述轨迹的第一部分引导的每一条光束的第一部分的最大强度大于朝向所述轨迹的第二部分引导的所述光束第二部分的最大强度，使得所述轨迹的第一部分和第二部分曝光于具有大体上相同的最大强度的辐射中。相邻光束的这种重叠和光束强度的调节允许光学印记接合在一起，从而能够在单次扫描中曝光较大面积的基底。
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公开(公告)号：CN100357829C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN03136807.7
申请日：2003-04-10
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： M·J·E·范德穆斯迪克 , K·西蒙 , E·范登布林克
IPC分类号： G03F7/00 , G03F9/00 , G06F9/00 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70475 , G03F7/70466
摘要： 为了印制大面积的器件的各层，选择一个投射区域使接缝误差最小化，其中大面积的器件是在多于一个靶区或印模上延伸的器件。优选地，选取该透射区域是基于表征待使用的投射透镜的数据，而且选取该投射区域以便使投射图案中位置误差之间的差别最小化，其中投射图案位于该区域的对边上。
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