公开(公告)号：CN107807492B

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN201710790213.2

申请日：2017-09-05

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 崔容硕 ,  朴栽洪 ,  姜珉

IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F7/20

摘要： 本发明公开一种利用曝光用掩膜的曝光方法，曝光用掩膜包括：普通区域；第一边缘位置区域，与所述普通区域的一侧相邻且被划分成多个单元；第二边缘位置区域，与所述普通区域的与所述一侧相向的另一侧相邻，并被划分成多个单元，且具有与所述第一边缘位置区域相同的面积。在所述普通区域中形成有用于在作为被曝光部件的基板形成曝光图案的图案，在所述第一边缘位置区域中，在第一单元内形成有A图案，在对应于所述第一单元的位置的所述第二边缘位置区域的第二单元内形成有B图案，如果所述A图案和所述B图案被双重曝光，则形成与所述普通区域的曝光图案相同的曝光图案。

公开(公告)号：CN118695690A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410213971.8

申请日：2024-02-27

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 方廷硕 ,  姜珉 ,  梁志薰

IPC分类号： H10K59/122 ,  H10K59/12 ,  H10K59/123

摘要： 提供了显示装置。显示装置包括衬底、第一像素电极和像素限定层，第一像素电极在衬底上面，其中第一像素电极的第一部分与衬底之间的第一距离不同于第一像素电极的第二部分与衬底之间的第二距离，像素限定层覆盖第一像素电极的部分并且具有暴露第一像素电极的中心部分的第一开口，其中在像素限定层的覆盖第一部分的第一限定部分处的第一开口的内表面的第一锥角不同于在像素限定层的覆盖第二部分的第二限定部分处的第一开口的内表面的第二锥角。

公开(公告)号：CN116149128A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202310185486.X

申请日：2015-08-03

申请人： 三星显示有限公司 ,  延世大学校产学协力团

发明人： 孙龙 ,  姜珉 ,  金奉演 ,  李贤珠 ,  孔香植 ,  周振豪 ,  金敬植 ,  白承化

IPC分类号： G03F1/26 ,  G03F1/32 ,  G03F1/56

摘要： 提供用于光刻的掩模、制造其的方法和利用其制造基底的方法。用于光刻的掩模包括：透明基底；相移图案，位于透明基底上并被构造为改变光的相位；介电层，位于透明基底上；以及负折射率超材料层，位于介电层上。

公开(公告)号：CN107807492A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201710790213.2

申请日：2017-09-05

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 崔容硕 ,  朴栽洪 ,  姜珉

IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F1/00 ,  G03F7/70475

摘要： 本发明公开一种利用曝光用掩膜的曝光方法，曝光用掩膜包括：普通区域；第一边缘位置区域，与所述普通区域的一侧相邻且被划分成多个单元；第二边缘位置区域，与所述普通区域的与所述一侧相向的另一侧相邻，并被划分成多个单元，且具有与所述第一边缘位置区域相同的面积。在所述普通区域中形成有用于在作为被曝光部件的基板形成曝光图案的图案，在所述第一边缘位置区域中，在第一单元内形成有A图案，在对应于所述第一单元的位置的所述第二边缘位置区域的第二单元内形成有B图案，如果所述A图案和所述B图案被双重曝光，则形成与所述普通区域的曝光图案相同的曝光图案。

公开(公告)号：CN105319833A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510479333.1

申请日：2015-08-03

申请人： 三星显示有限公司 ,  延世大学校产学协力团

发明人： 孙龙 ,  姜珉 ,  金奉演 ,  李贤珠 ,  孔香植 ,  周振豪 ,  金敬植 ,  白承化

IPC分类号： G03F1/26 ,  G03F1/56

CPC分类号： G03F1/26 ,  G03F1/32 ,  G03F1/50

摘要： 提供用于光刻的掩模、制造其的方法和利用其制造基底的方法。用于光刻的掩模包括：透明基底；相移图案，位于透明基底上并被构造为改变光的相位；介电层，位于透明基底上；以及负折射率超材料层，位于介电层上。