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公开(公告)号：CN108319103A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810034453.4
申请日：2018-01-15
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/26 , G03F1/62 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/26 , G03F1/62 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种用于形成显示装置用相移掩模的相移掩模坯料，所述显示装置用相移掩模具有优异的图案截面形状及优异的CD均匀性、且形成了微细的图案而使转印精度变得良好。该相移掩模坯料在透明基板上具备相移膜，相移膜由金属系材料或金属硅化物系材料构成，相移膜具有相移层、配置于该相移层的上侧的减反射层、以及配置于相移层和减反射层之间的中间层，中间层是具有比减反射层的金属含有率更高的金属含有率的金属系材料、或者是具有比减反射层的金属和硅的总含有率更高的总含有率的金属硅化物系材料，相移膜的膜面反射率在350nm～436nm的波长范围为15％以下，相移膜对于从透明基板侧入射的光的背面反射率在365nm～436nm的波长范围为20％以下。
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公开(公告)号：CN103123442B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201210543966.0
申请日：2012-11-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G06F19/00 , G03F1/0046 , G03F1/26 , G03F1/80
Abstract: 本发明涉及图案形成膜的刻蚀条件的测评。具体地，连同光掩模坯料，其包括透明衬底、图案形成膜以及刻蚀掩模膜，通过如下方式测评所述图案形成膜的一组刻蚀条件：测量第一刻蚀完成时间(C1)，其是在施加于图案形成膜的刻蚀条件下刻蚀该刻蚀掩模膜时所花费的时间，测量第二刻蚀完成时间(C2)，其是在所述刻蚀条件下刻蚀该图案形成膜时所花费的时间，以及计算第一与第二刻蚀完成时间的比值(C1/C2)。
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公开(公告)号：CN108121152A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710896173.X
申请日：2017-09-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F1/24 , G03F1/26 , G03F1/42 , G03F1/48 , G03F1/50 , G03F1/54 , G03F1/62 , G03F1/76
Abstract: 提供一种微影光掩模，包括基板，其包含低热膨胀材料。反射结构位于基板的第一侧上。吸收层位于反射结构上。吸收层包含一或多个第一重叠标记。导电层位于基板的第二侧上，且基板的第一侧与第二侧对向设置。导电层包含部份的一或多个第二重叠标记。在一些实施例中，微影光掩模包含极紫外线微影光掩模。
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公开(公告)号：CN105278256B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201510282331.3
申请日：2015-05-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70191 , G03F1/0046 , G03F1/24 , G03F1/26 , G03F7/70091 , G03F7/70116 , G03F7/70125 , G03F7/70283 , G03F7/70308
Abstract: 本发明提供一种用于极紫外线光刻(EUVL)工艺的方法。方法包括：将二元相位掩模(BPM)加载至光刻系统，其中BPM包括两种相位状态并且限定在其上的集成电路(IC)图案；根据IC图案将光刻系统的照射装置设定为照射模式；根据照射模式将光瞳滤波器配置在光刻系统中；以及通过照射模式的光刻系统，利用BPM和光瞳滤波器对靶子执行光刻曝光工艺。本发明还提供了一种印制低图案密度部件的极紫外线光刻工艺。
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公开(公告)号：CN107290929A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710191261.X
申请日：2017-03-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/76
Abstract: 在一些实施例中，图案化的光刻胶具有多个屏蔽层。在一些实施例中，描述了用于掩模图案化的光掩模。光掩模包括位于透明层上方的相移层。光掩模还包括位于相移层上方的第一屏蔽层。第一屏蔽层具有第一厚度和第一光密度。光掩模还包括位于第一屏蔽层上方的第二屏蔽层。第二屏蔽层具有第二厚度和第二光密度。第二厚度小于第一薄度，并且第二光密度小于第一光密度。本发明实施例涉及具有多个屏蔽层的光掩模。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107203091A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201710066943.8
申请日：2017-02-07
Applicant: 思而施技术株式会社
CPC classification number: G03F1/0046 , G03F1/26
Abstract: 公开一种相移底板掩模和光掩模，其中相移膜形成为至少两个或更多层的多层膜或者连续膜，所述相移膜的膜由可以相对于一种蚀刻剂进行蚀刻并且成分彼此不同的材料组成，而且成分不同的所述膜中的每个堆叠一次或多次。因此，有可能减少所述相移膜的厚度，并且使边缘处的截面具有陡峭坡度，以使得在所述相移膜被图案化时相移膜图案可以具有清晰边界，从而保证所述相移膜图案的透射率和相移度的均匀性。另外，有可能改进所述相移膜图案和印刷图案的精度。
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公开(公告)号：CN106980224A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201610034118.5
申请日：2016-01-19
Applicant: 香港理工大学
CPC classification number: G03F1/26 , G02B5/1857 , G02B6/02138 , G02B6/02152
Abstract: 本发明提出了一种相位掩模板以及光纤光栅的制造设备及方法；所述相位掩模板，用于设置在光纤(5)的前方，以使紫外光束透过相位掩模板(118)形成的干涉条纹打在光纤(5)的纤芯上，从而形成光纤光栅，包括透明衬底(1)，以及开设在透明衬底(1)上的多个不透明的凹槽(2)；该多个凹槽(2)呈扇形栅状图案分布；位于所述扇形栅状图案中部的凹槽与光纤(5)垂直；相邻两个凹槽(2)之间形成有透过部(3)，紫外光束透过多个透过部(3)形成干涉条纹。本发明所提出的非均匀相位掩模板可以快速调整干涉条纹周期，可与模板抖动算法配合制造复杂光纤光栅，实用性强。
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公开(公告)号：CN103424983B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201310182144.9
申请日：2013-05-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及光掩模坯料及光掩模的制造方法。本发明在确保由铬系材料构成的膜的化学特性等各种特性的同时减轻对该铬系材料膜进行蚀刻时对光致抗蚀剂的负荷。在透明衬底(1)上形成有遮光膜(2)，在该遮光膜(2)上设置有硬掩模膜(3)。硬掩模膜(3)整体由含有锡的铬系材料构成。由含有锡的铬系材料构成的膜能够显著提高氯类干蚀刻时的蚀刻速度。并且，与由将铬的一部分置换成轻元素的铬系材料构成的膜相比，对氟类干蚀刻具有同等以上的蚀刻耐性。因此，对用于加工硬掩模膜的光致抗蚀剂的蚀刻负荷得到减轻，即使在使抗蚀剂膜减薄的情况下也能够进行高精度的图案转印。
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公开(公告)号：CN106371282A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201510640051.5
申请日：2015-09-30
Applicant: 株式会社S&STECH
Abstract: 本发明公开了一种空白掩模和光掩模，控制光屏蔽膜的金属及轻元素成分，以便光屏蔽膜可保证光屏蔽效率，增加刻蚀速度，变得更薄，并具有最小的表面电阻。为此，根据本发明的空白掩模包括至少一个位于透明基板上的光屏蔽膜，所述光屏蔽膜包括毗邻所述基板的第一光屏蔽层和形成于所述第一光屏蔽层上面的第二光屏蔽层，所述第一和第二光屏蔽层包含铬(Cr)和钼(Mo)。
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公开(公告)号：CN106200256A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510421048.4
申请日：2015-07-17
Applicant: 株式会社S&STECH
CPC classification number: G03F1/26
Abstract: 本发明涉及相位反转空白掩模及光掩模，相位反转空白掩模的遮光膜由具有包括第一遮光层及第二遮光层的多层膜或连续膜结构的金属化合物形成。第二遮光层比第一遮光层，每单位厚度的曝光波长的光密度更高，第一遮光层的厚度为遮光膜的总厚度的70％～90％。这种空白掩模可确保遮光性，改善刻蚀速度，且可薄膜化抗蚀膜的厚度，从而可实现微细图案。
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