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公开(公告)号：CN107203091A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201710066943.8
申请日：2017-02-07
Applicant: 思而施技术株式会社
CPC classification number: G03F1/0046 , G03F1/26
Abstract: 公开一种相移底板掩模和光掩模，其中相移膜形成为至少两个或更多层的多层膜或者连续膜，所述相移膜的膜由可以相对于一种蚀刻剂进行蚀刻并且成分彼此不同的材料组成，而且成分不同的所述膜中的每个堆叠一次或多次。因此，有可能减少所述相移膜的厚度，并且使边缘处的截面具有陡峭坡度，以使得在所述相移膜被图案化时相移膜图案可以具有清晰边界，从而保证所述相移膜图案的透射率和相移度的均匀性。另外，有可能改进所述相移膜图案和印刷图案的精度。
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公开(公告)号：CN110456608A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201810513173.1
申请日：2018-05-25
Applicant: 思而施技术株式会社
Abstract: 根据本公开的相移膜包括组成不同的多个层，其可以通过一种蚀刻剂进行蚀刻，并且形成为连续膜或多层膜，所述膜通过一次或多次层叠具有不同组成的层而具有至少两层。因此，不仅通过减小相移膜的厚度，而且还通过考虑各种变量从而使得在将相移膜图案化时，使边界部分的截面倾斜度变陡以获得更清晰的相移膜图案边界，由此确保了相移膜图案的透射率、相移量和均匀性，因此提供了这样的相移空白掩膜和光掩膜，其中光刻对象和相移膜图案的图案精度得以改善。
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公开(公告)号：CN108957941B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN201810477224.X
申请日：2018-05-18
Applicant: 思而施技术株式会社
IPC: G03F1/26
Abstract: 根据本公开的相移空白掩膜包括具有多层膜结构的相移膜，该多层膜结构包括位于透明衬底上的两层或更多层，其中相移膜仅含有硅(Si)，或者含有硅(Si)化合物而基本上不含过渡金属。根据本公开的相移膜由不含过渡金属的硅(Si)基材料制成，由此提供了这样的空白掩膜和光掩膜，其耐曝光光线的耐曝光性和耐化学品清洁的耐化学品性优异，能够精确地控制图案的CD，并延长了光掩膜的使用寿命。
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公开(公告)号：CN107203091B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201710066943.8
申请日：2017-02-07
Applicant: 思而施技术株式会社
Abstract: 公开一种相移底板掩模和光掩模，其中相移膜形成为至少两个或更多层的多层膜或者连续膜，所述相移膜的膜由可以相对于一种蚀刻剂进行蚀刻并且成分彼此不同的材料组成，而且成分不同的所述膜中的每个堆叠一次或多次。因此，有可能减少所述相移膜的厚度，并且使边缘处的截面具有陡峭坡度，以使得在所述相移膜被图案化时相移膜图案可以具有清晰边界，从而保证所述相移膜图案的透射率和相移度的均匀性。另外，有可能改进所述相移膜图案和印刷图案的精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108572511A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810182229.X
申请日：2018-03-06
Applicant: 思而施技术株式会社
Abstract: 本发明公开了极紫外(EUV)光刻用防护膜及其制造方法，该防护膜的EUV曝光光线的透过率优异，且具有优异的机械强度。该防护膜包括支撑层图案；形成在所述支撑层图案上的埋入式氧化物层图案；以及由所述埋入式氧化物层图案支撑的防护膜层。该防护膜还可以包括用于增强防护膜层的机械强度的增强层，用于额外补充增强层的机械强度的辅助层以及用于使防护膜层散热的散热层。
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公开(公告)号：CN110456608B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201810513173.1
申请日：2018-05-25
Applicant: 思而施技术株式会社
Abstract: 根据本公开的相移膜包括组成不同的多个层，其可以通过一种蚀刻剂进行蚀刻，并且形成为连续膜或多层膜，所述膜通过一次或多次层叠具有不同组成的层而具有至少两层。因此，不仅通过减小相移膜的厚度，而且还通过考虑各种变量从而使得在将相移膜图案化时，使边界部分的截面倾斜度变陡以获得更清晰的相移膜图案边界，由此确保了相移膜图案的透射率、相移量和均匀性，因此提供了这样的相移空白掩膜和光掩膜，其中光刻对象和相移膜图案的图案精度得以改善。
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公开(公告)号：CN109765752B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201810511606.X
申请日：2018-05-25
Applicant: 思而施技术株式会社
Abstract: 本发明公开了一种极紫外(EUV)光刻用防护膜。该防护膜可以包括：支撑层图案，其通过蚀刻支撑层而形成；防护膜层，其形成在所述支撑层图案上；和蚀刻停止层图案，其形成在所述支撑层图案与所述防护膜层之间，并且在蚀刻所述支撑层时通过对停止蚀刻的蚀刻停止层进行蚀刻而形成。因此，本发明提供了一种EUV光掩模用防护膜，其在具有最小厚度的同时保持了高的EUV曝光光线透过率，并且机械强度和热特性优异。
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公开(公告)号：CN108572511B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN201810182229.X
申请日：2018-03-06
Applicant: 思而施技术株式会社
Abstract: 本发明公开了极紫外(EUV)光刻用防护膜及其制造方法，该防护膜的EUV曝光光线的透过率优异，且具有优异的机械强度。该防护膜包括支撑层图案；形成在所述支撑层图案上的埋入式氧化物层图案；以及由所述埋入式氧化物层图案支撑的防护膜层。该防护膜还可以包括用于增强防护膜层的机械强度的增强层，用于额外补充增强层的机械强度的辅助层以及用于使防护膜层散热的散热层。
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公开(公告)号：CN112563123A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201911374751.9
申请日：2019-12-27
Applicant: 思而施技术株式会社
IPC: H01L21/033 , G03F7/20
Abstract: 公开一种用于极紫外光(EUV)微影的薄膜以及其制造方法，所述薄膜具有形成于薄膜框架上的核心层，所述核心层包括：第一层；以及第二层。所述第一层包含硅。所述第二层包含具有硅及金属的金属硅化物、具有硅及轻元素的硅化合物、以及具有硅以及金属及轻元素的金属硅化物化合物中的一者。藉此，所述薄膜在光学特性损失最小的情况下在机械、热及化学稳定性方面得到改善。
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