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公开(公告)号：CN112563123A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201911374751.9
申请日：2019-12-27
Applicant: 思而施技术株式会社
IPC: H01L21/033 , G03F7/20
Abstract: 公开一种用于极紫外光(EUV)微影的薄膜以及其制造方法，所述薄膜具有形成于薄膜框架上的核心层，所述核心层包括：第一层；以及第二层。所述第一层包含硅。所述第二层包含具有硅及金属的金属硅化物、具有硅及轻元素的硅化合物、以及具有硅以及金属及轻元素的金属硅化物化合物中的一者。藉此，所述薄膜在光学特性损失最小的情况下在机械、热及化学稳定性方面得到改善。
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