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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117991581A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202310026042.1
申请日：2023-01-09
Applicant: 思而施技术株式会社
IPC: G03F1/40
Abstract: 一种用于平板显示器(FPD)的空白掩膜，其包括形成于透明衬底上的金属薄膜。金属薄膜包括用于阻挡曝光光线的遮光层、用于反射一些曝光光线的反射层、以及用于防止静电荷在金属薄膜中积聚的抗静电层。抗静电层包含30原子％至60原子％的铬(Cr)、20原子％至60原子％的氮(N)、10原子％至40原子％的氧(O)和0原子％至10原子％的碳(C)，并且抗静电层的薄层电阻高于或等于100Ω/□。抗静电层防止电荷在金属薄膜中积聚，并且防止由于静电放电(ESD)而导致光掩膜的图案损伤。
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公开(公告)号：CN110456608A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201810513173.1
申请日：2018-05-25
Applicant: 思而施技术株式会社
Abstract: 根据本公开的相移膜包括组成不同的多个层，其可以通过一种蚀刻剂进行蚀刻，并且形成为连续膜或多层膜，所述膜通过一次或多次层叠具有不同组成的层而具有至少两层。因此，不仅通过减小相移膜的厚度，而且还通过考虑各种变量从而使得在将相移膜图案化时，使边界部分的截面倾斜度变陡以获得更清晰的相移膜图案边界，由此确保了相移膜图案的透射率、相移量和均匀性，因此提供了这样的相移空白掩膜和光掩膜，其中光刻对象和相移膜图案的图案精度得以改善。
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公开(公告)号：CN110456608B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201810513173.1
申请日：2018-05-25
Applicant: 思而施技术株式会社
Abstract: 根据本公开的相移膜包括组成不同的多个层，其可以通过一种蚀刻剂进行蚀刻，并且形成为连续膜或多层膜，所述膜通过一次或多次层叠具有不同组成的层而具有至少两层。因此，不仅通过减小相移膜的厚度，而且还通过考虑各种变量从而使得在将相移膜图案化时，使边界部分的截面倾斜度变陡以获得更清晰的相移膜图案边界，由此确保了相移膜图案的透射率、相移量和均匀性，因此提供了这样的相移空白掩膜和光掩膜，其中光刻对象和相移膜图案的图案精度得以改善。
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公开(公告)号：CN109597276A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811140761.1
申请日：2018-09-28
Applicant: 思而施技术株式会社
Abstract: 本发明涉及一种用于防止静电破坏的空白掩模及光掩模。空白掩模在透明衬底上具有至少一层金属化合物膜以形成光掩模图案。金属化合物膜包含：金属膜，形成于透明衬底上；以及非起电膜，形成于金属膜上，非起电膜防止因图案之间的在表面上积聚的电荷的差所引起的静电放电所导致的对图案的破坏。有可能通过在没有额外薄膜制造工艺的情况下改进形成空白掩模的金属化合物膜中的电阻组分来使光掩模的金属化合物膜图案之间的由光刻工艺期间的反复接触或处理所产生的静电最小化来防止对转移图案的破坏，且还可避免修正和重新制造光掩模的成本。
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公开(公告)号：CN113009774A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202011485574.4
申请日：2020-12-16
Applicant: 思而施技术株式会社
IPC: G03F1/32
Abstract: 本申请公开了一种用于平板显示器(FPD)中的相移空白掩膜，该相移空白掩膜包括位于透明衬底上的相移膜。相移膜包括控制曝光光线的透射率的透射衰减层和控制曝光光线的相移量的相移层。透射衰减层的组成比为50原子％至100原子％的铬(Cr)、0原子％至50原子％的氮(N)和0原子％至50原子％的碳(C)。相移层的组成比为10原子％至60原子％的铬(Cr)、0原子％至60原子％的氮(N)、0原子％至60原子％的氧(O)和0原子％至40原子％的碳(C)。对于365nm(i线)、405nm(h线)和436nm(g线)的复合波长的曝光光线，使各波长的透射率差异最小化至4％以下或2％以下。
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