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公开(公告)号：CN109597276A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811140761.1
申请日：2018-09-28
Applicant: 思而施技术株式会社
Abstract: 本发明涉及一种用于防止静电破坏的空白掩模及光掩模。空白掩模在透明衬底上具有至少一层金属化合物膜以形成光掩模图案。金属化合物膜包含：金属膜，形成于透明衬底上；以及非起电膜，形成于金属膜上，非起电膜防止因图案之间的在表面上积聚的电荷的差所引起的静电放电所导致的对图案的破坏。有可能通过在没有额外薄膜制造工艺的情况下改进形成空白掩模的金属化合物膜中的电阻组分来使光掩模的金属化合物膜图案之间的由光刻工艺期间的反复接触或处理所产生的静电最小化来防止对转移图案的破坏，且还可避免修正和重新制造光掩模的成本。
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