公开(公告)号：CN106200256A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510421048.4

申请日：2015-07-17

Applicant: 株式会社S&STECH

Inventor： 南基守 ,  申澈 ,  梁澈圭 ,  李钟华 ,  崔珉箕 ,  金昌俊 ,  张圭珍

IPC: G03F1/26 ,  G03F1/32

CPC classification number: G03F1/26

Abstract: 本发明涉及相位反转空白掩模及光掩模，相位反转空白掩模的遮光膜由具有包括第一遮光层及第二遮光层的多层膜或连续膜结构的金属化合物形成。第二遮光层比第一遮光层，每单位厚度的曝光波长的光密度更高，第一遮光层的厚度为遮光膜的总厚度的70％～90％。这种空白掩模可确保遮光性，改善刻蚀速度，且可薄膜化抗蚀膜的厚度，从而可实现微细图案。

公开(公告)号：CN106054515A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201510848681.1

申请日：2015-11-27

Applicant: 株式会社S&STECH

Inventor： 南基守 ,  申澈 ,  李钟华 ,  梁澈圭 ,  崔珉箕 ,  金昌俊 ,  张圭珍

IPC: G03F1/26

CPC classification number: G03F1/26 ,  G03F1/58

Abstract: 本发明公开了一种用于制造光掩模的空白掩模，其可实现32nm级以下，优选地，14nm级以下，更优选地，10nm级以下的微细图案。为此，在透明基板上提供相移膜、光屏蔽膜、刻蚀阻止膜和硬膜，所述光屏蔽膜具有成分不同的两层或多层的多层结构，其中一种必须包含氧(O)，必须包含氧(O)的光屏蔽层占光屏蔽膜总厚度的50％-100％，所述相移膜具有10％-50％的透射率。