公开(公告)号：CN106716597A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201480080717.X

申请日：2014-12-22

申请人： 英特尔公司

发明人： Y·A·波罗多维斯基

IPC分类号： H01L21/027

CPC分类号： H01J37/045 ,  H01J37/3026 ,  H01J37/3174 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/0435 ,  H01J2237/0453 ,  H01J2237/30422 ,  H01J2237/30438 ,  H01J2237/31762 ,  H01J2237/31764 ,  H01J2237/31769

摘要： 描述了适合于互补型电子束光刻(CEBL)的光刻装置和涉及互补型电子束光刻(CEBL)的方法。在示例中，用于电子束工具的阻断器孔阵列(BAA)包括沿着第一方向的第一列开口，第一列开口中的每一个开口具有卷边角。BAA还包括沿着第一方向并与第一列开口交错的第二列开口，第二列开口中的每一个开口具有卷边角。第一列开口和第二列开口一起形成在第一方向上具有节距的阵列。BAA的扫描方向沿着第二方向，第二方向正交于第一方向。阵列的节距对应于针对与第二方向平行的取向而言的线的目标图案的最小节距布局的一半。

公开(公告)号：CN106537556A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201480080745.1

申请日：2014-12-22

申请人： 英特尔公司

发明人： Y·A·波罗多维斯基

IPC分类号： H01L21/027

CPC分类号： G03F7/2037 ,  H01J37/045 ,  H01J37/3026 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/0435 ,  H01J2237/0453 ,  H01J2237/303 ,  H01J2237/30422 ,  H01J2237/30438 ,  H01J2237/31762 ,  H01J2237/31764 ,  H01J2237/31769 ,  H01L21/0277 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76816

摘要： 描述了适合于互补型电子束光刻(CEBL)的光刻装置和涉及互补型电子束光刻(CEBL)的方法。在示例中，用于电子束直接写入光刻工具的列包括第一阻断器孔阵列(BAA)，该第一阻断器孔阵列(BAA)包括沿着阵列方向具有节距的开口的交错阵列。阵列方向与扫描方向正交。每个开口在阵列方向上都具有第一尺寸。列还包括第二BAA，该第二BAA包括沿着阵列方向具有节距的开口的交错阵列。每个开口在阵列方向上都具有第二尺寸，第二尺寸大于第一尺寸。

公开(公告)号：CN106463348A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201480078801.8

申请日：2014-12-19

申请人： 英特尔公司

发明人： D·W·纳尔逊 ,  Y·A·波罗多维斯基 ,  M·C·菲利普斯 ,  R·M·比格伍德

IPC分类号： H01L21/027

CPC分类号： H01L21/31144 ,  G03F7/2059 ,  G03F7/7045 ,  H01J37/045 ,  H01J37/3026 ,  H01J37/3174 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/0435 ,  H01J2237/0453 ,  H01J2237/303 ,  H01J2237/30422 ,  H01J2237/30438 ,  H01J2237/31762 ,  H01J2237/31764 ,  H01L21/0277

摘要： 描述了适合于互补型电子束光刻(CEBL)的光刻装置和涉及互补型电子束光刻(CEBL)的方法。在示例中，一种用于电子束工具简化的数据压缩或数据缩减的方法涉及提供数据量以写入列区域并且针对晶圆上的区域边缘位置误差调整所述列区域，其中，所述数据量局限于用于对大约10％或更少的所述列区域进行图案化的数据。所述方法还涉及使用所述数据量在晶圆上执行电子束写入。