公开(公告)号：CN1285612A

公开(公告)日：2001-02-28

申请号：CN00123809.4

申请日：2000-08-18

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 宫坂满美

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F1/20 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/50 ,  G03F1/84 ,  G03F1/86 ,  H01J37/3175 ,  H01J2237/31761 ,  H01J2237/31762 ,  H01J2237/31794

Abstract: 一种电子束曝光掩模包括主掩模和一个或多个补偿掩模。所述主掩模包括多个第一限定掩模。补偿掩模包括一个或多个无缺陷第二限定掩模,每个第二限定掩模具有按所述第一限定掩模中有缺陷的掩模形成的图形构形。在利用该电子束曝光掩模进行曝光时,只要第一限定掩模没有缺陷,则使用第一限定掩模,在第一限定掩模有缺陷时,使用对应于第一限定掩模的第二限定掩模。

公开(公告)号：CN106463347A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201480078800.3

申请日：2014-12-22

Applicant: 英特尔公司

Inventor： Y·A·波罗多维斯基 ,  D·W·纳尔逊 ,  M·C·菲利普斯

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/682 ,  G03F9/00 ,  H01J37/045 ,  H01J37/3026 ,  H01J37/3174 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/0435 ,  H01J2237/0453 ,  H01J2237/24578 ,  H01J2237/30438 ,  H01J2237/31762 ,  H01J2237/31764 ,  H01L21/0277 ,  H01L21/31144

Abstract: 说明了适合于互补性电子束光刻(CEBL)的光刻装置以及涉及互补性电子束光刻(CEBL)的方法。在示例中，一种位于电子束工具的平台上的晶圆的实时对准的方法，该方法包含：当电子束工具的电子束列在平台的扫描期间进行写入时，从晶圆的下方图案化特征收集反向散射电子。该收集由放置在电子束列底部处的电子检测器执行。该方法还包含：基于该收集来执行平台相对于电子束列的对准的线性校正。

公开(公告)号：CN103858211A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201280048943.0

申请日：2012-09-27

Applicant: 株式会社PARAM

Inventor： 安田洋

IPC: H01L21/027 ,  H01J37/305

CPC classification number: H01J37/147 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/045 ,  H01J37/3007 ,  H01J37/3026 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/0437 ,  H01J2237/31762 ,  H01J2237/31764 ,  H01J2237/31774 ,  H01J2237/3175

Abstract: 本发明形成间隔为波束尺寸整数倍的二维平面内的正方形格栅矩阵波束群，通过位映像信号打开/关闭待光刻的元件的网格，修整希望的波束形状，将波束偏向于需要位置，波束状态稳定后，打开全体遮光器，通过照射波束而获得高精度且高速的光刻图案。提供给各波束的打开/关闭信号和向量扫描信号，在波束稳定后，解除全体遮光器，并且从而以少数数据量进行高精度、高速的光刻。当全体拍摄数量超过一定值时，修改图案数据并且实现高速光刻。半导体反偏压PN结技术被优选地用于个别遮光电极。

公开(公告)号：CN106716597A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201480080717.X

申请日：2014-12-22

Applicant: 英特尔公司

Inventor： Y·A·波罗多维斯基

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01J37/045 ,  H01J37/3026 ,  H01J37/3174 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/0435 ,  H01J2237/0453 ,  H01J2237/30422 ,  H01J2237/30438 ,  H01J2237/31762 ,  H01J2237/31764 ,  H01J2237/31769

Abstract: 描述了适合于互补型电子束光刻(CEBL)的光刻装置和涉及互补型电子束光刻(CEBL)的方法。在示例中，用于电子束工具的阻断器孔阵列(BAA)包括沿着第一方向的第一列开口，第一列开口中的每一个开口具有卷边角。BAA还包括沿着第一方向并与第一列开口交错的第二列开口，第二列开口中的每一个开口具有卷边角。第一列开口和第二列开口一起形成在第一方向上具有节距的阵列。BAA的扫描方向沿着第二方向，第二方向正交于第一方向。阵列的节距对应于针对与第二方向平行的取向而言的线的目标图案的最小节距布局的一半。

公开(公告)号：CN1681085A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN200510063188.5

申请日：2005-04-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中杉哲郎

IPC: H01L21/027 ,  G03B7/20 ,  H01J37/00

CPC classification number: H01J37/3175 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J2237/31762

Abstract: 本发明提供一种电子束描绘系统，它具备：根据决定的处理顺序使用多个孔径掩模对多个批次按顺序描绘的描绘工具；管理所述多个孔径掩模的孔径管理工具；取得所述多个批次的处理请求的请求取得模块；存储分别与所述多个批次有关的处理步骤的处理步骤存储部；处理时间计算模块，其分别计算出根据所述处理步骤、使用分别与所述批次对应的所述孔径掩模来分别处理所述多个批次的处理时间；和根据所述处理时间决定所述多个批次的处理顺序的处理顺序决定模块。

公开(公告)号：CN1185684C

公开(公告)日：2005-01-19

申请号：CN98117352.7

申请日：1998-08-19

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 田村贵央

IPC: H01L21/00 ,  G06F17/50

CPC classification number: H01J37/3023 ,  H01J2237/31762

Abstract: 带电粒子束绘图数据预备方法，所预备的绘图数据用于带电粒子束绘图装置中，其通过转换CAD数据用带电粒子形成微细图形，该方法利用层间计算校验CAD数据与绘图数据之间是否存在差异。当证明CAD数据与绘图装置图形数据之间存在差异时，利用层间计算产生用于补偿这个差异的绘图数据。

公开(公告)号：CN1208948A

公开(公告)日：1999-02-24

申请号：CN98117352.7

申请日：1998-08-19

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 田村贵央

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01J37/3023 ,  H01J2237/31762

Abstract: 带电粒子束绘图数据预备方法,所预备的绘图数据用于带电粒子束绘图装置中,其通过转换CAD数据用带电粒子形成微细图形,该方法利用层间计算检验CAD数据与绘图数据之间是否存在差异。当证明CAD数据与绘图装置图形数据之间存在差异时,利用层间计算产生用于补偿这个差异的绘图数据。

公开(公告)号：CN106537556A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201480080745.1

申请日：2014-12-22

Applicant: 英特尔公司

Inventor： Y·A·波罗多维斯基

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/2037 ,  H01J37/045 ,  H01J37/3026 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/0435 ,  H01J2237/0453 ,  H01J2237/303 ,  H01J2237/30422 ,  H01J2237/30438 ,  H01J2237/31762 ,  H01J2237/31764 ,  H01J2237/31769 ,  H01L21/0277 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76816

Abstract: 描述了适合于互补型电子束光刻(CEBL)的光刻装置和涉及互补型电子束光刻(CEBL)的方法。在示例中，用于电子束直接写入光刻工具的列包括第一阻断器孔阵列(BAA)，该第一阻断器孔阵列(BAA)包括沿着阵列方向具有节距的开口的交错阵列。阵列方向与扫描方向正交。每个开口在阵列方向上都具有第一尺寸。列还包括第二BAA，该第二BAA包括沿着阵列方向具有节距的开口的交错阵列。每个开口在阵列方向上都具有第二尺寸，第二尺寸大于第一尺寸。

公开(公告)号：CN106463348A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201480078801.8

申请日：2014-12-19

Applicant: 英特尔公司

Inventor： D·W·纳尔逊 ,  Y·A·波罗多维斯基 ,  M·C·菲利普斯 ,  R·M·比格伍德

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  G03F7/2059 ,  G03F7/7045 ,  H01J37/045 ,  H01J37/3026 ,  H01J37/3174 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/0435 ,  H01J2237/0453 ,  H01J2237/303 ,  H01J2237/30422 ,  H01J2237/30438 ,  H01J2237/31762 ,  H01J2237/31764 ,  H01L21/0277

Abstract: 描述了适合于互补型电子束光刻(CEBL)的光刻装置和涉及互补型电子束光刻(CEBL)的方法。在示例中，一种用于电子束工具简化的数据压缩或数据缩减的方法涉及提供数据量以写入列区域并且针对晶圆上的区域边缘位置误差调整所述列区域，其中，所述数据量局限于用于对大约10％或更少的所述列区域进行图案化的数据。所述方法还涉及使用所述数据量在晶圆上执行电子束写入。

公开(公告)号：CN103858211B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201280048943.0

申请日：2012-09-27

Applicant: 株式会社PARAM

Inventor： 安田洋

IPC: H01L21/027 ,  H01J37/305

CPC classification number: H01J37/147 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/045 ,  H01J37/3007 ,  H01J37/3026 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/0437 ,  H01J2237/31762 ,  H01J2237/31764 ,  H01J2237/31774

Abstract: 本发明形成间隔为波束尺寸整数倍的二维平面内的正方形格栅矩阵波束群，通过位映像信号打开/关闭待光刻的元件的网格，修整希望的波束形状，将波束偏向于需要位置，波束状态稳定后，打开全体遮光器，通过照射波束而获得高精度且高速的光刻图案。提供给各波束的打开/关闭信号和向量扫描信号，在波束稳定后，解除全体遮光器，并且从而以少数数据量进行高精度、高速的光刻。当全体拍摄数量超过一定值时，修改图案数据并且实现高速光刻。半导体反偏压PN结技术被优选地用于个别遮光电极。