公开(公告)号：CN1681085A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN200510063188.5

申请日：2005-04-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中杉哲郎

IPC: H01L21/027 ,  G03B7/20 ,  H01J37/00

CPC classification number: H01J37/3175 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J2237/31762

Abstract: 本发明提供一种电子束描绘系统，它具备：根据决定的处理顺序使用多个孔径掩模对多个批次按顺序描绘的描绘工具；管理所述多个孔径掩模的孔径管理工具；取得所述多个批次的处理请求的请求取得模块；存储分别与所述多个批次有关的处理步骤的处理步骤存储部；处理时间计算模块，其分别计算出根据所述处理步骤、使用分别与所述批次对应的所述孔径掩模来分别处理所述多个批次的处理时间；和根据所述处理时间决定所述多个批次的处理顺序的处理顺序决定模块。

公开(公告)号：CN100364049C

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200510063188.5

申请日：2005-04-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中杉哲郎

IPC: H01L21/027 ,  G03B7/20 ,  H01J37/00

CPC classification number: H01J37/3175 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J2237/31762

Abstract: 本发明提供一种电子束描绘系统，它具备：根据决定的处理顺序使用多个孔径掩模对多个批次按顺序描绘的描绘工具；管理所述多个孔径掩模的孔径管理工具；取得所述多个批次的处理请求的请求取得模块；存储分别与所述多个批次有关的处理步骤的处理步骤存储部；处理时间计算模块，其分别计算出根据所述处理步骤、使用分别与所述批次对应的所述孔径掩模来分别处理所述多个批次的处理时间；和根据所述处理时间决定所述多个批次的处理顺序的处理顺序决定模块。

公开(公告)号：CN100342490C

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200410095956.0

申请日：2004-09-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 太田拓见 ,  中杉哲郎

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01J37/304 ,  H01J37/153 ,  H01J2237/31754

Abstract: 本发明提供能以优良的精度且短的时间校正由偏转器引起的偏转变形的偏转变形校正方法。该偏转变形校正方法包括：作为初始设定把偏转带电粒子束的偏转区域等分为多个初始分区的过程(S101)；计算对于多个初始分区的每个分区将带电粒子束偏转而照射时产生的初始位置偏差量的过程(S102～S104)；根据初始位置偏差量的变化率把偏转区域分割为多个主分区的过程(S105)；计算对于多个主分区的每个分区将带电粒子束偏转而照射时产生的主位置偏差量的过程(S106～S108)；以及基于主位置偏差量计算用于校正偏转变形的校正值的过程(S109)。

公开(公告)号：CN1288507C

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN03136669.4

申请日：2003-05-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐佐木纪昭 ,  中杉哲郎

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/16 ,  H01L21/027

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/70441 ,  G03F7/70475 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/31761 ,  H01J2237/31776

Abstract: 是用在XY方向上束的模糊量不同的CP方式的曝光装置，高精度地把图形复制到试样上。取入由在XY方向上的电子束的模糊量(S2)之差得到的形状修正以制作CP孔径掩模(S9)，用该CP孔径掩模在试样上使图形进行CP曝光。

公开(公告)号：CN1606130A

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN200410095956.0

申请日：2004-09-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 太田拓见 ,  中杉哲郎

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01J37/304 ,  H01J37/153 ,  H01J2237/31754

Abstract: 本发明提供能以优良的精度且短的时间校正由偏转器引起的偏转变形的偏转变形校正方法。该偏转变形校正方法包括：作为初始设定把偏转带电粒子束的偏转区域等分为多个初始分区的过程(S101)；计算对于多个初始分区的每个分区将带电粒子束偏转而照射时产生的初始位置偏差量的过程(S102～S104)；根据初始位置偏差量的变化率把偏转区域分割为多个主分区的过程(S105)；计算对于多个主分区的每个分区将带电粒子束偏转而照射时产生的主位置偏差量的过程(S106～S108)；以及基于主位置偏差量计算用于校正偏转变形的校正值的过程(S109)。

公开(公告)号：CN1460896A

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN03136669.4

申请日：2003-05-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐佐木纪昭 ,  中杉哲郎

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/16 ,  H01L21/027

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/70441 ,  G03F7/70475 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/31761 ,  H01J2237/31776

Abstract: 是用在XY方向上束的模糊量不同的CP方式的曝光装置，高精度地把图形复制到试样上。取入由在XY方向上的电子束的模糊量(S2)之差得到的形状修正以制作CP孔径掩模(S9)，用该CP孔径掩模在试样上使图形进行CP曝光。